三星第一季度NANDFlash市占逼近40%大關(guān)
[導(dǎo)讀]2010年第1季全球NANDFlash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(SamsungElectronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小
2010年第1季全球NANDFlash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(SamsungElectronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NANDFlash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。
NANDFlash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NORFlash、SDRAM和MobileRAM等存儲器都供給吃緊且價(jià)格喊漲之際，NANDFlash價(jià)格反而持續(xù)呈現(xiàn)緩跌，第2季仍是傳統(tǒng)淡季，因此終端需求持續(xù)疲弱中。
存儲器業(yè)者認(rèn)為，第1季NANDFlash需求雖然清淡，但因?yàn)镹ANDFlash大廠沒有太大壓力，加上力守獲利水平，因此價(jià)格跌幅有限，預(yù)計(jì)要到第3季傳統(tǒng)淡季來臨，消費(fèi)性電子產(chǎn)品開始展開備貨動作后，NANDFlash價(jià)格才有反彈機(jī)會。
再者，2011年各廠許多新產(chǎn)能要開出，以及30奈米制程微縮的產(chǎn)品陸續(xù)出籠，也是影響NANDFlash產(chǎn)業(yè)供需的關(guān)鍵。
集邦統(tǒng)計(jì)指出，全球2010年第1季NANDFlash市場中，三星市占率高達(dá)39.2%，東芝以34.4%市占率緊追在后，接著是美光(Micron)9.1%、海力士(Hynix)占7.9%、英特爾(Intel)占6.4%。
其中，三星第1季NANDFlash芯片的位元成長率持續(xù)增加，且手機(jī)客戶的訂單也持續(xù)回籠，因此第1季營收成長14.2%，達(dá)17.1億美元；而東芝的位元成長率也是正向成長，第1季營收成長18.5%，達(dá)15.1億美元。
再者，美光的市占率持續(xù)領(lǐng)先海力士，第1季位元出貨量也是小幅增加，營收約3.97億美元，海力士和英特爾的位元成長率則約莫持平，營收貢獻(xiàn)分別為3.45億美元和2.8億美元。
NANDFlash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NORFlash、SDRAM和MobileRAM等存儲器都供給吃緊且價(jià)格喊漲之際，NANDFlash價(jià)格反而持續(xù)呈現(xiàn)緩跌，第2季仍是傳統(tǒng)淡季，因此終端需求持續(xù)疲弱中。
存儲器業(yè)者認(rèn)為，第1季NANDFlash需求雖然清淡，但因?yàn)镹ANDFlash大廠沒有太大壓力，加上力守獲利水平，因此價(jià)格跌幅有限，預(yù)計(jì)要到第3季傳統(tǒng)淡季來臨，消費(fèi)性電子產(chǎn)品開始展開備貨動作后，NANDFlash價(jià)格才有反彈機(jī)會。
再者，2011年各廠許多新產(chǎn)能要開出，以及30奈米制程微縮的產(chǎn)品陸續(xù)出籠，也是影響NANDFlash產(chǎn)業(yè)供需的關(guān)鍵。
集邦統(tǒng)計(jì)指出，全球2010年第1季NANDFlash市場中，三星市占率高達(dá)39.2%，東芝以34.4%市占率緊追在后，接著是美光(Micron)9.1%、海力士(Hynix)占7.9%、英特爾(Intel)占6.4%。
其中，三星第1季NANDFlash芯片的位元成長率持續(xù)增加，且手機(jī)客戶的訂單也持續(xù)回籠，因此第1季營收成長14.2%，達(dá)17.1億美元；而東芝的位元成長率也是正向成長，第1季營收成長18.5%，達(dá)15.1億美元。
再者，美光的市占率持續(xù)領(lǐng)先海力士，第1季位元出貨量也是小幅增加，營收約3.97億美元，海力士和英特爾的位元成長率則約莫持平，營收貢獻(xiàn)分別為3.45億美元和2.8億美元。
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