EVG與新加坡研究機(jī)構(gòu)將共同開發(fā)使用TSV的三維封裝技術(shù)
[導(dǎo)讀]奧地利EV Group（EVG）與新加坡科技研究局（A*STAR）的微電子研究所（IME）宣布，雙方已就未來兩年共同開發(fā)使用硅通孔（TSV）的三維IC封裝技術(shù)達(dá)成一致。
發(fā)布資料稱，雙方將共同開發(fā)以200mm及300mm晶圓為對象、
奧地利EV Group（EVG）與新加坡科技研究局（A*STAR）的微電子研究所（IME）宣布，雙方已就未來兩年共同開發(fā)使用硅通孔（TSV）的三維IC封裝技術(shù)達(dá)成一致。
發(fā)布資料稱，雙方將共同開發(fā)以200mm及300mm晶圓為對象、使用TSV的三維IC封裝技術(shù)。具體將研發(fā)包括晶圓之間永久粘合、臨時(shí)粘合之后剝離、以及晶圓與芯片粘合的技術(shù)。為此將推進(jìn)晶圓表面的涂層技術(shù)、膜厚均勻性控制、粘合時(shí)的疊合精度、晶圓特性對粘合時(shí)的疊合精度及成品率的影響、粘合界面的評測、臨時(shí)粘合與永久粘合工藝時(shí)間的優(yōu)化及材料評測等技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目。
另外，此次達(dá)成一致的內(nèi)容，不僅包括EVG向IME提供工藝開發(fā)支持、以及允許IME訪問EVG的奧地利研究所，還包括IME作為工藝中心向EVG在亞太地區(qū)的客戶提供服務(wù)。（記者：長廣 恭明）
發(fā)布資料稱，雙方將共同開發(fā)以200mm及300mm晶圓為對象、使用TSV的三維IC封裝技術(shù)。具體將研發(fā)包括晶圓之間永久粘合、臨時(shí)粘合之后剝離、以及晶圓與芯片粘合的技術(shù)。為此將推進(jìn)晶圓表面的涂層技術(shù)、膜厚均勻性控制、粘合時(shí)的疊合精度、晶圓特性對粘合時(shí)的疊合精度及成品率的影響、粘合界面的評測、臨時(shí)粘合與永久粘合工藝時(shí)間的優(yōu)化及材料評測等技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目。
另外，此次達(dá)成一致的內(nèi)容，不僅包括EVG向IME提供工藝開發(fā)支持、以及允許IME訪問EVG的奧地利研究所，還包括IME作為工藝中心向EVG在亞太地區(qū)的客戶提供服務(wù)。（記者：長廣 恭明）
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