今年年初，IDT耗資7億美元完成收購全硅振蕩器供貨商Mobius Microsystem，取得該公司模擬和混合信號頻率核心技術(shù)。IDT期望以兩家公司的結(jié)合來擴展其在計時產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導地位?，F(xiàn)如今，IDT帶來革命性的計時產(chǎn)品——業(yè)界精度最高的全硅CMOS 振蕩器IDT3C02，在整個溫度、電壓和其他因數(shù)方面實現(xiàn)了100ppm 總頻率誤差。

IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術(shù)，可產(chǎn)生高精度的片上頻率。由于該器件不包含任何運動元件，無需依賴壓電或機械諧振器，實現(xiàn)了優(yōu)良的耐沖擊和振動能力。IDT3C02采用可編程架構(gòu)，支持各種配置選項。此外采用獨特的模擬核設(shè)計，其功耗低于 2.5mA（空載典型值）。IDT3C02 還具有 200nA（典型值）的低功耗待機模式，以及 100μs（典型值）的快速啟動時間。IDT3C02使用業(yè)界標準的 5×3.2mm MSL1 塑料 IC 封裝。這些功能組合使該器件非常適合功率敏感的設(shè)計，允許頻繁的開關(guān)電源以進一步節(jié)省功耗。

IDT硅晶頻率控制事業(yè)群總經(jīng)理Michael McCorquodale博士，Mobius Microsystem公司的創(chuàng)始人，也是IDT  CMOS 振蕩器技術(shù)的創(chuàng)始人，表示IDT3C02 振蕩器瞄準的是取代現(xiàn)有傳統(tǒng)石英振蕩器的市場。Michael解釋到，全硅CMOS振蕩器具有傳統(tǒng)石英振蕩器所不及的減少結(jié)構(gòu)復雜度與體積優(yōu)勢，性能已能與石英振蕩器相抗衡。傳統(tǒng)石英共振器頻率最大僅為40MHz，而全硅晶CMOS振蕩器頻率高達100MHz以上。 此外，相較于金屬與陶瓷封裝材料，CMOS振蕩器的塑料封裝，在成本上更具競爭力。

當談及CMOS 振蕩器和MEMS振蕩器的發(fā)展前景，Michael認為這兩類振蕩器各有千秋。相比而言，MEMS振蕩器準確率更高，成本結(jié)構(gòu)高，更適用于高性能應用領(lǐng)域。CMOS 振蕩器在同MEMS振蕩器近似準確率時，功耗更低，而其單片、塑料封裝等特點使其針對石英振蕩器市場上更具競爭力。