美高森美公司(Microsemi)，該公司近日參加了在上海新國際博覽中心舉辦的某著名電子展。

本次美高森美重點(diǎn)展示產(chǎn)品和解決方案系列包括：ZL70250 超低功率射頻(RF)收發(fā)器，用于太陽能/光伏逆變器的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，美高森美新型單芯片多軸馬達(dá)控制套件演示，無凸緣 (Flangeless)VRF MOSFET和新型1200V IGBT系列和高可靠性瞬態(tài)電壓抑制(TVS)產(chǎn)品。

其中最引人注目的是用于開發(fā)下一代高電壓大功率系統(tǒng)的設(shè)計(jì)指南，這些系統(tǒng)以公司獨(dú)有的數(shù)字射頻(digital radio frequency, DRF)系列混合模塊為基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體加工、LCD玻璃涂層、太陽能電池生產(chǎn)、光學(xué)器件及建筑玻璃涂層、有害氣體處理、CO2激光激發(fā)、MRI RF放大器、RF手術(shù)刀和感應(yīng)加熱等系統(tǒng)中。這些模塊將RF驅(qū)動IC和功率MOSFET集成在單一高性能封裝中，能夠以高達(dá)40 MHz的頻率發(fā)送1 ~ 3kW功率。設(shè)計(jì)指南還為系統(tǒng)開發(fā)人員提供了包括元器件選擇、匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)、優(yōu)化輸出功率、效率最大化、散熱設(shè)計(jì)等各種RF設(shè)計(jì)技巧，并針對構(gòu)建完整的RF發(fā)生器所需的電路拓?fù)涮峁┚唧w建議。

美高森美MOSRF產(chǎn)品部營銷總監(jiān)Glenn Wright表示：“我們的DRF系列產(chǎn)品同傳統(tǒng)的低壓RF系統(tǒng)相比具有更加突出的技術(shù)優(yōu)勢。這些優(yōu)勢體現(xiàn)在能夠解決復(fù)雜的設(shè)計(jì)難題，減小系統(tǒng)體積、提高功率密度和可靠性，并降低總體系統(tǒng)成本，適合各種工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)方面的應(yīng)用。”

美高森美DRF產(chǎn)品系列將最多兩個RF驅(qū)動器IC、兩個功率MOSFET及相關(guān)的退耦電容集成在單一封裝中。驅(qū)動器IC和MOSFET緊密接近，極大的降低了電路電感，同時可提供比分立元件解決方案更高的系統(tǒng)性能，以及實(shí)現(xiàn)多種電路配置和系統(tǒng)拓?fù)?。該模塊專為提供連續(xù)的功率、 Class D和E與脈沖功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)，僅需5V邏輯電平輸入信號，即可發(fā)射高達(dá)3kW的RF功率。新模塊采用美高森美獨(dú)特的無法蘭封裝技術(shù)，成本比傳統(tǒng)替代解決方案更低，而且進(jìn)一步改善系統(tǒng)性能。

美高森美現(xiàn)提供DRF產(chǎn)品系列的設(shè)計(jì)指南和其它開發(fā)工具和技術(shù)支持服務(wù)，包括SPICE模型，參考設(shè)計(jì)工具套件和應(yīng)用說明。

現(xiàn)場展出的還有兩款全新的無磁性500W瞬態(tài)電壓抑制器(transient voltage suppressor, TVS)陣列，新產(chǎn)品專為核磁共振成像(MRI)設(shè)備而設(shè)計(jì)，能夠防止靜電放電、電快速瞬變和二次雷擊效應(yīng)引起的電路損壞。美高森美現(xiàn)可提供USBQNM504xx和USBQNM504xxC TVS陣列，這些產(chǎn)品均符合要求，并獲得一家主要的醫(yī)療設(shè)備制造商使用。

美高森美公司高可靠性產(chǎn)品部門營銷和業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁Simon Wainwright表示：“我們的高性能TVS陣列在封裝中使用非鐵性材料，因而適用于在強(qiáng)力磁性環(huán)境中運(yùn)作的MRI設(shè)備和其它醫(yī)療設(shè)備。這一特性能夠提供額外保護(hù)，防止有害電壓尖刺損壞敏感的醫(yī)療設(shè)備中的數(shù)據(jù)并得出不準(zhǔn)確的結(jié)果，對病患健康帶來不良的影響。”

USBQNM504xx和USBQNM504xxC TVS陣列分別保護(hù)單向和雙向線路，新的環(huán)保無鹵素產(chǎn)品采用非鐵性四方扁平無鉛143腳金屬引線框架封裝，其符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的“綠色”外殼也與SOT-143封裝引腳兼容。其它特性包括：8/20μs脈沖條件下額定功率峰值500W，符合IEC 61000-4-2靜電放電ESD保護(hù)，IEC 61000-4-4電氣快速瞬變(EFT) ，以及二次雷擊效應(yīng)規(guī)范，用于敏感電路(包括TTL、CMOS、DRAM、SRAM、HCMOS、HSIC微處理器，以及USB和I/O收發(fā)器)的板級保護(hù)功能。這套解決方案包括Microsemi的SmartFusion?評估套件和TRINAMIC的馬達(dá)控制子板(daughter board)套件。

Microsemi獲獎的SmartFusion可定制化系統(tǒng)單芯片(cSoC)結(jié)合了三個成功編譯復(fù)雜馬達(dá)控制算法的重要特性：嵌入式微控制器、可編程模擬模塊和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。這樣的整合方式可提供一個理想平臺，以分隔軟件和硬件架構(gòu)需求。SmartFusion的嵌入式ARM Cortex?-M3微控制器可作為系統(tǒng)層任務(wù)管理、算法執(zhí)行和系統(tǒng)連接性之用。板上可編程模擬模塊提供電壓、電流和溫度監(jiān)控的完整感知與控制功能。閃存式FPGA邏輯用來執(zhí)行硬件加速與數(shù)學(xué)協(xié)同處理。此外，運(yùn)算/周期密集的算法程序(routine)可在FPGA內(nèi)由硬件實(shí)現(xiàn)，能夠非?？焖?、有效地執(zhí)行。