曾經有客戶希望臺積電的工藝更新?lián)Q代步伐能夠放緩一些，但無論從技術還是從商業(yè)角度講，臺積電顯然都不可能這么做，甚至還要加快速度，已經決定將16nm FinFET工藝的試產時間從2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用極紫外光刻技術制造10nm的芯片。

臺積電此舉顯然是為了應付GlobalFoundries、三星電子的激烈競爭，這兩家代工廠都已經宣布很快就會上馬FinFET立體晶體管技術。

臺積電原計劃在2014年底到2015年初量產16nm，現(xiàn)在看起來明年年中就有可能提前實現(xiàn)，但具體還要取決于試產的良品率成果。

臺積電首席技術官孫元成(Jack Sun)表示：“我們對16nm FinFET工藝在明年的黃金時代(量產)充滿信心。”

他還披露，16nm目前正在使用128Mb SRAM進行測試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率“超出預期”。標準單元、內存單元等基礎性IP都已經做好了準備，但是關鍵內部模塊的測試要到6月份才會開始。

有趣的是，就在不久前，Imagination剛剛宣布和臺積電達成進一步的戰(zhàn)略合作伙伴關系，PowerVR 6系列移動GPU未來會使用臺積電的16nm FinFET工藝生產，而幾乎同時，ARM和臺積電也聯(lián)合宣布，64-bit ARMv8架構的Cortex-A57芯片已經成功完成了第一次流片，所用工藝正好也是臺積電的16nm FinFET。這顯然給了臺積電十足的動力去提速。

臺積電估計，64-bit ARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm 32-bit ARM A9高出多達90%，而相比之下20nm A15核心只能提速大約40%。

FinFET立體晶體管

不過在16nm之前，臺積電還有一站20nm，量產也得等到明年，那么兩代新工藝安排得如此靠近，臺積電是如何定位的?

有業(yè)內人士認為，臺積電其實把20nm當成了一個過渡，它也不會給芯片廠商帶來太多優(yōu)勢。當然，臺積電可不這么想，至少不會這么說。孫元成聲稱，等到2017年的時候，臺積電20nm芯片的產量就會追上28nm。

他聲稱，臺積電20nm可比28nm性能提升20%，或者功耗降低30%，柵極密度也將增加大約1.9倍，GlobalFoundries就只能增加20%。

臺積電預計能在今年完成大約20個20nm芯片設計的流片工作，其中5月份拿到20nm Cortex-A15芯片的樣品。