東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容
[導(dǎo)讀]21ic訊 低導(dǎo)通電阻可減少移動設(shè)備的傳導(dǎo)損失東芝公司宣布通過“TPN2R203NC”擴(kuò)充移動設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現(xiàn)了低導(dǎo)
21ic訊 低導(dǎo)通電阻可減少移動設(shè)備的傳導(dǎo)損失
東芝公司宣布通過“TPN2R203NC”擴(kuò)充移動設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，可減少設(shè)備的傳導(dǎo)損失。
主要特性
采用第八代工藝打造，實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻
采用TSON Advance封裝，具有很好的導(dǎo)熱性
高雪崩電阻
主要規(guī)格
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