近日，大陸半導(dǎo)體積極布局發(fā)展是否會(huì)對(duì)臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者構(gòu)成威脅的問題引來了全球半導(dǎo)體的討論。在SEMICON Taiwan 2014上，比利時(shí)微電子(IMEC)執(zhí)行長Luc Van Den Hove表示，大陸半導(dǎo)體業(yè)者雖然積極，但先進(jìn)制程腳步仍慢，距離臺(tái)灣太遙遠(yuǎn)，臺(tái)灣仍是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進(jìn)制程技術(shù)的領(lǐng)先者。

作為歐洲半導(dǎo)體業(yè)者的代表，IMEC 與荷商微影設(shè)備大廠ASML也有著緊密合作伙伴關(guān)系，日前ASML才歡喜揭露極紫外光(EUV)機(jī)臺(tái)技術(shù)有重大突破，不但是機(jī)臺(tái)的曝光片數(shù)大幅成長，且接獲多家重量級(jí)半導(dǎo)體大廠對(duì)于新EUV機(jī)臺(tái)的訂單，讓EUV技術(shù)進(jìn)入10納米制程進(jìn)度有大斬獲，得以延續(xù)半導(dǎo)體摩爾定律前進(jìn)。

Van Den Hove表示，很高興看到ASML的極紫外光(EUV)技術(shù)獲得突破，事實(shí)上，半導(dǎo)體大廠進(jìn)入16/14納米FinFET制程技術(shù)世代后，都面臨相當(dāng)多挑 戰(zhàn)，F(xiàn)inFET制程的難度十分高，但移動(dòng)通訊產(chǎn)品需要低功耗、高效能的特性，也使得高階先進(jìn)制程需求的必要性提升，同時(shí)FinFET制程技術(shù)也會(huì)一直延 續(xù)到7納米世代。

尤其ASML在EUV機(jī)臺(tái)的突破，得以讓半導(dǎo)體大廠先進(jìn)制程壽命可持續(xù)，并維持一定的成本降低目標(biāo)，部分公司已考慮在10納米制程第二階段的投產(chǎn)計(jì)畫中，加入EUV機(jī)臺(tái)技術(shù)，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來自于晶圓代工、邏輯制程技術(shù)等，對(duì)于EUV機(jī)臺(tái)的需求，將是十分強(qiáng)勁。

此外，半導(dǎo)體材料也不斷追求新突破和創(chuàng)新，例如加入鍺(Ge)，與矽共同結(jié)合，加速半導(dǎo)體晶片運(yùn)作的效能。

再者，半導(dǎo)體大廠在先進(jìn)制程28納米、20納米、16/14納米、10納米和7納米制程的投資增加十分龐大，使得風(fēng)險(xiǎn)升高，因此很多半導(dǎo)體廠也藉由和IMEC合作，以降低生產(chǎn)成本，共同開發(fā)先進(jìn)技術(shù)。

其中合作廠商包括英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries、SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)等。