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[導讀]近日,在英特爾扎根中國市場30年之際,英特爾正式宣布將計劃升級其大連工廠,將轉(zhuǎn)產(chǎn)為“非易失性存儲器”制造。未來,英特爾預計對此項目投資高達55億美元,是英特爾迄今在中國的最大一筆投資。

無疑,英特爾擁有最先進的晶圓廠,其工藝一直處于領(lǐng)先地位。不過英特爾的絕大多數(shù)營收都來自處理器,其在存儲芯片制造上并沒有太多作為。

近日,在英特爾扎根中國市場30年之際,英特爾正式宣布將計劃升級其大連工廠,將轉(zhuǎn)產(chǎn)為“非易失性存儲器”制造。未來,英特爾預計對此項目投資高達55億美元,是英特爾迄今在中國的最大一筆投資。

目前,英特爾是非易失性存儲技術(shù)和固態(tài)硬盤解決方案的主要提供商,而且一直與存儲巨頭美光保持緊密的合作關(guān)系。顯然,大連工廠轉(zhuǎn)型之后,英特爾希望擴大非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域的制造能力。

英特爾大連工廠于2010年開始投產(chǎn)運營,現(xiàn)有員工1100人,是英特爾在亞洲的唯一的晶圓制造工廠。不過在業(yè)內(nèi)人士看來,自從建廠后,英特爾大連工廠在資金投入、技術(shù)引入上一直不理想,和之前預期的相差甚大,公司多次考慮過對大連英特爾廠轉(zhuǎn)型甚至出售。

轉(zhuǎn)型之后,預計大連工廠將從2016年下半年開始生產(chǎn)3DNAND閃存芯片。值得注意的是,英特爾和美光還宣布聯(lián)合開發(fā)出了3D XPoint技術(shù),其速度是現(xiàn)有存儲卡和計算機固態(tài)驅(qū)動器所用NAND閃存技術(shù)的1000倍。

英特爾負責非易失性存儲芯片業(yè)務的副總裁羅伯·克魯克(Rob Crooke)在博客中表示,“英特爾與美光的關(guān)系依舊很好。不過英特爾希望擁有額外提供閃存芯片的渠道。”

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