在16nm工藝落后三星之后，臺(tái)積電發(fā)狠大投入實(shí)現(xiàn)跨越式工藝技術(shù)研發(fā)，終于引來優(yōu)質(zhì)客戶回歸，近日據(jù)報(bào)道，該公司總裁兼聯(lián)合CEO劉德音(Mark Liu)在最近的投資者會(huì)議中表示，預(yù)計(jì)今年年末公司就將正式量產(chǎn)10nm晶圓。此外，臺(tái)積電7nm研發(fā)一如預(yù)期，預(yù)計(jì)將在2018年上半年量產(chǎn)，而更為恐怖的5nm制程工藝也有可能于2020年正式誕生!

如果這些計(jì)劃順利，則臺(tái)積電在代工領(lǐng)域?qū)⒁或T絕塵，把三星和英特爾甩在后面，臺(tái)積電表示，相比于現(xiàn)在的16nm FinFET+，10nm FinFET(CLN10FF)工藝能將晶體管密度提高110-120%，同等功耗下頻率提升15%，同等頻率下功耗降低35%，10nm制造的晶片產(chǎn)品速度快20%，可生產(chǎn)出的晶片數(shù)則為16nmFinFET+的2.1倍!據(jù)了解，臺(tái)積電的7nm工藝技術(shù)仍采用FinFET架構(gòu)。關(guān)于FinFET結(jié)構(gòu)，該工藝發(fā)明人胡正明教授說這個(gè)技術(shù)還可以應(yīng)用很多年，并透露有研發(fā)新的技術(shù)，而且7nm高度兼容10nm技術(shù)成果和設(shè)備，90%的10nm設(shè)備可以繼續(xù)用在7nm上。并可以利用10nm學(xué)習(xí)到的制程能力，快速提升良率。加上臺(tái)積電已經(jīng)克服了晶圓級封裝(InFO)各種困難的良率問題，為先進(jìn)手機(jī)晶片提供一個(gè)更薄的制程、更便宜、良好可靠度的技術(shù)解決方案。

臺(tái)積電在工藝技術(shù)上為何能實(shí)現(xiàn)大跨越?據(jù)透露面對三星在先進(jìn)制程技術(shù)上步步進(jìn)逼，臺(tái)積電一改以往研發(fā)單位一個(gè)制程完成，移交給制造部門，再開發(fā)下一個(gè)制程的流程，直接用兩個(gè)團(tuán)隊(duì)平行研發(fā)，同時(shí)開發(fā)10nm與7nm制程，而不是10nm做好后，再進(jìn)行7nm的開發(fā)。這也是臺(tái)積電宣稱，從16nm到10nm要花將近兩年，但是從10nm到7nm預(yù)計(jì)只要花5季!

有了梧桐樹還怕引不來金鳳凰?臺(tái)積電這樣的先進(jìn)工藝自然吸引了芯片巨頭。

芯片巨頭工藝規(guī)劃

高通：

據(jù)報(bào)道，高通曾經(jīng)是臺(tái)積電的大客戶，一年貢獻(xiàn)20%收入。但是由于臺(tái)積電16nm工藝落后于三星，高通拋棄了臺(tái)積電，和三星在14nm和10nm上合作，高通的驍龍820主要就是三星代工。但是三星也別高興太早，近日美國媒體披露，由于臺(tái)積電7nm太領(lǐng)先了，所以高通在7nm上又拋棄了三星，轉(zhuǎn)而采用臺(tái)積電的工藝技術(shù)了，因?yàn)椋_(tái)積電2018年就要量產(chǎn)7nm，而且海思和臺(tái)積電都會(huì)采用7nm工藝技術(shù)!這是高通最撓心的。如果海思和聯(lián)發(fā)科率先量產(chǎn)7nm，則高通必將處于不利地位，因?yàn)楣に嚰夹g(shù)對芯片性能的提升太明顯了。

所以高通未來的工藝路線就是：

三星14nm----三星10nm ----臺(tái)積電7nm。

海思：

縱觀海思芯片的發(fā)展，感覺跟臺(tái)積電就是從一而終的節(jié)奏，從130nm開始到現(xiàn)在的麒麟950的16nm FinFET+，歷經(jīng)90/65/40/28/16這么多代工藝節(jié)點(diǎn)，總是不離不棄緊密合作，簡直就是半導(dǎo)體里好基友的典范，怪不得麒麟950發(fā)布會(huì)，臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)處資深處長尉濟(jì)時(shí)博士親自展臺(tái)并表示臺(tái)積電和華為有深入的合作。

而海思未來的芯片工藝規(guī)劃路線清晰無比肯定就是：

麒麟950 臺(tái)積電16nm------麒麟970

臺(tái)積電10nm----麒麟990臺(tái)積電7nm(型號(hào)是猜測)

肯定不會(huì)用三星的工藝技術(shù)，你懂的。

聯(lián)發(fā)科：

目前聯(lián)發(fā)科最高端的處理器是HelioX20(MT6797)，也是聯(lián)發(fā)科2016年打頭陣旗艦產(chǎn)品，這款處理器我們已經(jīng)比較了解，10核架構(gòu)，采用的是臺(tái)積電20nm工藝，X20的繼任者是 16nm Helio P20，依然是臺(tái)積電的16nm工藝，包括今年還要推出的高端X30也會(huì)是臺(tái)積電的16nm工藝，由于定位的原因，聯(lián)發(fā)科不太愿意嘗試最新的工藝技術(shù)，不知道X30愿不愿意采用10nm工藝，不過其后續(xù)的工藝也會(huì)和臺(tái)積電合作，但是工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)晚于海思。

所以聯(lián)發(fā)科的工藝路線是：

16nm 臺(tái)積電----10nm臺(tái)積電----7nm臺(tái)積電

賽靈思

作為FPGA領(lǐng)域的龍頭，賽靈思獨(dú)特的商業(yè)模式讓它在采用高級工藝方面有的得天獨(dú)厚的優(yōu)勢----不像其他廠商，因?yàn)镕PGA是個(gè)半成品IC，所以它的兩萬家客戶可以均攤芯片的NRE費(fèi)用，到16nm高級工藝以后，ASIC的NRE費(fèi)用動(dòng)輒上千萬啊，萬一芯片有瑕疵，這就是打水漂了，這錢花的多心疼呢。

賽靈思和臺(tái)積電的關(guān)系也堪稱業(yè)界好基友典范，自從28nm以后，賽靈思就一直和臺(tái)積電緊密合作雙方還一起研發(fā)22nm，16nm高級工藝技術(shù)，未來賽靈思的工藝規(guī)劃一定是：

20nm臺(tái)積電---16nm 臺(tái)積電----10nm臺(tái)積電--7nm臺(tái)積電

臺(tái)積電優(yōu)勢

成立于1987年的臺(tái)積電是全球第一家并最大的專業(yè)集成電路制造服務(wù)(晶圓代工)企業(yè)，每年在芯片代工上的投入高達(dá)100億美元，營收超過全球一半的代工應(yīng)收額，臺(tái)積電最牛的地方在于它什么都代工，F(xiàn)PGA、GPU、DSP、傳感器、網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)芯片、電源管理芯片等等都代工，而且?guī)缀跛蠥RM架構(gòu)的服務(wù)器芯片它也代工，這意味著它在未來的異構(gòu)處理器中有很大的優(yōu)勢。

盡管2015全球低迷，臺(tái)積電仍然有6.3%的增長，隨著未來芯片巨頭紛紛回歸到它的旗下，大家應(yīng)該明白臺(tái)積電的前景了吧。