3月12日，歐姆龍集團(tuán)和株式會(huì)社瑞薩科技達(dá)成聯(lián)合開發(fā)電容式觸摸傳感器解決方案*1的協(xié)議。基于此項(xiàng)協(xié)議，瑞薩將把歐姆龍的觸摸傳感器集成到其R8C系列16位微控制器（MCU）產(chǎn)品中，并向各種應(yīng)用領(lǐng)域提供觸摸傳感器產(chǎn)品，其中包括家用電器和移動(dòng)器件等。

觸摸型面板正在日益廣泛地應(yīng)用于各種產(chǎn)品，其中包括家用電器、A/V產(chǎn)品、辦公設(shè)備、游戲機(jī)、手機(jī)和便攜式音樂播放器，觸摸傳感器也引起了下一代人機(jī)界面*2開發(fā)者的極大興趣。歐姆龍在觸摸傳感器技術(shù)方面是世界的領(lǐng)軍廠商，擁有其專利的串聯(lián)電容切割比較系統(tǒng)*3，并應(yīng)用在廣泛的市場領(lǐng)域中。瑞薩則在MCU領(lǐng)域具有世界最高的市場份額。特別是歐姆龍觸摸傳感器技術(shù)將要融入的R8C系列，瑞薩憑借廣泛的封裝選擇和存儲(chǔ)器配置，在消費(fèi)領(lǐng)域的16位MCU中具有最大的市場份額。此聯(lián)合開發(fā)項(xiàng)目旨在實(shí)現(xiàn)在全球市場推廣使用歐姆龍這一世界級(jí)的觸摸傳感器解決方案，并在觸摸傳感器市場上建立瑞薩MCU產(chǎn)品的主導(dǎo)地位。

瑞薩科技公司董事兼MCU事業(yè)部執(zhí)行總經(jīng)理赤尾泰（Yasushi Akao）先生表示：“通過將瑞薩的兩大強(qiáng)項(xiàng)，即我們的MCU和模擬外設(shè)電路技術(shù)，與歐姆龍集團(tuán)的電容性觸摸傳感器技術(shù)相融合，我們有能力為客戶提供具有高可靠性和高性價(jià)比的觸摸傳感器。我堅(jiān)信，我們的低功耗解決方案必將提高我們產(chǎn)品在廣泛的新應(yīng)用領(lǐng)域的可用性，并且通過實(shí)現(xiàn)采用獨(dú)特設(shè)計(jì)的新產(chǎn)品的研發(fā)為市場注入新的活力。

歐姆龍集團(tuán)高級(jí)管理專員兼電子元器件事業(yè)分公司總裁湯川莊一（Soichi Yukawa）先生說：“近年來，觸摸傳感器已被作為眾多電子產(chǎn)品的輸入方法，但在設(shè)計(jì)靈活性和便利性方面還存在問題。我深信，此次聯(lián)合開發(fā)項(xiàng)目推出的產(chǎn)品將會(huì)實(shí)現(xiàn)更高的‘用戶友好性’，并且會(huì)讓觸摸界面被廣泛使用。”

通過以傳感檢測(cè)電路器件的形式，創(chuàng)建一個(gè)經(jīng)驗(yàn)證的歐姆龍觸摸傳感器技術(shù)的硬件版本，并將其作為一個(gè)單獨(dú)芯片解決方案集成到瑞薩的R8C系列MCU產(chǎn)品中，客戶可以享受到如下優(yōu)勢(shì)：

(1)增強(qiáng)的系統(tǒng)性能

將實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制的MCU和觸摸檢測(cè)電路器件集成到一個(gè)單獨(dú)的芯片中，實(shí)現(xiàn)該功能不需要外部額外器件同時(shí)增加了噪音容限。從而可以提高觸摸傳感器的敏感度并可進(jìn)行更精確的觸摸檢測(cè)。

(2)降低的系統(tǒng)功耗

單獨(dú)集成芯片有助于降低功耗。即使在低功耗模式中，低頻率（4 MHz/5 MHz）操作同樣支持觸摸檢測(cè)。從而顯著擴(kuò)展了電池供電產(chǎn)品中的電池壽命，如游戲機(jī)，PC和手機(jī)。

(3)小型化尺寸，降低了總成本

單獨(dú)集成芯片不再需要大量的諸如電阻電容的外部器件，可以使客戶采用一個(gè)更小型的印刷線路板。整個(gè)系統(tǒng)可以構(gòu)建在MCU和一些電容器及電阻器件上，減少了器件的總數(shù)量，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了更低的總成本并增強(qiáng)了穩(wěn)定性。


注釋：

1. 電容觸摸傳感器：一種基于累積電荷來檢測(cè)開/關(guān)狀態(tài)的傳感器。（電容值表示累積電荷的總量）。

2. 人機(jī)界面： 一種用于在人與機(jī)器間傳遞信息的系統(tǒng)，使用戶可以利用與機(jī)算機(jī)的互動(dòng)來執(zhí)行任務(wù)或工作。

3. 串聯(lián)電容切割比較系統(tǒng)：與傳感器電極串聯(lián)的電容器電容的變化總量被轉(zhuǎn)化成電壓，面板的觸摸/非觸摸狀態(tài)通過測(cè)量放電持續(xù)時(shí)間來決定。采用這一系統(tǒng)的觸模傳感器可提供快速響應(yīng)和高水平的噪聲容限。