相變內(nèi)存(PhaseChangeMemory，PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一，針對此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠商專利現(xiàn)況，工研院IEK-ITIS計(jì)劃發(fā)表最新研究報(bào)告指出，臺灣地區(qū)已有不少廠商投入該技術(shù)的研發(fā)，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領(lǐng)域發(fā)展機(jī)會較大。

工研院IEK-ITIS計(jì)劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體工藝技術(shù)，相變化材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤片為主；直到2000年后，相變化材料制作的相變內(nèi)存無論是在專利布局、芯片試產(chǎn)及學(xué)術(shù)論文上開始有優(yōu)異的表現(xiàn)。

其中一家PCM廠商Ovonyx于1999年成立，將其PCM發(fā)展策略設(shè)定在智財(cái)(IntellectualProperty，IP)商業(yè)模式，提供技術(shù)以推動PCM進(jìn)入內(nèi)存市場。陳俊儒指出，目前Ovonyx擁有的他國專利申請數(shù)量是全球最多，美國專利數(shù)第二(僅次于Micron)，還獲得Intel的投資，以及授權(quán)給ST、Elpida、Samsung及Qimonda等半導(dǎo)體大廠。

投資Ovonyx的廠商Intel還準(zhǔn)備推出128MbPCM樣品，并計(jì)劃在2007年下半年采用90納米技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)。陳俊儒表示，這種稱為Alverstone的產(chǎn)品是Intel的首款PCM產(chǎn)品，是與NORFlash兼容的替代產(chǎn)品。Intel技術(shù)長JustinRattner并曾指出，Intel的理想目標(biāo)是讓128MbPCM成為NORFlash閃存的替代品，而該公司將持續(xù)最佳化PCM的量產(chǎn)工藝。

Ovonyx的授權(quán)廠商Samsung也將開始供應(yīng)PCM的評估測試樣品，該公司目前向多家大型手機(jī)廠商提供的是256Mb和512Mb的90nm產(chǎn)品。為了準(zhǔn)備2008年上半年的量產(chǎn)，該公司還計(jì)劃在2007年第2季和2007年年底，分別開始供應(yīng)工程樣品和商用樣品。

陳俊儒表示，Samsung是從2006年下半年開始量產(chǎn)90nm工藝NORFlash，落后于同期開始量產(chǎn)65nm產(chǎn)品的Intel。為此，Samsung希望以替代NORFlash為目的，盡早創(chuàng)造出PCM被采用的實(shí)際業(yè)績，以便在與其它公司的競爭中占據(jù)領(lǐng)先地位。

根據(jù)ITRS預(yù)測，PCM的CellSize于2011年將小于NORFlash，未來可望大規(guī)模取代NORFlash市場(營收約72億美元)，未來市場潛力較FeRAM和MRAM大。陳俊儒表示，目前先進(jìn)廠商投入PCM的研發(fā)較晚，臺灣地區(qū)廠商投入PCM研發(fā)者，相較于FeRAM與MRAM反而來的多，多屬于DRAM揮發(fā)性內(nèi)存廠商。

因此陳俊儒認(rèn)為，臺灣地區(qū)廠商若是未來計(jì)劃大規(guī)模切入非揮發(fā)性內(nèi)存市場，相較于FeRAM與MRAM，投入PCM研發(fā)是比較有機(jī)會的。