中新網(wǎng)9月5日電朗科公司日前發(fā)布了其最新技術(shù)研究成果--"優(yōu)芯II號(hào)"，與此同時(shí)，隨著讀寫速度與存儲(chǔ)安全性的雙雙提升，閃存盤主流市場(chǎng)在512M以上容量的突破方面所遭遇的速度與安全性瓶頸也將不復(fù)存在。這也預(yù)示著閃存盤行業(yè)將從此步入以G為單位的新時(shí)代。

據(jù)悉，該控制芯片將閃存盤的讀寫速度從USB1.1標(biāo)準(zhǔn)下的理論速度1.2MB/S、1MB/S提高到了20MB/S、16MB/S以上，顯著提高了20倍；同時(shí)，考慮到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的安全性，它還采用了朗科獨(dú)創(chuàng)的超穩(wěn)定技術(shù)與加密技術(shù)，前者通過固化在閃存盤控制芯片中的數(shù)據(jù)智能備份與恢復(fù)軟件，有效避免了閃存盤正在進(jìn)行數(shù)據(jù)寫操作時(shí)被非法拔插或突然掉電后，有可能造成閃存盤內(nèi)已存數(shù)據(jù)丟失、甚至損壞閃存盤的弊病，該技術(shù)將閃存盤的存儲(chǔ)安全性提高到了前所未有的高度。

自1999年朗科公司研發(fā)出世界第一款閃存盤以來，閃存盤市場(chǎng)僅用了三年時(shí)間就走完了8M、16M、32M、64M、128M共五個(gè)發(fā)展階段。但進(jìn)入2003年以后，閃存盤市場(chǎng)主流容量就一直徘徊于128M與256M之間，至今市場(chǎng)主流容量也未能突破512M。造成這一現(xiàn)象的主要原因有兩個(gè)，一是讀寫速度，另外一個(gè)是存儲(chǔ)的安全性。

據(jù)了解，目前市場(chǎng)上使用的閃存盤90%是基于USB1.1標(biāo)準(zhǔn)，其實(shí)際數(shù)據(jù)傳輸速度只有500KB/S~1MB/S左右，少數(shù)采用USB2.0標(biāo)準(zhǔn)的閃存盤的讀寫速度也不超過10MB/S。這意味著要存儲(chǔ)1G容量的文件，通常需要花費(fèi)半小時(shí)甚至更長(zhǎng)的時(shí)間。

與此同時(shí)，隨著容量的大幅度提升，用戶對(duì)數(shù)據(jù)安全性也提出了新的要求。以往不少閃存盤正在進(jìn)行數(shù)據(jù)寫操作時(shí)，被非法拔插或突然掉電后，有可能造成閃存盤內(nèi)已存數(shù)據(jù)丟失、甚至損壞閃存盤。對(duì)于小文件傳輸，這一點(diǎn)似乎不足為患，因?yàn)樾∥募ǔ：苋菀讉浞荩陂W存盤步入G時(shí)代之后，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)資料比以往成倍增加，備份的麻煩顯而易見，這也成了閃存盤步入G時(shí)代的另一個(gè)障礙。