TriQuint：4G將給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來極大的市場(chǎng)
時(shí)間：2014-04-11 15:17:22
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TRIQUINT
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
4G
RFMD
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[導(dǎo)讀]2014年是4G牌照發(fā)放元年，但據(jù)業(yè)內(nèi)人士指出4G的發(fā)展將不似3G時(shí)代那樣漸進(jìn)式的發(fā)展，而將是爆發(fā)式的發(fā)展。無論是4G網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)、4G手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈都將在這個(gè)爆發(fā)式的發(fā)展中受益。中國(guó)的4G發(fā)展吸引了國(guó)內(nèi)外的相關(guān)廠商的高
2014年是4G牌照發(fā)放元年，但據(jù)業(yè)內(nèi)人士指出4G的發(fā)展將不似3G時(shí)代那樣漸進(jìn)式的發(fā)展，而將是爆發(fā)式的發(fā)展。無論是4G網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)、4G手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈都將在這個(gè)爆發(fā)式的發(fā)展中受益。
中國(guó)的4G發(fā)展吸引了國(guó)內(nèi)外的相關(guān)廠商的高度關(guān)注，在剛過去的2014慕尼黑上海電子展期間，OFweek電子工程網(wǎng)編輯采訪了TriQuint中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺先生。他在談話中通報(bào)了TriQuint與RFMD的合并相關(guān)事宜，并且談到了4G的發(fā)展所帶來的機(jī)遇及需要解決的問題。
TriQuint展廳
TriQuint中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺
TriQuint與RFMD的合并事宜
北京時(shí)間2月24日，TriQuint和RFMicroDevices（RFMD）宣布，兩家公司已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，將合并成為一家新的公司，合并后的新公司將提供一系列的移動(dòng)相關(guān)產(chǎn)品和服務(wù)，并將為網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防/航空行業(yè)提供服務(wù)。
熊總特別提到了此次合并的細(xì)節(jié)，內(nèi)容如下：
1）雙方股東各持有新公司50%的股份，所以此次結(jié)合在資金上是完全平等的合并。新公司的董事會(huì)將從兩家公司的現(xiàn)有董事會(huì)成員中各挑選5名擔(dān)任，其中8人是獨(dú)立董事。
2）新公司的領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)也將會(huì)盡量的保持平衡。例如，RFMD的CEOBobBruggeworth將擔(dān)任新公司的CEO，TriQuint的原CEORalphQuinsey將擔(dān)任新公司的非執(zhí)行董事長(zhǎng)...
3）新公司將會(huì)分別在TriQuint和RFMD的現(xiàn)本部地址所在設(shè)立兩個(gè)總部，形成雙總部結(jié)構(gòu)；
4）對(duì)于本次公司合并所起到的市場(chǎng)效應(yīng)，熊總表示："我認(rèn)為本次TriQuint與RFMD的合并是一次相互增強(qiáng)型的市場(chǎng)動(dòng)作。"
他解釋道，射頻技術(shù)主要可以分為：放大、濾波和開關(guān)三大塊。TriQuint和RFMD在放大器方面都是做的比較好的，但是RFMD側(cè)重2G/3G，TriQuint則著重于3G/4G。TriQuint的濾波器技術(shù)主要是SAW和BAW，而RFMD缺少這項(xiàng)技術(shù)，所以在這這方面是一個(gè)完全的互補(bǔ)。在開關(guān)方面，RFMD的主流技術(shù)是SOI，TriQuint的技術(shù)是砷化鎵，但他認(rèn)為未來SOI將是主流，因此RFMD又填補(bǔ)了TriQuint在此技術(shù)上的一些缺失。
目前，兩家公司在等美國(guó)證券交易委員會(huì)批準(zhǔn)，之后將開始進(jìn)行整合工作。
4G將帶來極大的市場(chǎng)
3G系統(tǒng)在中國(guó)的發(fā)展尚不完整，但4G的發(fā)展卻極為迅速，并且已經(jīng)被大量的應(yīng)用。熊總表示，"在TriQuint看來，4G是才是移動(dòng)互聯(lián)真正的開端。"
現(xiàn)在業(yè)界對(duì)中國(guó)基站的數(shù)量說法不一；但總體來說，中國(guó)三大運(yùn)營(yíng)商每個(gè)都有10萬個(gè)基站左右的計(jì)劃。從這個(gè)角度講，未來3年全球?qū)⒂谐^一半的基站在中國(guó)產(chǎn)生，這對(duì)中國(guó)的設(shè)備廠商而言將會(huì)帶來一個(gè)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)非常迅速的時(shí)期。
熊總表示"中國(guó)國(guó)內(nèi)的基站相關(guān)業(yè)務(wù)，從2013年二季度開始就呈現(xiàn)出一個(gè)迅猛增長(zhǎng)的趨勢(shì)，而且在未來半年仍將持續(xù)。"跟通信有關(guān)的中國(guó)設(shè)備廠商將在2~3年內(nèi)迎來一個(gè)巨大的發(fā)展機(jī)遇，尤其是骨干網(wǎng)、4G網(wǎng)絡(luò)方面。
3年前，中國(guó)骨干網(wǎng)對(duì)光通訊是從10G到40G演化，從去年開始從40G向100G演進(jìn)，由于光通訊是高頻芯片做的驅(qū)動(dòng)，這些都是砷化鎵做的，而下一步將是推進(jìn)氮化鎵基站的發(fā)展。
對(duì)于氮化鎵產(chǎn)品，TriQuint經(jīng)更新了2~3代產(chǎn)品，目前支持氮化鎵產(chǎn)品的公司包括飛思卡爾等。氮化鎵技術(shù)可能是未來3年市場(chǎng)的主要發(fā)展方向，其產(chǎn)品最大的特點(diǎn)是高效率、省電、散熱好；另外一個(gè)顯著特點(diǎn)是可維持高頻帶寬，能更好地進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。
"但氮化鎵最大的難題在于成本問題。"熊總表示，"現(xiàn)在氮化鎵的原材料主要是以氮化硅為襯底，包括大尺寸（4寸）、生產(chǎn)線在內(nèi)等都在制約著氮化鎵的成本。"除此之外，還要解決生產(chǎn)產(chǎn)品性能方面的問題，最后就是襯底材料，由于氮化硅比較復(fù)雜，所以廠商在選擇時(shí)就顯得尤為重要。
同時(shí)，熊總談到信號(hào)的分層覆蓋模式。利用小基站在城市的樓宇之間進(jìn)行數(shù)據(jù)盲點(diǎn)的覆蓋和流量的增強(qiáng)，也將會(huì)在骨干網(wǎng)絡(luò)的鋪設(shè)基本完成后形成一個(gè)新的市場(chǎng)方向。
在采訪的最后，熊總表示，"TriQuint有一個(gè)愿景，就是在未來5年左右的時(shí)間里將氮化鎵工藝的產(chǎn)品應(yīng)用到手機(jī)中。"這將會(huì)使4G產(chǎn)業(yè)鏈形成一個(gè)較為高效且完整的生態(tài)系統(tǒng)。
【知識(shí)點(diǎn)】
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。
它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。
中國(guó)的4G發(fā)展吸引了國(guó)內(nèi)外的相關(guān)廠商的高度關(guān)注，在剛過去的2014慕尼黑上海電子展期間，OFweek電子工程網(wǎng)編輯采訪了TriQuint中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺先生。他在談話中通報(bào)了TriQuint與RFMD的合并相關(guān)事宜，并且談到了4G的發(fā)展所帶來的機(jī)遇及需要解決的問題。
TriQuint展廳
TriQuint中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺
TriQuint與RFMD的合并事宜
北京時(shí)間2月24日，TriQuint和RFMicroDevices（RFMD）宣布，兩家公司已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，將合并成為一家新的公司，合并后的新公司將提供一系列的移動(dòng)相關(guān)產(chǎn)品和服務(wù)，并將為網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防/航空行業(yè)提供服務(wù)。
熊總特別提到了此次合并的細(xì)節(jié)，內(nèi)容如下：
1）雙方股東各持有新公司50%的股份，所以此次結(jié)合在資金上是完全平等的合并。新公司的董事會(huì)將從兩家公司的現(xiàn)有董事會(huì)成員中各挑選5名擔(dān)任，其中8人是獨(dú)立董事。
2）新公司的領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)也將會(huì)盡量的保持平衡。例如，RFMD的CEOBobBruggeworth將擔(dān)任新公司的CEO，TriQuint的原CEORalphQuinsey將擔(dān)任新公司的非執(zhí)行董事長(zhǎng)...
3）新公司將會(huì)分別在TriQuint和RFMD的現(xiàn)本部地址所在設(shè)立兩個(gè)總部，形成雙總部結(jié)構(gòu)；
4）對(duì)于本次公司合并所起到的市場(chǎng)效應(yīng)，熊總表示："我認(rèn)為本次TriQuint與RFMD的合并是一次相互增強(qiáng)型的市場(chǎng)動(dòng)作。"
他解釋道，射頻技術(shù)主要可以分為：放大、濾波和開關(guān)三大塊。TriQuint和RFMD在放大器方面都是做的比較好的，但是RFMD側(cè)重2G/3G，TriQuint則著重于3G/4G。TriQuint的濾波器技術(shù)主要是SAW和BAW，而RFMD缺少這項(xiàng)技術(shù)，所以在這這方面是一個(gè)完全的互補(bǔ)。在開關(guān)方面，RFMD的主流技術(shù)是SOI，TriQuint的技術(shù)是砷化鎵，但他認(rèn)為未來SOI將是主流，因此RFMD又填補(bǔ)了TriQuint在此技術(shù)上的一些缺失。
目前，兩家公司在等美國(guó)證券交易委員會(huì)批準(zhǔn)，之后將開始進(jìn)行整合工作。
4G將帶來極大的市場(chǎng)
3G系統(tǒng)在中國(guó)的發(fā)展尚不完整，但4G的發(fā)展卻極為迅速，并且已經(jīng)被大量的應(yīng)用。熊總表示，"在TriQuint看來，4G是才是移動(dòng)互聯(lián)真正的開端。"
現(xiàn)在業(yè)界對(duì)中國(guó)基站的數(shù)量說法不一；但總體來說，中國(guó)三大運(yùn)營(yíng)商每個(gè)都有10萬個(gè)基站左右的計(jì)劃。從這個(gè)角度講，未來3年全球?qū)⒂谐^一半的基站在中國(guó)產(chǎn)生，這對(duì)中國(guó)的設(shè)備廠商而言將會(huì)帶來一個(gè)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)非常迅速的時(shí)期。
熊總表示"中國(guó)國(guó)內(nèi)的基站相關(guān)業(yè)務(wù)，從2013年二季度開始就呈現(xiàn)出一個(gè)迅猛增長(zhǎng)的趨勢(shì)，而且在未來半年仍將持續(xù)。"跟通信有關(guān)的中國(guó)設(shè)備廠商將在2~3年內(nèi)迎來一個(gè)巨大的發(fā)展機(jī)遇，尤其是骨干網(wǎng)、4G網(wǎng)絡(luò)方面。
3年前，中國(guó)骨干網(wǎng)對(duì)光通訊是從10G到40G演化，從去年開始從40G向100G演進(jìn)，由于光通訊是高頻芯片做的驅(qū)動(dòng)，這些都是砷化鎵做的，而下一步將是推進(jìn)氮化鎵基站的發(fā)展。
對(duì)于氮化鎵產(chǎn)品，TriQuint經(jīng)更新了2~3代產(chǎn)品，目前支持氮化鎵產(chǎn)品的公司包括飛思卡爾等。氮化鎵技術(shù)可能是未來3年市場(chǎng)的主要發(fā)展方向，其產(chǎn)品最大的特點(diǎn)是高效率、省電、散熱好；另外一個(gè)顯著特點(diǎn)是可維持高頻帶寬，能更好地進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。
"但氮化鎵最大的難題在于成本問題。"熊總表示，"現(xiàn)在氮化鎵的原材料主要是以氮化硅為襯底，包括大尺寸（4寸）、生產(chǎn)線在內(nèi)等都在制約著氮化鎵的成本。"除此之外，還要解決生產(chǎn)產(chǎn)品性能方面的問題，最后就是襯底材料，由于氮化硅比較復(fù)雜，所以廠商在選擇時(shí)就顯得尤為重要。
同時(shí)，熊總談到信號(hào)的分層覆蓋模式。利用小基站在城市的樓宇之間進(jìn)行數(shù)據(jù)盲點(diǎn)的覆蓋和流量的增強(qiáng)，也將會(huì)在骨干網(wǎng)絡(luò)的鋪設(shè)基本完成后形成一個(gè)新的市場(chǎng)方向。
在采訪的最后，熊總表示，"TriQuint有一個(gè)愿景，就是在未來5年左右的時(shí)間里將氮化鎵工藝的產(chǎn)品應(yīng)用到手機(jī)中。"這將會(huì)使4G產(chǎn)業(yè)鏈形成一個(gè)較為高效且完整的生態(tài)系統(tǒng)。
【知識(shí)點(diǎn)】
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。
它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。
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