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[導(dǎo)讀]2014年IC行情:半導(dǎo)體大廠走勢窺探! 轉(zhuǎn)眼間,一年又過去了,我們踏入一個新的年份,在半導(dǎo)體行業(yè)里,過去的一年依然是風(fēng)起云涌,暗戰(zhàn)不斷。不但在產(chǎn)品性能上進(jìn)行提升,同時在營銷方面也各施其法。而同時由于市場

2014年IC行情:半導(dǎo)體大廠走勢窺探!

轉(zhuǎn)眼間,一年又過去了,我們踏入一個新的年份,在半導(dǎo)體行業(yè)里,過去的一年依然是風(fēng)起云涌,暗戰(zhàn)不斷。不但在產(chǎn)品性能上進(jìn)行提升,同時在營銷方面也各施其法。而同時由于市場終端產(chǎn)品的影響,各種產(chǎn)品的供需都出現(xiàn)了不同的現(xiàn)象,下面我們來看全球知名半導(dǎo)體原廠在2013年的表現(xiàn),并從中窺探2014的走勢:

1、NXP

NXP的邏輯器件以及二三極管,整體來說市場占比還是不錯。今年10月開始,nxp的邏輯以及一些二三極管,普遍上調(diào)價格10%~20%不等,對于這些信息月用量在以幾K或者幾十K計的終端工廠,大多都沒察覺,畢竟這物料在BOM中的占比太少,但是到了年底感覺會大一些:在做COSTDOWN的時候發(fā)現(xiàn)供應(yīng)商不會再下調(diào)。

NXP,BAT開頭系列的物料,大部分今年將停產(chǎn)。像BAT54S、BAT54W、BAT54C這些最通用的物料也將成為停產(chǎn)的對象。言語間不少NXP代理,14年都準(zhǔn)備放棄該產(chǎn)品線,如東棉等。

2、MICROCHIP

2010年11月,Microchip收購SST不出貨,造成市場缺貨,F(xiàn)LASHSST39系列現(xiàn)貨市場翻3~4倍,SST25系列也是2~3倍的狂漲,MCU相繼也是大幅度的漲價(可參考國際電子商情相關(guān)報道)。曾經(jīng)的寵兒,現(xiàn)在成為microchip首當(dāng)其沖的整治對象,13年渠道商信息透露,microchip已經(jīng)準(zhǔn)備放棄SST產(chǎn)線,并且8位的中低端單片機(jī)如PIC18FXXXX等也在找買家準(zhǔn)備出售。

3、TI德州儀器

13年爆發(fā)的TIDSPC2000系列缺貨潮,如果有涉及到的朋友們應(yīng)該還記憶猶新。原因來源于TI13年初關(guān)閉了部分T0220F,T03P,T0247封裝廠,導(dǎo)致產(chǎn)能不足。用于大型家電或工業(yè)設(shè)備變頻的TMS32F2808PZA漲幅最明顯,從當(dāng)時的50~52的市場價漲至100左右。用于類似變頻空調(diào)中的TMS320LF2406APAZ,價格也是一片看漲。在這兩個型號的帶動下,整個C2000系列漲聲一片,如28035、28335、2807、2812市場詢價漫天。C2000系列,一直作為TIDSP的開山元老,特別是一些如2406、2407、2808、2810、2812等成本高,漸漸已經(jīng)被新一代的TMS320F28034PNT/TMS320F28035/TMS320F28335PGFA等型號代替,13年年初就已經(jīng)在EOL的名單上。TI的ARM經(jīng)典型號LM3S9B92-IQC80-C5/LM3S9B90-IQC80-C5等一直也在EOL的名單上,官網(wǎng)已經(jīng)單獨備注上“NRND:不建議用于新設(shè)計”。

4、samsung三星

samsung擴(kuò)大NAND型Flash市場主控權(quán),DRAM模塊制造商指出,當(dāng)前全球NAND型Flash缺貨態(tài)勢已相當(dāng)確立,多數(shù)NAND型Flash供貨商均指出這波缺貨潮將有機(jī)會持續(xù)到2004年上半,應(yīng)不是太大問題,所有的消費(fèi)性產(chǎn)品及其外圍設(shè)備對于NAND型Flash需求量是只增未減,也因此使得全球第一大NAND型Flash供貨商三星為能持續(xù)保有市場占率,以及可于未來幾個月賺取到別人所望塵莫及利潤,第一階段已將其晶圓廠生產(chǎn)線,大幅度由DRAM轉(zhuǎn)做生產(chǎn)NAND型Flash。

據(jù)了解,目前三星除了持續(xù)擴(kuò)增原先采用8寸廠生產(chǎn)NAND型Flash,另一方面則持續(xù)將其12寸的產(chǎn)能轉(zhuǎn)做NAND型Flash,估計到2003年底前三星12寸廠旗下約有2.5萬片產(chǎn)能,當(dāng)中便會有高達(dá)50%產(chǎn)能將用于生產(chǎn)NAND型Flash,且將會開始采用0.11微米制程技術(shù)生產(chǎn)高容量Flash商品,而三星這樣隨時彈性調(diào)整其晶圓廠產(chǎn)能,將會是其未來于全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)中最大競爭優(yōu)勢。

此外,三星為進(jìn)一步達(dá)到其永久保持其NAND型Flash與競爭對手差距,更開始將其研發(fā)策略做出重大改變。停掉1Gb以下NANDFlash官網(wǎng)K9F5608UOX/K9F1208UOX/K9F1G08UOX系列顯示已EOL,三星過去之所以得以于全球DRAM產(chǎn)業(yè)中,不斷維持其霸主地位,原因便在于不斷采用最新制程技術(shù)生產(chǎn)DRAM顆粒,如今同樣為持續(xù)保有過去DRAM產(chǎn)業(yè)光榮傳統(tǒng),三星已確定將接下來所謂奈米級的0.09以及0.07微米制程技術(shù),全數(shù)改由NAND型Flash產(chǎn)品優(yōu)先使用,以利三星持續(xù)享有最佳獲利空間。

DRAM市場人士認(rèn)為,由于接下來市場對于NAND型Flash容量要求是愈來愈高,因此對于最先進(jìn)制程技術(shù)需求更是迫在眉睫,三星此次將旗下2大內(nèi)存產(chǎn)品采用最新制程順位對調(diào),絕對有其必要性存在,否則待其余半導(dǎo)體廠陸續(xù)加入后,三星如未能及時采用最新制程技術(shù),來保有制造成本優(yōu)勢,恐將淪落與其余競爭對手僅是靠殺價來維持占有率的競爭局面。[1][2][3][4][5]下一頁
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