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[導(dǎo)讀]傳聞:上海萊士(26.96,0.00,0.00%)(002252,前收盤(pán)價(jià)26.96元)奉賢新工廠(chǎng)的GMP認(rèn)證即將通過(guò),新產(chǎn)能將開(kāi)始釋放。求證:日前,《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者以投資者身份致電上市公司,公司證券部一位工作人員向記者表示,目

傳聞:上海萊士(26.96,0.00,0.00%)(002252,前收盤(pán)價(jià)26.96元)奉賢新工廠(chǎng)的GMP認(rèn)證即將通過(guò),新產(chǎn)能將開(kāi)始釋放。

求證:日前,《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者以投資者身份致電上市公司,公司證券部一位工作人員向記者表示,目前公司新廠(chǎng)區(qū)的GMP認(rèn)證處于國(guó)家食品藥品監(jiān)督管理局的公示階段,公示期為10個(gè)工作日。如果能順利通過(guò)公示,公司將獲得GMP證書(shū),新廠(chǎng)區(qū)也就可以開(kāi)始生產(chǎn)了。記者通過(guò)查閱國(guó)家食藥監(jiān)局中心資料,證實(shí)了此消息。

根據(jù)此前的公告,受臺(tái)風(fēng)“菲特”影響,公司位于閔行經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)的老廠(chǎng)區(qū)遭受水災(zāi)無(wú)法進(jìn)行生產(chǎn),預(yù)計(jì)全面停工將長(zhǎng)達(dá)一個(gè)半月,因此奉賢新廠(chǎng)區(qū)能否及時(shí)開(kāi)工對(duì)公司尤為重要。2009年4月,公司公告決定對(duì)募集資金投資項(xiàng)目的實(shí)施方式和實(shí)施地點(diǎn)進(jìn)行調(diào)整,即通過(guò)在奉賢自購(gòu)地塊建設(shè)新廠(chǎng)區(qū)進(jìn)行投資擴(kuò)產(chǎn)。

中國(guó)北車(chē)(5.55,0.21,3.93%)IGBT產(chǎn)品有望年底試用

每經(jīng)記者王海慜

傳聞:中國(guó)北車(chē)(601299,收盤(pán)價(jià)5.55元)受市場(chǎng)關(guān)注的IGBT項(xiàng)目進(jìn)展順利,有望在明年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。

求證:IGBT是世界上增長(zhǎng)最快的功率半導(dǎo)體器件,被廣泛應(yīng)用在高鐵、風(fēng)電、智能電網(wǎng)、工控等領(lǐng)域。據(jù)公司介紹,IGBT是動(dòng)車(chē)、機(jī)車(chē)牽引傳動(dòng)系統(tǒng)是的核心部件,類(lèi)似CPU之于PC的作用。

目前,國(guó)內(nèi)高壓IGBT市場(chǎng)被歐洲、日本少數(shù)幾家公司壟斷,對(duì)進(jìn)口的依賴(lài)性很大。

中國(guó)北車(chē)的高壓IGBT項(xiàng)目為完全自主研發(fā),擁有從芯片設(shè)計(jì)到模塊封裝到系統(tǒng)應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈,產(chǎn)品達(dá)產(chǎn)后有望打破國(guó)外公司的壟斷。

11月1日(上周五),《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者赴中國(guó)北車(chē)在浦東金橋(11.24,-0.12,-1.06%)舉行的機(jī)構(gòu)投資者交流會(huì)進(jìn)行采訪(fǎng),據(jù)公司負(fù)責(zé)IGBT項(xiàng)目的鄒世昌院士介紹,目前公司正加快高壓IGBT的產(chǎn)品化進(jìn)程。今年9月,公司IGBT/FRD芯片3300V/1200A模塊通過(guò)了中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)的科技成果鑒定。其IGBT/FRD芯片及IGBT模塊的靜動(dòng)態(tài)特性與國(guó)際知名企業(yè)相當(dāng)。

公司方面表示,計(jì)劃最快今年年底前將IGBT產(chǎn)品投入機(jī)車(chē)試用。預(yù)計(jì)2014年通過(guò)應(yīng)用運(yùn)行考核,實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn),力爭(zhēng)在2015年達(dá)到IGBT的產(chǎn)品化。據(jù)公司介紹,到2020年國(guó)內(nèi)用IGBT市場(chǎng)規(guī)模將接近100億元。

目前,中國(guó)北車(chē)是國(guó)內(nèi)第一個(gè)能封裝6500VIGBT模塊的企業(yè),不過(guò)與發(fā)展較快的封裝相比,在IGBT芯片領(lǐng)域的發(fā)展相對(duì)滯后。

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