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[導(dǎo)讀]2.5D矽中介層(Interposer)晶圓制造成本可望降低。半導(dǎo)體業(yè)界已研發(fā)出標(biāo)準(zhǔn)化的制程、設(shè)備及新型黏著劑,可確保矽中介層晶圓在薄化過(guò)程中不會(huì)發(fā)生厚度不一致或斷裂現(xiàn)象,并能順利從載具上剝離,有助提高整體生產(chǎn)良率,


2.5D矽中介層(Interposer)晶圓制造成本可望降低。半導(dǎo)體業(yè)界已研發(fā)出標(biāo)準(zhǔn)化的制程、設(shè)備及新型黏著劑,可確保矽中介層晶圓在薄化過(guò)程中不會(huì)發(fā)生厚度不一致或斷裂現(xiàn)象,并能順利從載具上剝離,有助提高整體生產(chǎn)良率,減少成本浪費(fèi)。

2.5D矽中介層(Interposer)是一項(xiàng)全新的互連技術(shù),可為不同應(yīng)用提供諸多技術(shù)優(yōu)勢(shì)?,F(xiàn)階段,現(xiàn)場(chǎng)可編程閘陣列(FPGA)已為先進(jìn)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)矽中介層發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力,但實(shí)際上,矽中介層早已用于發(fā)光二極體(LED)和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等眾多應(yīng)用領(lǐng)域。

多步驟晶圓制程助力矽中介層成本調(diào)降有譜

就2.5D矽中介層的優(yōu)點(diǎn)而言,其中一項(xiàng)最吸引人的是晶粒分割(DiePartitioning)技術(shù)。有別于系統(tǒng)單晶片(SoC)將邏輯、記憶體或射頻(RF)等不同的系統(tǒng)功能整合在單一元件的作法,矽中介層則采用模組化的方式,將不同的功能放在不同的晶粒上。由于銅制程的微凸塊(MicroBump)和重分布層(RedistributionLayer)的關(guān)系,晶片與晶片之間透過(guò)矽中介層的互連,其電性特征與晶片內(nèi)互連的特征非常相似,此可大幅降低功耗和提高頻寬。

不過(guò),除了所有技術(shù)優(yōu)勢(shì)外,最重要的仍是成本因素。若要延伸矽中介層技術(shù)的使用性,關(guān)鍵前提是大幅降低成本。以下有幾個(gè)可降低矽中介層成本的方法。

第一種方法是用多晶矽(PolycrystallineSilicon)或玻璃取代單晶矽晶圓(CrystalSiliconWafer),可降低基板的成本;另一種方法是藉由加大基板的尺寸來(lái)降低成本。18寸晶圓和矩形面板都是有可能降低成本的方法,然而,兩種方法都會(huì)產(chǎn)生巨大的改變,且需要截然不同的制程產(chǎn)業(yè)體系。不過(guò),其中一個(gè)可運(yùn)用在現(xiàn)有晶圓制程體系最被看好的方法,是在晶圓級(jí)制程中產(chǎn)生更多制程步驟。

目前,一般的制程架構(gòu)是先產(chǎn)出矽中介層晶片,然后將晶粒分別堆疊在中矽中介層上;在中介層上的晶片堆疊技術(shù)是晶片級(jí)整合的最后一個(gè)制程步驟。雖然這種已知良品晶片(KnownGoodDie)的制程極被看好,但也會(huì)產(chǎn)生很多制程問(wèn)題。

首先,這樣大尺寸且很薄的矽中介層晶粒,它的弓形度(Bow)及撓曲度(Warp)就是一個(gè)很大的問(wèn)題,不僅在晶粒處理時(shí)有難度,且對(duì)準(zhǔn)和熱壓接合(Thermo-compressionBonding)也會(huì)相當(dāng)困難。此外,后續(xù)的晶粒接合過(guò)程亦非常緩慢,因此也會(huì)產(chǎn)生昂貴的成本。一種較為明智的作法是用晶粒-晶圓級(jí)(C2W)整合的方式進(jìn)行晶粒堆疊,這可加速制程周期;另一方面也可在晶片堆疊(如產(chǎn)生均溫板或散熱片)后進(jìn)行晶圓級(jí)制程。

基于尺寸大小和成本因素的考慮,矽中介層晶圓的厚度要非常薄。目前,一般的厚度是100微米(μm),已可符合大小的考慮。然而,矽穿孔(TSV)制程是一種可降低成本的主要作法;制作一個(gè)10微米×50微米TSV的成本會(huì)比制作一個(gè)10微米×100微米TSV低很多。

晶圓薄化可透過(guò)將矽中介層晶圓臨時(shí)接合到載具晶圓上,然后針對(duì)晶圓背面減薄則可完成。載具晶圓會(huì)有機(jī)械性支持的作用,避免晶圓發(fā)生斷裂現(xiàn)象,且會(huì)補(bǔ)償矽中介層晶圓內(nèi)所需的應(yīng)力。

減少晶圓的厚度是一種可降低矽中介層成本的方法,但在剝離制程(Debonding)后,厚度較薄的晶粒則在機(jī)械性穩(wěn)定度、應(yīng)力和矽中介層晶粒的弓形度/撓曲度的處理上都有可能出現(xiàn)新的挑戰(zhàn)。其中,可以解決這些難題的方法是在薄薄的矽中介層晶圓,仍在載具晶圓上時(shí)即進(jìn)行晶粒-晶圓級(jí)接合。隨后,其他步驟則可進(jìn)行晶圓級(jí)制程。

晶粒-晶圓級(jí)整合是一個(gè)促成凸塊后置(Bump-last)整合架構(gòu)的步驟。用膠合連接矽中介層的覆晶凸塊(C4Bump)非常脆弱,同時(shí)在熱壓接合制程中容易脫離。不過(guò)在接合制程后才產(chǎn)生覆晶凸塊,則可完全避免凸塊脫離的風(fēng)險(xiǎn)。凸塊后置的形成亦會(huì)產(chǎn)生一個(gè)薄薄的黏著層,這可提升暫時(shí)接合制程的產(chǎn)量,同時(shí)也可減少黏著劑的用量和降低成本;再者,凸塊后置BumpLast的形成也代表凸塊的回焊(Reflow)溫度不會(huì)讓背面制程有所限制。

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