臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

時(shí)間：2012-06-21 10:23:52

關(guān)鍵字： ADI 制程技術(shù) 臺(tái)積電微米

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]美商亞德諾(ADI)與臺(tái)積電(2330)今（20）日共同宣布，雙方已合作開(kāi)發(fā)完成可支援精密類(lèi)比積體電路的0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)。而臺(tái)積電的0.18微米BCD（Bipolar(雙載子)-CMOS(雙極)-DMOS(擴(kuò)散)，互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體）整

美商亞德諾(ADI)與臺(tái)積電(2330)今（20）日共同宣布，雙方已合作開(kāi)發(fā)完成可支援精密類(lèi)比積體電路的0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)。而臺(tái)積電的0.18微米BCD（Bipolar(雙載子)-CMOS(雙極)-DMOS(擴(kuò)散)，互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體）整合制程平臺(tái)，除能支援廣大的操作電壓范圍，并可提供具有成本效益的操作優(yōu)勢(shì)，擁有極小的覆蓋面積（Footprint）與極高的能源效率，適合用于電腦、工業(yè)電子及消費(fèi)性電子產(chǎn)品、汽車(chē)電子等應(yīng)用。

此外，此0.18微米5伏電壓制程，能夠達(dá)到將雜音改善幅度提升一個(gè)數(shù)量級(jí)（AnOrderofMagnitude）、靜態(tài)漏電流（StandbyLeakageCurrent）減少幅度達(dá)70%、線(xiàn)性度（Linearity）改善50%、以及電容電阻匹配（CapacitorandResistorMatching）改善幅度達(dá)50%等成效。

雙方表示，此嶄新制程技術(shù)平臺(tái)能夠大幅改善類(lèi)比效能，并支援諸多元件應(yīng)用，包括交流轉(zhuǎn)直流電（A/D）與直流轉(zhuǎn)交流電（D/A）轉(zhuǎn)換器、電源管理元件、以及音訊編/解碼器。而亞德諾借此新開(kāi)發(fā)平臺(tái)于最近發(fā)表的產(chǎn)品，則包括隔離式控制器區(qū)域網(wǎng)路（Control-AreaNetwork，CAN）收發(fā)器、高速可尋址遠(yuǎn)端換能器（HighwayAddressableRemoteTransducer,HART）數(shù)據(jù)機(jī)IC、心電圖（ECG）類(lèi)比前端（AFE）晶片、數(shù)位電位器（DigitalPotentiometer）、以及音訊編碼器。

臺(tái)積電美國(guó)子公司總經(jīng)理RickCassidy指出，亞德諾自從0.6微米與0.35微米類(lèi)比制程就已與臺(tái)積電合作。而亞德諾類(lèi)比技術(shù)副總裁DavidRobertson則表示，雙方緊密且長(zhǎng)久的技術(shù)合作關(guān)系，才得以促成這次的順利開(kāi)發(fā)，而臺(tái)積電的技術(shù)，則為亞德諾的制程技術(shù)組合提供了更高的附加價(jià)值。