2010年全球前十大晶圓代工廠大中華業(yè)者占4席
[導(dǎo)讀]根據(jù)DIGITIMESResearch分析師柴煥欣分析，2010年全球前十大晶圓代工廠商排名中，臺積電(TSMC)、聯(lián)電(UMC)以全年營收132.3億美元與38.6億美元，分別拿下第一名與第二名，中芯(SMIC)則以15.5億美元全年營收，居于第四名
根據(jù)DIGITIMESResearch分析師柴煥欣分析，2010年全球前十大晶圓代工廠商排名中，臺積電(TSMC)、聯(lián)電(UMC)以全年營收132.3億美元與38.6億美元，分別拿下第一名與第二名，中芯(SMIC)則以15.5億美元全年營收，居于第四名位置。至于臺積電旗下轉(zhuǎn)投資公司世界先進(VanguardInternationalSemiconductor)則以5億美元全年營收，亦擠身于全球前十大晶圓代工廠商之列。
柴煥欣說明，2010年全球前十大晶圓代工廠排名中，大中華地區(qū)即占4席，而大中華地區(qū)前四大晶圓代工廠，在2010年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)合計市占率高達73%，亦突顯出大中華地區(qū)在晶圓代工產(chǎn)業(yè)地位之重要性。
然而，GlobalFoundries挾中東阿布達比先進技術(shù)投資公司(ATIC)雄厚資金，除購并全球第三大晶圓代工廠特許半導(dǎo)體(Chartered)外，還于美國紐約州興建第三座12吋晶圓廠Fab-8，生產(chǎn)制程更從28nm起跳，目標(biāo)就是希望超越臺積電，成為全球最大晶圓代工廠。GlobalFoundries加入競爭，掀起晶圓代工產(chǎn)業(yè)新一波12吋晶圓廠產(chǎn)能擴充競賽。
包括臺積電、聯(lián)電、中芯等晶圓代工廠于2010年皆相繼調(diào)高資本支出金額，柴煥欣分析，除加快12吋晶圓產(chǎn)能擴充腳步外，為爭取更廣大訂單機會，亦為掌握整合組件廠(IDM)訂單擴大委外代工的趨勢，提高45/40nm及其以下先進制程產(chǎn)出比重，購置浸潤式機臺亦是資本支出另一個重要方向。
在大中華地區(qū)主要晶圓代工廠投入12吋晶圓與先進制程產(chǎn)能擴充的同時，展望2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣，在2010年下半客戶端庫存調(diào)整后，DIGITIMESResearch預(yù)期2011年依然會延續(xù)景氣成長的方向前進，但歷經(jīng)2009年下半以來高成長期后，2011年將會成長趨緩，回歸至穩(wěn)定成長的軌跡。
需求成長幅度預(yù)估供給相當(dāng)，柴煥欣預(yù)估2011年大中華地區(qū)前四大晶圓代工業(yè)者營收年成長率將達9.4%，但在12吋晶圓產(chǎn)能與45/40nm及其以下先進制程良率與研發(fā)進度擁有優(yōu)勢的臺積電，全球市占率版圖將會進一步擴張。
柴煥欣說明，2010年全球前十大晶圓代工廠排名中，大中華地區(qū)即占4席，而大中華地區(qū)前四大晶圓代工廠，在2010年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)合計市占率高達73%，亦突顯出大中華地區(qū)在晶圓代工產(chǎn)業(yè)地位之重要性。
然而，GlobalFoundries挾中東阿布達比先進技術(shù)投資公司(ATIC)雄厚資金，除購并全球第三大晶圓代工廠特許半導(dǎo)體(Chartered)外，還于美國紐約州興建第三座12吋晶圓廠Fab-8，生產(chǎn)制程更從28nm起跳，目標(biāo)就是希望超越臺積電，成為全球最大晶圓代工廠。GlobalFoundries加入競爭，掀起晶圓代工產(chǎn)業(yè)新一波12吋晶圓廠產(chǎn)能擴充競賽。
包括臺積電、聯(lián)電、中芯等晶圓代工廠于2010年皆相繼調(diào)高資本支出金額，柴煥欣分析，除加快12吋晶圓產(chǎn)能擴充腳步外，為爭取更廣大訂單機會，亦為掌握整合組件廠(IDM)訂單擴大委外代工的趨勢，提高45/40nm及其以下先進制程產(chǎn)出比重，購置浸潤式機臺亦是資本支出另一個重要方向。
在大中華地區(qū)主要晶圓代工廠投入12吋晶圓與先進制程產(chǎn)能擴充的同時，展望2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣，在2010年下半客戶端庫存調(diào)整后，DIGITIMESResearch預(yù)期2011年依然會延續(xù)景氣成長的方向前進，但歷經(jīng)2009年下半以來高成長期后，2011年將會成長趨緩，回歸至穩(wěn)定成長的軌跡。
需求成長幅度預(yù)估供給相當(dāng)，柴煥欣預(yù)估2011年大中華地區(qū)前四大晶圓代工業(yè)者營收年成長率將達9.4%，但在12吋晶圓產(chǎn)能與45/40nm及其以下先進制程良率與研發(fā)進度擁有優(yōu)勢的臺積電，全球市占率版圖將會進一步擴張。
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