突破技術(shù)藩籬 臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
[導(dǎo)讀]臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NANDFlash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出
臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NANDFlash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NANDFlash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
NANDFlash技術(shù)在20納米制程以前，臺灣存儲器業(yè)者完全沒有參與權(quán)，因為相關(guān)技術(shù)和專利都被國際大廠所掌控，但在20納米制程以下，傳統(tǒng)浮動閘(FloatingGate)技術(shù)出現(xiàn)天險，面臨儲存電子數(shù)越來越少問題，NANDFlash技術(shù)出現(xiàn)大變革，各種下世代存儲器陸續(xù)問世。目前新世代存儲器技術(shù)架構(gòu)包括PRAM(PhaseChangeRAM)、MRAM(MagneticRAM)、R-RAM等，暫無法確定誰能勝出，存儲器龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)由于資源龐大，幾乎各種技術(shù)都投入研發(fā)。
這次NDL完成全球最小的9納米存儲器，系采用R-RAM技術(shù)為架構(gòu)，已于12月在美國舊金山所舉行國際電子元件會議(IEDM)正式發(fā)表，NDL在實驗室成立1條產(chǎn)線做研發(fā)，未來希望能再建1條產(chǎn)線，最終目標(biāo)是希望將這個9納米產(chǎn)品導(dǎo)入12寸或18寸晶圓廠，作為量產(chǎn)產(chǎn)品。另外，目前布局R-RAM技術(shù)業(yè)者還包括英特爾(Intel)、新帝(SanDisk)、三星、IBM等。
NDL計劃成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，作為NANDFlash技術(shù)平臺，并成為臺廠未來發(fā)展新世代NANDFlash技術(shù)的專利后盾，此聯(lián)盟預(yù)計2011年下半正式成立，將廣邀存儲器廠和晶圓代工廠加入，首波邀請對象為存儲器業(yè)者，包括旺宏、華邦、力晶、瑞晶、南亞科、華亞科、茂德等。
由于考量到聯(lián)盟組織最后易淪為口號，且大部分業(yè)者不愿將最頂尖技術(shù)貢獻到臺面上，因此，未來此聯(lián)盟將設(shè)計多種模式，鼓勵業(yè)者及各方研究菁英加入，象是繳交權(quán)利金換取專利使用權(quán)、技術(shù)合作等，未來目標(biāo)是仿效IBM華生研究中心(ThomasJ.WatsonResearchCenter)，專門培育半導(dǎo)體人才。
NDL強調(diào)，學(xué)界主要專注于研發(fā)和布局累積專利數(shù)量，未來要導(dǎo)入量產(chǎn)仍是要靠業(yè)界，目前9納米產(chǎn)品雛形已具備，但要導(dǎo)入8寸或12寸晶圓廠才是挑戰(zhàn)開始，目標(biāo)是希望5~10年內(nèi)可進入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NANDFlash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
NANDFlash技術(shù)在20納米制程以前，臺灣存儲器業(yè)者完全沒有參與權(quán)，因為相關(guān)技術(shù)和專利都被國際大廠所掌控，但在20納米制程以下，傳統(tǒng)浮動閘(FloatingGate)技術(shù)出現(xiàn)天險，面臨儲存電子數(shù)越來越少問題，NANDFlash技術(shù)出現(xiàn)大變革，各種下世代存儲器陸續(xù)問世。目前新世代存儲器技術(shù)架構(gòu)包括PRAM(PhaseChangeRAM)、MRAM(MagneticRAM)、R-RAM等，暫無法確定誰能勝出，存儲器龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)由于資源龐大，幾乎各種技術(shù)都投入研發(fā)。
這次NDL完成全球最小的9納米存儲器，系采用R-RAM技術(shù)為架構(gòu)，已于12月在美國舊金山所舉行國際電子元件會議(IEDM)正式發(fā)表，NDL在實驗室成立1條產(chǎn)線做研發(fā)，未來希望能再建1條產(chǎn)線，最終目標(biāo)是希望將這個9納米產(chǎn)品導(dǎo)入12寸或18寸晶圓廠，作為量產(chǎn)產(chǎn)品。另外，目前布局R-RAM技術(shù)業(yè)者還包括英特爾(Intel)、新帝(SanDisk)、三星、IBM等。
NDL計劃成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，作為NANDFlash技術(shù)平臺，并成為臺廠未來發(fā)展新世代NANDFlash技術(shù)的專利后盾，此聯(lián)盟預(yù)計2011年下半正式成立，將廣邀存儲器廠和晶圓代工廠加入，首波邀請對象為存儲器業(yè)者，包括旺宏、華邦、力晶、瑞晶、南亞科、華亞科、茂德等。
由于考量到聯(lián)盟組織最后易淪為口號，且大部分業(yè)者不愿將最頂尖技術(shù)貢獻到臺面上，因此，未來此聯(lián)盟將設(shè)計多種模式，鼓勵業(yè)者及各方研究菁英加入，象是繳交權(quán)利金換取專利使用權(quán)、技術(shù)合作等，未來目標(biāo)是仿效IBM華生研究中心(ThomasJ.WatsonResearchCenter)，專門培育半導(dǎo)體人才。
NDL強調(diào)，學(xué)界主要專注于研發(fā)和布局累積專利數(shù)量，未來要導(dǎo)入量產(chǎn)仍是要靠業(yè)界，目前9納米產(chǎn)品雛形已具備，但要導(dǎo)入8寸或12寸晶圓廠才是挑戰(zhàn)開始，目標(biāo)是希望5~10年內(nèi)可進入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NANDFlash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
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