SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就是說，能夠削減成本。

由于溝道型MOSFET具有以上特點，日本各半導體廠商將其視作“可充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的晶體管第一候選”，正式開始進行研究開發(fā)。這一動向在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC相關國際學會“ICSCRM2013”上得到了充分體現(xiàn)。在此次會議上，各企業(yè)紛紛發(fā)表了溝道型SiCMOSFET的最新開發(fā)成果。比如羅姆、住友電氣工業(yè)及三菱電機等。其中，羅姆在實用化方面似乎走在前列。該公司將在2014年上半年推出柵極和源極都設有溝道的“雙溝道型”SiCMOSFET。

SiC備受汽車行業(yè)的期待。比如，電裝正在自主研發(fā)SiC基板和功率元件。當然，該公司也在開發(fā)溝道型MOSFET，并宣布將于2015年推出產(chǎn)品。

日本各大企業(yè)紛紛開展GaN功率元件業(yè)務

GaN功率元件方面，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務。其中，變化較大的是耐壓600V的GaN功率晶體管(參閱本站報道)。耐壓600V的功率晶體管能夠應用于空調、電磁爐等白色家電，混合動力汽車和純電動汽車的逆變器，光伏逆變器及工業(yè)設備等輸出功率在數(shù)百～數(shù)萬W的功率轉換器。

以前，GaN功率晶體管的耐壓大都在200V以下，耐壓600V的產(chǎn)品達到實用水平的只有美國Transphorm公司一家。進入2013年，松下和夏普宣布涉足GaN功率元件業(yè)務，前者于2013年3月開始樣品供貨耐壓600V的產(chǎn)品，后者于2013年4月開始樣品供貨耐壓600V的產(chǎn)品。此外，國際整流器公司(IR)公司及EPC公司也在為實現(xiàn)耐壓600V產(chǎn)品的實用化而進行研發(fā)。

富士通半導體也已開始樣品供貨GaN功率晶體管，該公司于2013年11月與Transphorm公司簽訂了合并GaN功率器件業(yè)務的協(xié)議。雙方的業(yè)務合并后，將由Transphorm開發(fā)GaN功率器件，由富士通半導體制造。

亞洲企業(yè)也紛紛涉足

前面提到的企業(yè)只不過是其中一小部分，另外還有很多企業(yè)著手研發(fā)GaN功率元件，準備開展相關業(yè)務。今后在從事GaN功率元件的半導體廠商之間，估計會展開激烈的價格競爭。

尤其是韓國、中國大陸和臺灣等亞洲半導體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務之后，價格競爭將更為激烈。GaN功率半導體的生產(chǎn)能夠沿用過去生產(chǎn)邏輯IC等產(chǎn)品使用的支持6～8英寸Si基板的生產(chǎn)設備以及面向LED引進的GaN類半導體外延設備等，這將推動亞洲企業(yè)涌進該市場。

實際上，在2013年5月舉行的功率半導體相關國際會議“ISPSD2013”上，中國大陸、臺灣、韓國等亞洲企業(yè)紛紛發(fā)布了GaN功率元件方面的研究成果。其中，三星電子的成果備受關注。該公司已在口徑200mm(8英寸)的Si基板上試制出了GaN功率晶體管。

三星電子最近在致力于功率半導體領域的研發(fā)。該公司于1998年將功率IC部門賣了飛兆半導體，但在2年前又成立了功率半導體部門。

不僅是GaN功率半導體領域，在SiC功率半導體領域，日本以外的亞洲企業(yè)的實力也在逐漸增強。實際上，準備生產(chǎn)SiC基板和二極管的企業(yè)越來越多，表現(xiàn)尤為突出的是SiC基板領域。

比如，在前面提到的ICSCRM2013上，北京天科合達藍光半導體有限公司、山東天岳先進材料科技有限公司及韓國SKC公司均宣布在開發(fā)口徑150mm(6英寸)的SiC基板。就在幾年前，亞洲企業(yè)中涉足該領域的只有北京天科合達藍光這一家，如今形勢已經(jīng)改變。

2014年，在功率半導體領域也要關注亞洲企業(yè)的動向。