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[導(dǎo)讀]芯片尺寸將會(huì)在未來(lái)幾年持續(xù)減小,但芯片制造商會(huì)面臨一系列挑戰(zhàn)。在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,英特爾的高級(jí)技術(shù)專(zhuān)家,工藝架構(gòu)和集成總監(jiān)MarkBohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案,Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)點(diǎn)的

芯片尺寸將會(huì)在未來(lái)幾年持續(xù)減小,但芯片制造商會(huì)面臨一系列挑戰(zhàn)。

在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,英特爾的高級(jí)技術(shù)專(zhuān)家,工藝架構(gòu)和集成總監(jiān)MarkBohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案,Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)點(diǎn)的五個(gè)主要的障礙,或挑戰(zhàn)。

1.光刻

問(wèn)題:光波長(zhǎng)縮短的速度跟不上集成電路規(guī)模縮小速度

目前的解決方案:“分辨率增強(qiáng)(Resolution-enhancement)技術(shù),比如光學(xué)鄰近校正、相移光刻掩模和沉浸式光刻技術(shù),在32nm節(jié)點(diǎn)得到了采用。但即使采用了這些增強(qiáng)技術(shù),布線約束,比如單向性特性,刪格布線和約束線加上空間整合也不得不被逐漸的采用?!?BR>
未來(lái)的解決方案:“雙圖案微影(Double-patterning)技術(shù)和計(jì)算光刻(computationallithography)也可以得到選用來(lái)應(yīng)對(duì)22nm甚至是16nm工藝,最后采用深紫外光(EUV)光刻可以提供顯著的光波長(zhǎng)縮短和分辨率增強(qiáng)?!?BR>
2.晶體管

問(wèn)題:柵氧化層泄漏(gateoxideleakage)在2000早期就阻止了傳統(tǒng)的工藝縮小。

目前的解決方案:“當(dāng)傳統(tǒng)縮小規(guī)模的方法失去效用時(shí),high-k介質(zhì)和金屬柵極的采用顯著增強(qiáng)了MOSFET的密度、性能和功耗效率,并提供了持續(xù)的進(jìn)展。”

未來(lái)的解決方案:“基板工程學(xué)(Substrateengineering)讓晶圓中的P溝道遷移率得以增強(qiáng),但對(duì)n溝道不起作用。多柵極晶體管,比如FinFET、Tri-Gate和Gate-All-Around器件改善了靜電和steepersub-thresholdslopes,但在寄生電容和寄生電阻方面會(huì)受苦頭?!?BR>
“III-IV溝道材料,如Insb、InGaAs和InAs對(duì)于在低操作電壓下提升開(kāi)關(guān)速度很有好處,因?yàn)樵黾恿诉w移率,但在可操作的CMOS解決方案實(shí)現(xiàn)之前還是有很多挑戰(zhàn)。”

3.互連

問(wèn)題:需要新的方案來(lái)減緩電阻系數(shù)和其他問(wèn)題。

目前的解決方案:目前的工藝采用銅材料進(jìn)行互連,低k和其他技術(shù)讓每一代達(dá)到0.7倍的規(guī)模縮小。

未來(lái)的解決方案:“3D芯片堆棧和TSV(through-siliconvias穿透硅互連)技術(shù)提供了更高的芯片-芯片互連密度,3D芯片堆棧的缺點(diǎn)是增加了采用TSV的成本,而因?yàn)楣杵杏写┛锥チ艘欢ǖ墓杳娣e,且電源傳輸和散熱也是挑戰(zhàn)?!?BR>
“如果可以開(kāi)發(fā)出具備成本效益的方案來(lái)在硅技術(shù)中集成光子學(xué)技術(shù),光學(xué)互連可以解決帶寬瓶頸。在芯片間采用光連接也許還很遙遠(yuǎn),因?yàn)樵谶@種尺寸上集成光收發(fā)器和互連接口非常困難?!?BR>
4.嵌入存儲(chǔ)器

問(wèn)題:在如今的設(shè)計(jì)中需要比SRAM密度更高的存儲(chǔ)器件。

目前的解決方案:傳統(tǒng)的6TSRAM在目前的處理器和其他產(chǎn)品中得到采用。

未來(lái)的解決方案:“除了傳統(tǒng)的DRAM、eDRAM和flash,浮體單元(floating-bodycell)、相變(phase-change)存儲(chǔ)器和seek-and-scanprobe存儲(chǔ)器都能提供比6TSRAM更高的存儲(chǔ)密度,但在不進(jìn)行其他折衷的情況下載單晶圓邏輯工藝上集成新的存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)比較困難?!?BR>
5.系統(tǒng)集成

問(wèn)題:通過(guò)簡(jiǎn)單的采用可能實(shí)現(xiàn)的更小的晶體管來(lái)制造更為復(fù)雜的系統(tǒng)元器件還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。

目前的解決方案:“新一代的處理器技術(shù)提供更佳的功率效益、電源管理、并行處理、集成外圍電路和SoC特性,提供多內(nèi)核和多功能特性?!?BR>
未來(lái)的解決方案:“我們?cè)谒伎荚陔娮邮澜邕M(jìn)行更高集成的最好的途徑,也許我們會(huì)從大自然中得到啟示(比如人類(lèi)大腦)?!?BR>
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