據(jù)美國(guó)電子時(shí)代網(wǎng)站2013年5月29日?qǐng)?bào)道]歐盟宣布將增加4條先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)計(jì)劃，包括發(fā)光二極管和450mm晶圓等。此前，歐盟宣布建設(shè)全耗盡絕緣體上硅（FDSOI）試生產(chǎn)線。該五條芯片試生產(chǎn)線項(xiàng)目是歐盟于5月23日宣布的“歐洲電子策略”的一部分，共涉及來自20個(gè)國(guó)家的128個(gè)公司，總投資將超過7億歐元，包括歐盟各成員國(guó)和工業(yè)界的投資，其中歐盟將出資1億歐元。五個(gè)項(xiàng)目中的大部分從2013年啟動(dòng)運(yùn)行，持續(xù)到2015年底結(jié)束。

五條試生產(chǎn)線項(xiàng)目分別是：

（1）AGATE試生產(chǎn)線：該項(xiàng)目由法國(guó)晶圓制造公司Soitec公司領(lǐng)導(dǎo)，包括10家公司，目標(biāo)是為功率半導(dǎo)體器件和發(fā)光二極管生產(chǎn)低成本的硅基氮化鎵（GaN）晶圓，計(jì)劃于2015年12月結(jié)束。

（2）E450EDL試生產(chǎn)線，該項(xiàng)目由比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）和荷蘭艾司摩爾（ASML）公司領(lǐng)導(dǎo)，包括來自11個(gè)國(guó)家的43家公司，目標(biāo)是為450mm晶圓驗(yàn)證設(shè)備、材料和前道工藝，計(jì)劃于2016年9月結(jié)束。

（3）EPPL試生產(chǎn)線：該項(xiàng)目由位于德國(guó)和奧地利的英飛凌（Infineon）公司領(lǐng)導(dǎo)，包括31家公司，目標(biāo)是開發(fā)功率器件用薄晶圓，計(jì)劃于2016年3月結(jié)束。

（4）Lab4MEMS試生產(chǎn)線。主要工業(yè)試生產(chǎn)線分別位于ST半導(dǎo)體公司的兩個(gè)工廠：前道工藝位于意大利的Agrate，后道工藝位于歐洲Malta，由分布在9個(gè)國(guó)家的研究中心、小企業(yè)和研究實(shí)驗(yàn)室共同參與支持。該項(xiàng)目于2013年1月啟動(dòng)，計(jì)劃運(yùn)行30個(gè)月。

（5）Places2Be試生產(chǎn)線。該項(xiàng)目為期三年，總預(yù)算3.6億歐元（大約4.65億美元），促進(jìn)歐洲實(shí)現(xiàn)FDSOI制造工藝的工業(yè)化。該項(xiàng)目由在FDSOI領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位的ST公司領(lǐng)導(dǎo)，并將在ST位于法國(guó)克羅爾市的晶圓廠和格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）公司位于德國(guó)德累斯頓市的第一生產(chǎn)廠內(nèi)建立試生產(chǎn)線。包括23個(gè)研究單位，目標(biāo)是通過解決產(chǎn)量和應(yīng)用等挑戰(zhàn)，以將該技術(shù)帶入工業(yè)界。

歐盟副主席尼莉·克羅斯說：“我們沒有任何時(shí)間可以浪費(fèi)了，這些計(jì)劃對(duì)實(shí)現(xiàn)歐洲電子策略做出了實(shí)質(zhì)性的貢獻(xiàn)。到2013年底，我希望看到工業(yè)界實(shí)現(xiàn)芯片制造量翻倍、生產(chǎn)量達(dá)全球產(chǎn)量20%的目標(biāo)”。

為此，5月29日克羅斯主持召開了各國(guó)家和地區(qū)部長(zhǎng)會(huì)議，歐洲主要半導(dǎo)體制造商和世界知名研究人員也參與其中，共同商討策略的實(shí)施。