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[導讀]美國GLOBALFOUNDRIES公司首席執(zhí)行官AjitManocha在“IEDM2012”第二天的午宴(Luncheon)上發(fā)表了題為“IstheFabless/FoundryModelDead?WeDon'tThinkSo.LongLiveFoundry2.0!”的演講。他指出今后代工企業(yè)與客戶企業(yè)的

美國GLOBALFOUNDRIES公司首席執(zhí)行官AjitManocha在“IEDM2012”第二天的午宴(Luncheon)上發(fā)表了題為“IstheFabless/FoundryModelDead?WeDon'tThinkSo.LongLiveFoundry2.0!”的演講。他指出今后代工企業(yè)與客戶企業(yè)的密切合作將越來越重要,并表明了推動極限微細化和450mm晶圓大口徑化的意愿。

Manocha首先指出,隨著移動產(chǎn)品開始拉動半導體市場,尖端半導體的需求迅速擴大。Manocha公布的調(diào)查數(shù)據(jù)表明,45~20nm工藝SoC的代工市場在2011~2016年將以年均37%的速度擴大。

但可提供20nm工藝以后SoC技術(shù)的半導體廠商,Manocha表示“包括我們只有四家”。因此,在微細化技術(shù)和產(chǎn)能兩方面,這四家企業(yè)面臨的壓力越來越大。為滿足客戶要求,GLOBALFOUNDRIES今后“還將支持10nm工藝和7nm工藝”(Manocha)。該公司計劃2014年量產(chǎn)14nm工藝(金屬布線為20nm工藝),2015年量產(chǎn)10nm工藝,2017年量產(chǎn)7nm工藝。關(guān)于450mm晶圓的大口徑化,Manocha也指出“這對堅持摩爾法則至關(guān)重要”,并表示將按照業(yè)內(nèi)步伐推動大口徑化。

Manocha列舉了今后的開發(fā)課題,其中有:(1)包括2.5D/3DIC在內(nèi)的封裝技術(shù)、(2)朝著450mm推動大口徑化、(3)液浸及EUV(extremeultraviolet)等光刻技術(shù)、(4)FinFET及完全耗盡型SOI(FDSOI)等器件技術(shù)。并指出要實現(xiàn)這些技術(shù),需要全行業(yè)合作。

Manocha在演講后召開了面向新聞媒體的圓桌會議。其中,Manocha介紹了美國紐約州新工廠“Fab8”的開工情況。已開始代工生產(chǎn),正提供采用32nm工藝SOI技術(shù)的DRAM混載SoC技術(shù)。28nm工藝技術(shù)方面,也從多家企業(yè)獲得了在該工廠代工生產(chǎn)的訂單。“Fab8今后將成為20nm工藝和14nm工藝的生產(chǎn)基地。該工廠是在這些技術(shù)工藝需求即將進一步擴大的形勢下,在最佳時機開工的”(Manocha)。(
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