第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下
[導(dǎo)讀]進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。Si
進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。
SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn)；到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場(chǎng)；進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開(kāi)。相對(duì)于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場(chǎng)強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂移速度。因?yàn)檫@些特點(diǎn)，用SiC制作的器件可以用于極端的環(huán)境條件下。微波及高頻和短波長(zhǎng)器件是目前已經(jīng)成熟的應(yīng)用市場(chǎng)。42GHz頻率的SiCMESFET，用在了軍用相控陣?yán)走_(dá)、通信廣播系統(tǒng)中，用SiC做為襯底的高亮度藍(lán)光LED則是全彩色大面積顯示屏的關(guān)鍵器件。
現(xiàn)在，SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些知名的半導(dǎo)體器件廠商，如ROHM，英飛凌，Cree，飛兆等都在開(kāi)發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌公司在今年推出了第五代SiC肖特基勢(shì)壘二極管，其結(jié)合了第三代產(chǎn)品的低容性電荷（Qc）值與第二代產(chǎn)品的正向電壓（Vf）水平相結(jié)合，使PFC電路達(dá)到最高效率水平，擊穿電壓則達(dá)到了650V。飛兆半導(dǎo)體發(fā)布了SiCBJT，其實(shí)現(xiàn)了1200V的耐壓，傳到和開(kāi)關(guān)損耗相對(duì)于傳統(tǒng)的Si器件降低了30～50%，從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。ROHM公司則推出了1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品，其實(shí)現(xiàn)了SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，比Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，并可達(dá)到50kHz以上的開(kāi)關(guān)頻率。值得一提的是，IGBT的驅(qū)動(dòng)比較復(fù)雜，如果使用SiC基的MOSFET，則能使系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的難度大為降低。SiC的市場(chǎng)頗為被看好，根據(jù)預(yù)測(cè)，到2022年，其市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到40億美元，年平均復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá)到45%。
說(shuō)完了SiC，再來(lái)說(shuō)說(shuō)GaN。在上世紀(jì)90年代以前，因?yàn)槿狈线m的單晶沉底材料，而且位錯(cuò)密度比較大，其發(fā)展緩慢，但進(jìn)入90年代以后，其發(fā)展迅速，年均增長(zhǎng)率達(dá)30%，已經(jīng)成為大功率LED的關(guān)鍵性材料。同SiC一樣，GaN也開(kāi)始進(jìn)軍功率器件市場(chǎng)。雖然，2012年的GaN市場(chǎng)上，IR和EPC公司是僅有的兩家器件供應(yīng)商，但是到明年，可能會(huì)有多家公司推出自己的產(chǎn)品。如果這些廠家在2014年擴(kuò)充產(chǎn)能，在2015年推出600V耐壓的GaN功率器件，整個(gè)市場(chǎng)的發(fā)展空間將得到極大地?cái)U(kuò)充。
GaN的起步較SiC為早，但是SiC的發(fā)展勢(shì)頭更快。在早期，兩者因應(yīng)用領(lǐng)域不同，直接競(jìng)爭(zhēng)的機(jī)會(huì)并不大。但隨著功率半導(dǎo)體市場(chǎng)向兩者打開(kāi)，面對(duì)面競(jìng)爭(zhēng)就不可避免了。工業(yè)、新能源領(lǐng)域已經(jīng)成為兩者的戰(zhàn)場(chǎng)，而在汽車領(lǐng)域，因?yàn)閮r(jià)格原因，廠商雖愿意采用傳統(tǒng)的Si器件。不過(guò)，隨著GaN和SiC的快速發(fā)展，成本越來(lái)越接近Si器件，大規(guī)模登陸這個(gè)市場(chǎng)的時(shí)間應(yīng)該不遠(yuǎn)了。
現(xiàn)在，Si晶圓的主流尺寸已經(jīng)達(dá)到300mm（12英寸），但是SiC和GaN只能做到150mm（6英寸），這個(gè)差別的彌補(bǔ)還是需要一段時(shí)間的。但是對(duì)于半導(dǎo)體業(yè)界，投資者和大眾來(lái)說(shuō)，出現(xiàn)了能挑戰(zhàn)傳統(tǒng)勢(shì)力的新貴，還是非常有意義的。在持續(xù)的關(guān)注和投入下，這兩者肯定能開(kāi)出絢爛的花朵。
SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn)；到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場(chǎng)；進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開(kāi)。相對(duì)于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場(chǎng)強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂移速度。因?yàn)檫@些特點(diǎn)，用SiC制作的器件可以用于極端的環(huán)境條件下。微波及高頻和短波長(zhǎng)器件是目前已經(jīng)成熟的應(yīng)用市場(chǎng)。42GHz頻率的SiCMESFET，用在了軍用相控陣?yán)走_(dá)、通信廣播系統(tǒng)中，用SiC做為襯底的高亮度藍(lán)光LED則是全彩色大面積顯示屏的關(guān)鍵器件。
現(xiàn)在，SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些知名的半導(dǎo)體器件廠商，如ROHM，英飛凌，Cree，飛兆等都在開(kāi)發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌公司在今年推出了第五代SiC肖特基勢(shì)壘二極管，其結(jié)合了第三代產(chǎn)品的低容性電荷（Qc）值與第二代產(chǎn)品的正向電壓（Vf）水平相結(jié)合，使PFC電路達(dá)到最高效率水平，擊穿電壓則達(dá)到了650V。飛兆半導(dǎo)體發(fā)布了SiCBJT，其實(shí)現(xiàn)了1200V的耐壓，傳到和開(kāi)關(guān)損耗相對(duì)于傳統(tǒng)的Si器件降低了30～50%，從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。ROHM公司則推出了1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品，其實(shí)現(xiàn)了SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，比Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，并可達(dá)到50kHz以上的開(kāi)關(guān)頻率。值得一提的是，IGBT的驅(qū)動(dòng)比較復(fù)雜，如果使用SiC基的MOSFET，則能使系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的難度大為降低。SiC的市場(chǎng)頗為被看好，根據(jù)預(yù)測(cè)，到2022年，其市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到40億美元，年平均復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá)到45%。
說(shuō)完了SiC，再來(lái)說(shuō)說(shuō)GaN。在上世紀(jì)90年代以前，因?yàn)槿狈线m的單晶沉底材料，而且位錯(cuò)密度比較大，其發(fā)展緩慢，但進(jìn)入90年代以后，其發(fā)展迅速，年均增長(zhǎng)率達(dá)30%，已經(jīng)成為大功率LED的關(guān)鍵性材料。同SiC一樣，GaN也開(kāi)始進(jìn)軍功率器件市場(chǎng)。雖然，2012年的GaN市場(chǎng)上，IR和EPC公司是僅有的兩家器件供應(yīng)商，但是到明年，可能會(huì)有多家公司推出自己的產(chǎn)品。如果這些廠家在2014年擴(kuò)充產(chǎn)能，在2015年推出600V耐壓的GaN功率器件，整個(gè)市場(chǎng)的發(fā)展空間將得到極大地?cái)U(kuò)充。
GaN的起步較SiC為早，但是SiC的發(fā)展勢(shì)頭更快。在早期，兩者因應(yīng)用領(lǐng)域不同，直接競(jìng)爭(zhēng)的機(jī)會(huì)并不大。但隨著功率半導(dǎo)體市場(chǎng)向兩者打開(kāi)，面對(duì)面競(jìng)爭(zhēng)就不可避免了。工業(yè)、新能源領(lǐng)域已經(jīng)成為兩者的戰(zhàn)場(chǎng)，而在汽車領(lǐng)域，因?yàn)閮r(jià)格原因，廠商雖愿意采用傳統(tǒng)的Si器件。不過(guò)，隨著GaN和SiC的快速發(fā)展，成本越來(lái)越接近Si器件，大規(guī)模登陸這個(gè)市場(chǎng)的時(shí)間應(yīng)該不遠(yuǎn)了。
現(xiàn)在，Si晶圓的主流尺寸已經(jīng)達(dá)到300mm（12英寸），但是SiC和GaN只能做到150mm（6英寸），這個(gè)差別的彌補(bǔ)還是需要一段時(shí)間的。但是對(duì)于半導(dǎo)體業(yè)界，投資者和大眾來(lái)說(shuō)，出現(xiàn)了能挑戰(zhàn)傳統(tǒng)勢(shì)力的新貴，還是非常有意義的。在持續(xù)的關(guān)注和投入下，這兩者肯定能開(kāi)出絢爛的花朵。
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