[導讀]時至年末，回顧今年的半導體業(yè)有點戲劇性變化，直至9月大部分市場調(diào)研公司尚認為2012年可能會有5%的增長。然而進入10月以來，風向偏離，開始有部分市場調(diào)研公司認為可能會轉(zhuǎn)入負增長，如Gartner于11月預測明年全球半
時至年末，回顧今年的半導體業(yè)有點戲劇性變化，直至9月大部分市場調(diào)研公司尚認為2012年可能會有5%的增長。然而進入10月以來，風向偏離，開始有部分市場調(diào)研公司認為可能會轉(zhuǎn)入負增長，如Gartner于11月預測明年全球半導體業(yè)將下降3%，為2980億美元。盡管目前半導體業(yè)還處于下降態(tài)勢，何時探底尚很難言。以下從投資預測、技術(shù)進步及終端市場的需求等方面對增長動能進行分析。
芯片制造設(shè)備投資有變
Gartner最新預測表明，2012年WFE銷售額達314億美元，同比下降13.3%。
SEMI于今年8月的最新預測表明，如不計分立器件，芯片制造設(shè)備投資為350億美元，相比2011年下降1.9%，但預測2013年可沖高達407億美元，增長率達16.3%。但Gartner在10月時卻給出不同的結(jié)果，它認為全球半導體前道設(shè)備銷售額2012年趨緩，并將延伸到2013年。Gartner的最新預測表明，2012年WFE銷售額達314億美元，相比2011年下降13.3%，而2013年再下降0.8%，為312億美元。
另外，從先期已公布的投資計劃看，臺積電已明確2013年投資將高過2012年的83億美元，可能接近100億美元。Globalfoundries計劃2013年再投資30億美元，幾乎與2012年的投資持平。另外英飛凌計劃2013年的投資由原先5億歐元下調(diào)為4億歐元，而它在2012年投資為8.9億歐元。
由于產(chǎn)能供過于求，三星亦下調(diào)資本支出預算，2012年其半導體事業(yè)資本支出將為12兆韓元，較原定15兆韓元縮減20%，與2011年相比也減少7.7%。三星原計劃在2012年6月開始動工興建的Line17生產(chǎn)線，總投資2.25兆韓元，于2013年年底完工，2014年起投產(chǎn)，采用20nm及14nm制程。由于傳聞蘋果的20nmAP處理器訂單將轉(zhuǎn)給臺積電，因此該計劃已經(jīng)暫緩進行。另外原計劃投資5兆韓元～6兆韓元在西安興建NAND閃存廠，由于產(chǎn)能供過于求等，計劃是否有變尚需后續(xù)觀察。
工藝制程進步顯著
之前認為14nm節(jié)點是個坎，如今相信英特爾在2013年時應該有能力實現(xiàn)。
比利時微電子(IMEC)營運長LucVanDenHove指出，半導體工藝制程技術(shù)在90nm～65nm時是采用引變硅StrainedSi技術(shù)，在45nm～28nm時是采用HKMG技術(shù)，而到22nm以下一直到14nm制程時，則會轉(zhuǎn)至3D晶片F(xiàn)inFET技術(shù)。
按ITRS工藝路線圖顯示，2011年為22nm，2013年為14nm。到目前為止能夠聲言實現(xiàn)的僅英特爾一家，即2011年實現(xiàn)22nm制程工藝，真正量產(chǎn)要延后3～4個季度，因此英特爾的工藝制程技術(shù)領(lǐng)先全球2～3年，這與它大量投資研發(fā)有關(guān)。進入21世紀以來，半導體制程技術(shù)的兩次革命性突破(2007年32nm的HKMG技術(shù)與2011年22nm的3DFinFET技術(shù))，均是由英特爾貢獻的，對于延伸摩爾定律又一個10年起了決定性的作用。另外，由于EUV技術(shù)的拖后，英特爾已公開表示將不惜增加成本，采用4次圖形曝光技術(shù)，加上浸入式光刻來實現(xiàn)14nm、甚至10nm節(jié)點。之前一直認為14nm工藝節(jié)點是個坎，如今相信英特爾在2013年時應該有能力實現(xiàn)。
從代工角度看，前段時期臺積電在28nm工藝節(jié)點時產(chǎn)能不足與良率問題已獲重大突破，據(jù)稱成品率已沖上90%以上，加上新增產(chǎn)能大量開出，因此臺積電開始提供客戶大量的waferbuy服務，協(xié)助客戶有效降低28nm芯片的成本。2013年其投片量均明顯較2012年大增30%～50%。臺積電已計劃2013年投入80億美元～85億美元擴產(chǎn)。據(jù)報道，臺積電計劃2012年年底開始20nm的試生產(chǎn)，2013年小批量生產(chǎn)。臺積電董事長張忠謀還透露，臺積電的工藝路線圖在2013年11月試產(chǎn)16nm的FinFET結(jié)構(gòu)，然后2014年實現(xiàn)量產(chǎn)。由此看出，它從20nm開始，采取務實的策略，先進入過渡節(jié)點16nm，然后再真正進入14nm。
Gartner認為，2013年工藝制程向前推進的趨勢由40/28nm制程轉(zhuǎn)向32/20nm；電源管理IC將從0.35微米轉(zhuǎn)換至0.13微米；CMOS圖像傳感器芯片從0.11微米轉(zhuǎn)向65nm；LCD驅(qū)動IC從0.13微米轉(zhuǎn)至90nm。顯然由于32/20nm工藝制程與掩膜成本過高，近期fabless產(chǎn)品向32/20nm過渡的品種與數(shù)量不會劇增，所以一線代工廠除了臺積電外，其他如Globalfoundries等的產(chǎn)能擴充計劃在2013年有減緩的趨勢。
終端電子產(chǎn)品市場有亮點
手機與平板電腦增勢明顯，成為帶動半導體業(yè)增長的基礎(chǔ)。
手機與平板電腦是明年半導體業(yè)增長的基礎(chǔ)，僅從手機與平板電腦（Tablet）看，全球手機出貨量2012年將達16.9億部，2013年預測可達18.1億部，增長率達7.3%。平板電腦的出貨量2012年將達1.23億臺，同比增長67%，而2013年為1.70億臺，增長率為39.3%。
代工業(yè)如日中天
無晶圓廠模式愈發(fā)成功，未來幾年一線IC代工廠先進技術(shù)產(chǎn)能需求強勁。
在眾多頂級IDM廠擁抱fablite（輕晶圓）策略、減緩投資之際，給全球代工廠帶來了更多的訂單。從近期ICInsight公布的2012全球前20大芯片制造商排名預測看出，增長率較快的是3家純晶圓代工廠。值得注意的是，預計這3家代工廠營收同比2011年平均增長16%，相對于全球半導體市場將衰退2%而言，這實在是令人印象深刻。隨著無晶圓廠fabless模式越來越成功，ICInsights預計未來幾年對于一線IC代工廠先進技術(shù)的產(chǎn)能需求將極為強勁。
據(jù)市場調(diào)研公司IHSiSuppli于2012年4月的預測表明，全球純代工市場規(guī)模2011年為265億美元，增長3.1%;預測2012年為296億美元，增長12%;2013年預測為336億美元，增長14%。IHSiSuppli在6月預測，全球代工占芯片制造的產(chǎn)能比重由2005年占15.8%，提升到2015年的24.2%。
芯片制造設(shè)備投資有變
Gartner最新預測表明，2012年WFE銷售額達314億美元，同比下降13.3%。
SEMI于今年8月的最新預測表明，如不計分立器件，芯片制造設(shè)備投資為350億美元，相比2011年下降1.9%，但預測2013年可沖高達407億美元，增長率達16.3%。但Gartner在10月時卻給出不同的結(jié)果，它認為全球半導體前道設(shè)備銷售額2012年趨緩，并將延伸到2013年。Gartner的最新預測表明，2012年WFE銷售額達314億美元，相比2011年下降13.3%，而2013年再下降0.8%，為312億美元。
另外，從先期已公布的投資計劃看，臺積電已明確2013年投資將高過2012年的83億美元，可能接近100億美元。Globalfoundries計劃2013年再投資30億美元，幾乎與2012年的投資持平。另外英飛凌計劃2013年的投資由原先5億歐元下調(diào)為4億歐元，而它在2012年投資為8.9億歐元。
由于產(chǎn)能供過于求，三星亦下調(diào)資本支出預算，2012年其半導體事業(yè)資本支出將為12兆韓元，較原定15兆韓元縮減20%，與2011年相比也減少7.7%。三星原計劃在2012年6月開始動工興建的Line17生產(chǎn)線，總投資2.25兆韓元，于2013年年底完工，2014年起投產(chǎn)，采用20nm及14nm制程。由于傳聞蘋果的20nmAP處理器訂單將轉(zhuǎn)給臺積電，因此該計劃已經(jīng)暫緩進行。另外原計劃投資5兆韓元～6兆韓元在西安興建NAND閃存廠，由于產(chǎn)能供過于求等，計劃是否有變尚需后續(xù)觀察。
工藝制程進步顯著
之前認為14nm節(jié)點是個坎，如今相信英特爾在2013年時應該有能力實現(xiàn)。
比利時微電子(IMEC)營運長LucVanDenHove指出，半導體工藝制程技術(shù)在90nm～65nm時是采用引變硅StrainedSi技術(shù)，在45nm～28nm時是采用HKMG技術(shù)，而到22nm以下一直到14nm制程時，則會轉(zhuǎn)至3D晶片F(xiàn)inFET技術(shù)。
按ITRS工藝路線圖顯示，2011年為22nm，2013年為14nm。到目前為止能夠聲言實現(xiàn)的僅英特爾一家，即2011年實現(xiàn)22nm制程工藝，真正量產(chǎn)要延后3～4個季度，因此英特爾的工藝制程技術(shù)領(lǐng)先全球2～3年，這與它大量投資研發(fā)有關(guān)。進入21世紀以來，半導體制程技術(shù)的兩次革命性突破(2007年32nm的HKMG技術(shù)與2011年22nm的3DFinFET技術(shù))，均是由英特爾貢獻的，對于延伸摩爾定律又一個10年起了決定性的作用。另外，由于EUV技術(shù)的拖后，英特爾已公開表示將不惜增加成本，采用4次圖形曝光技術(shù)，加上浸入式光刻來實現(xiàn)14nm、甚至10nm節(jié)點。之前一直認為14nm工藝節(jié)點是個坎，如今相信英特爾在2013年時應該有能力實現(xiàn)。
從代工角度看，前段時期臺積電在28nm工藝節(jié)點時產(chǎn)能不足與良率問題已獲重大突破，據(jù)稱成品率已沖上90%以上，加上新增產(chǎn)能大量開出，因此臺積電開始提供客戶大量的waferbuy服務，協(xié)助客戶有效降低28nm芯片的成本。2013年其投片量均明顯較2012年大增30%～50%。臺積電已計劃2013年投入80億美元～85億美元擴產(chǎn)。據(jù)報道，臺積電計劃2012年年底開始20nm的試生產(chǎn)，2013年小批量生產(chǎn)。臺積電董事長張忠謀還透露，臺積電的工藝路線圖在2013年11月試產(chǎn)16nm的FinFET結(jié)構(gòu)，然后2014年實現(xiàn)量產(chǎn)。由此看出，它從20nm開始，采取務實的策略，先進入過渡節(jié)點16nm，然后再真正進入14nm。
Gartner認為，2013年工藝制程向前推進的趨勢由40/28nm制程轉(zhuǎn)向32/20nm；電源管理IC將從0.35微米轉(zhuǎn)換至0.13微米；CMOS圖像傳感器芯片從0.11微米轉(zhuǎn)向65nm；LCD驅(qū)動IC從0.13微米轉(zhuǎn)至90nm。顯然由于32/20nm工藝制程與掩膜成本過高，近期fabless產(chǎn)品向32/20nm過渡的品種與數(shù)量不會劇增，所以一線代工廠除了臺積電外，其他如Globalfoundries等的產(chǎn)能擴充計劃在2013年有減緩的趨勢。
終端電子產(chǎn)品市場有亮點
手機與平板電腦增勢明顯，成為帶動半導體業(yè)增長的基礎(chǔ)。
手機與平板電腦是明年半導體業(yè)增長的基礎(chǔ)，僅從手機與平板電腦（Tablet）看，全球手機出貨量2012年將達16.9億部，2013年預測可達18.1億部，增長率達7.3%。平板電腦的出貨量2012年將達1.23億臺，同比增長67%，而2013年為1.70億臺，增長率為39.3%。
代工業(yè)如日中天
無晶圓廠模式愈發(fā)成功，未來幾年一線IC代工廠先進技術(shù)產(chǎn)能需求強勁。
在眾多頂級IDM廠擁抱fablite（輕晶圓）策略、減緩投資之際，給全球代工廠帶來了更多的訂單。從近期ICInsight公布的2012全球前20大芯片制造商排名預測看出，增長率較快的是3家純晶圓代工廠。值得注意的是，預計這3家代工廠營收同比2011年平均增長16%，相對于全球半導體市場將衰退2%而言，這實在是令人印象深刻。隨著無晶圓廠fabless模式越來越成功，ICInsights預計未來幾年對于一線IC代工廠先進技術(shù)的產(chǎn)能需求將極為強勁。
據(jù)市場調(diào)研公司IHSiSuppli于2012年4月的預測表明，全球純代工市場規(guī)模2011年為265億美元，增長3.1%;預測2012年為296億美元，增長12%;2013年預測為336億美元，增長14%。IHSiSuppli在6月預測，全球代工占芯片制造的產(chǎn)能比重由2005年占15.8%，提升到2015年的24.2%。
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