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[導讀]DDR3正處于如日中天的壯年期,DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示,DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務器領(lǐng)域,然后再過一年半左右才進入桌面。據(jù)悉,Intel的再下代企業(yè)級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存

DDR3正處于如日中天的壯年期,DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示,DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務器領(lǐng)域,然后再過一年半左右才進入桌面。據(jù)悉,Intel的再下代企業(yè)級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族,面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域,最多擁有16個核心,四路就是64核心。

DDR4內(nèi)存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達4266MHz),更會有1.2V低電壓、更好的對等保護和錯誤恢復等技術(shù),這些大規(guī)模用于服務器和企業(yè)中心自然能看到立竿見影的好處。

至于桌面上,22nmHaswell、14nmBroadwell都會使用相同的LGA1150封裝接口,內(nèi)存控制器自然也都局限于DDR3,DDR4的支持很可能要等到再往后的14nm工藝新架構(gòu)“Skylake”,那就是大約2015年的事情了。

這樣的步調(diào)可不算快,之前市場調(diào)研機構(gòu)曾經(jīng)認為,DDR4內(nèi)存到2015年就應該基本普及了。不過也好,升級太快了不見得是什么好事兒,大家可以更安心地享受廉價DDR3了。

另外,如果你擔心Haswell、Broadwell會因此在內(nèi)存性能上無所作為,倒也大可不必,因為一則DDR3的頻率肯定會越來越高,二者這兩代新處理器會有超低延遲內(nèi)部內(nèi)存控制器總線、刷功能被浮點峰值發(fā)射率、FMA運算、四級緩存等新特性,都有利于帶來更好的內(nèi)存性能。

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