ARM高層主題演講稱半導(dǎo)體器件尺寸和電池技術(shù)阻礙移動(dòng)市場(chǎng)的發(fā)展

時(shí)間：2011-08-25 11:18:57

關(guān)鍵字： ARM 半導(dǎo)體器件移動(dòng) 電池技術(shù)

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[導(dǎo)讀]ARM物理IP部門總經(jīng)理SimonSegars在年度熱門芯片大會(huì)(HotChipsevent)的主題演講中稱，“半導(dǎo)體尺寸將會(huì)迎來(lái)終點(diǎn)，我認(rèn)為終點(diǎn)比很多人想的提早到來(lái)。另外，我們急需新的電池技術(shù)?！惫柙拥某叽缫呀?jīng)達(dá)到了納米級(jí)的半徑

ARM物理IP部門總經(jīng)理SimonSegars在年度熱門芯片大會(huì)(HotChipsevent)的主題演講中稱，“半導(dǎo)體尺寸將會(huì)迎來(lái)終點(diǎn)，我認(rèn)為終點(diǎn)比很多人想的提早到來(lái)。另外，我們急需新的電池技術(shù)。”硅原子的尺寸已經(jīng)達(dá)到了納米級(jí)的半徑，工藝技術(shù)也進(jìn)入了個(gè)位數(shù)納米的節(jié)點(diǎn)，他說(shuō)，“在III-V半導(dǎo)體材料得到應(yīng)用之前，尺寸目前只能到這個(gè)程度?！?BR>
Segars表示，超紫外線光刻(EUV)在大規(guī)模應(yīng)用中的困難已經(jīng)造成了一些問(wèn)題。芯片制造商必須使用復(fù)雜的雙重光刻圖案技術(shù)，加上現(xiàn)在的浸潤(rùn)系統(tǒng)，同時(shí)也在等待14nm節(jié)點(diǎn)要求的超紫外線光刻?！澳阈枰啃r(shí)生產(chǎn)200-300個(gè)晶圓，但現(xiàn)在的超紫外線光刻設(shè)備每小時(shí)只能生產(chǎn)5個(gè)晶圓?！盨egars表示，“有些人懷疑超紫外光刻是否可以成為主流——的確還需要大量研發(fā)才能大規(guī)模使用?！?BR>
電池技術(shù)存在同樣的挑戰(zhàn)。電池續(xù)航能力每年增加11%，比摩爾定律的發(fā)展大大落后。及時(shí)要維持這樣的緩慢發(fā)展率都“要求非常稀有的材料例如硅合金或碳納米管”，他說(shuō)。問(wèn)題的另一面在于移動(dòng)市場(chǎng)的機(jī)會(huì)非常大。Segars表示，“數(shù)字很大，去年40億手機(jī)使用者中，智能手機(jī)的銷售額達(dá)到2.8億。”