ASML單價近一億美元的EUV光刻機訂單已達10臺 預(yù)計2012年開始正式交貨
[導(dǎo)讀]2010年浸潤式微米光刻機臺設(shè)備(ImmersionScanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預(yù)計2012年將正式交貨；不過，對
2010年浸潤式微米光刻機臺設(shè)備(ImmersionScanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預(yù)計2012年將正式交貨；不過，對于資金拮據(jù)的DRAM廠，1臺要價近1億美元的EUV機臺，將會是更大的資金挑戰(zhàn)，目前僅瑞晶下單訂購1臺，藉以確保20納米工藝的參賽權(quán)。
ASML成立于1984年，是從荷商飛利浦(Philipsa)分割出來的獨立半導(dǎo)體設(shè)備公司，設(shè)備不斷推陳出新，在1984和1989年分別推出PAS2000和PAS5000機臺，1990年代推出PAS5000Stepper和Scanner，2000年推出Twinscan光刻機，2010年進入EUV機臺。在ASML各地區(qū)營收比重中，亞洲市場占53%，其中南韓占16%、臺灣占28%、新加坡占5%、大陸占4%，而美國市場占33%、歐洲市場占14%。
ASML指出，2006年推出第1代EUV機臺，出貨給比利時微電子研究中心(imec)，第2代NEX3100機臺，截至2011年第1季已出貨3臺，預(yù)計此款機臺只會出6臺，其余3臺會在年底前出貨，之后會推出NEX3300機臺量產(chǎn)型機臺，其曝光速度和瞄準(zhǔn)率均較高。
ASML進一步表示，目前NEX3300機臺全球接獲訂單數(shù)量已有10臺，客戶包括晶圓代工業(yè)者，以及臺、韓、美、日等內(nèi)存制造商，預(yù)計NEX3300機臺可在2012年正式交貨。
ASML進一步表示，第1代EUV機臺1片晶圓曝光時間要2小時，NEX3100機臺估計每小時可達曝光60片晶圓，但目前尚未達此目標(biāo)，未來NEX3300機臺目標(biāo)是1小時可曝光100片晶圓。
2010年DRAM產(chǎn)業(yè)剛從全球金融風(fēng)暴中復(fù)蘇，當(dāng)時各廠加速轉(zhuǎn)進40納米工藝，卻遇到ImmersionScanner機臺設(shè)備大缺貨，各廠工藝微縮進度都被關(guān)鍵機臺卡??；再者，浸潤式微米光刻機臺1臺要價近新臺幣10億元，對當(dāng)時體質(zhì)虛弱的DRAM廠而言，資本障礙也形成競爭力天險。
目前浸潤式微米光刻機臺設(shè)備缺貨問題已逐漸解除，半導(dǎo)體廠只有資金充裕，在固定交期下，拿到浸潤式微米光刻機臺都不是問題，不過要進入20納米工藝以下的技術(shù)競賽，必須要轉(zhuǎn)進EUV機臺，以1臺單價近30億元來看，對于DRAM廠而言，又是另一個艱巨的資金天險。
據(jù)了解，目前臺系內(nèi)存廠中，只有瑞晶已向ASML預(yù)定1臺EUV機臺，其他DRAM廠都按兵不動，加上如力晶、茂德等DRAM廠的營運重心都轉(zhuǎn)型至晶圓代工，真正生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的產(chǎn)能比重也降低，未來在轉(zhuǎn)進20納米工藝后，是否要購入EUV機臺，可能要從財務(wù)狀況評估。
ASML成立于1984年，是從荷商飛利浦(Philipsa)分割出來的獨立半導(dǎo)體設(shè)備公司，設(shè)備不斷推陳出新，在1984和1989年分別推出PAS2000和PAS5000機臺，1990年代推出PAS5000Stepper和Scanner，2000年推出Twinscan光刻機，2010年進入EUV機臺。在ASML各地區(qū)營收比重中，亞洲市場占53%，其中南韓占16%、臺灣占28%、新加坡占5%、大陸占4%，而美國市場占33%、歐洲市場占14%。
ASML指出，2006年推出第1代EUV機臺，出貨給比利時微電子研究中心(imec)，第2代NEX3100機臺，截至2011年第1季已出貨3臺，預(yù)計此款機臺只會出6臺，其余3臺會在年底前出貨，之后會推出NEX3300機臺量產(chǎn)型機臺，其曝光速度和瞄準(zhǔn)率均較高。
ASML進一步表示，目前NEX3300機臺全球接獲訂單數(shù)量已有10臺，客戶包括晶圓代工業(yè)者，以及臺、韓、美、日等內(nèi)存制造商，預(yù)計NEX3300機臺可在2012年正式交貨。
ASML進一步表示，第1代EUV機臺1片晶圓曝光時間要2小時，NEX3100機臺估計每小時可達曝光60片晶圓，但目前尚未達此目標(biāo)，未來NEX3300機臺目標(biāo)是1小時可曝光100片晶圓。
2010年DRAM產(chǎn)業(yè)剛從全球金融風(fēng)暴中復(fù)蘇，當(dāng)時各廠加速轉(zhuǎn)進40納米工藝，卻遇到ImmersionScanner機臺設(shè)備大缺貨，各廠工藝微縮進度都被關(guān)鍵機臺卡??；再者，浸潤式微米光刻機臺1臺要價近新臺幣10億元，對當(dāng)時體質(zhì)虛弱的DRAM廠而言，資本障礙也形成競爭力天險。
目前浸潤式微米光刻機臺設(shè)備缺貨問題已逐漸解除，半導(dǎo)體廠只有資金充裕，在固定交期下，拿到浸潤式微米光刻機臺都不是問題，不過要進入20納米工藝以下的技術(shù)競賽，必須要轉(zhuǎn)進EUV機臺，以1臺單價近30億元來看，對于DRAM廠而言，又是另一個艱巨的資金天險。
據(jù)了解，目前臺系內(nèi)存廠中，只有瑞晶已向ASML預(yù)定1臺EUV機臺，其他DRAM廠都按兵不動，加上如力晶、茂德等DRAM廠的營運重心都轉(zhuǎn)型至晶圓代工，真正生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的產(chǎn)能比重也降低，未來在轉(zhuǎn)進20納米工藝后，是否要購入EUV機臺，可能要從財務(wù)狀況評估。
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