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[導(dǎo)讀]包括ASE(AdvancedSemiconductorEngineering),Altera,ADI(AnalogDevices),LSI,安森美以及高通公司在內(nèi)的6家半導(dǎo)體公司現(xiàn)已加入了3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動(dòng)項(xiàng)目,該消息是由美國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)聯(lián)盟(Sematech)于日前

包括ASE(AdvancedSemiconductorEngineering),Altera,ADI(AnalogDevices),LSI,安森美以及高通公司在內(nèi)的6家半導(dǎo)體公司現(xiàn)已加入了3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動(dòng)項(xiàng)目,該消息是由美國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)聯(lián)盟(Sematech)于日前所公布。

去年Sematech宣布建成了首個(gè)300mm規(guī)格3DIC試產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn),該產(chǎn)線(xiàn)建在紐約州立大學(xué)納米科學(xué)與工程學(xué)院下屬的奧爾巴尼納米技術(shù)研究中心(CNSE)內(nèi),而Sematech的3DIC芯片堆疊技術(shù)研究則是以該研究中心為核心展開(kāi)的。在此之前,除了CNSE之外,已經(jīng)有GlobalFoundries,惠普,Hynix,IBM,Intel,三星以及聯(lián)電幾家公司加入了這個(gè)研究項(xiàng)目。

2010年12月份,Sematech聯(lián)合半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(SIA)以及半導(dǎo)體研究協(xié)會(huì)(SRC)一起啟動(dòng)了一項(xiàng)新的3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動(dòng)項(xiàng)目,該項(xiàng)目成立的目的是促進(jìn)3DIC技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化和對(duì)異構(gòu)型3DIC整合技術(shù)進(jìn)行研究。項(xiàng)目的首要目標(biāo)是確立出一套與3DIC關(guān)鍵技術(shù)如量檢測(cè)技術(shù),芯片鍵合技術(shù),微凸焊點(diǎn)(microbumping)等有關(guān)的技術(shù)和規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。

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