2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擺脫了2009年的衰退局面，快速回升，市場(chǎng)總額預(yù)計(jì)超過(guò)3000億美元，達(dá)到歷史最高水平。電腦系統(tǒng)和外設(shè)組成的數(shù)據(jù)處理是半導(dǎo)體產(chǎn)品最大的一類(lèi)應(yīng)用，占40%；其次是無(wú)線通信，占20%；緊跟其后的是消費(fèi)電子，占19%；有線通信和工業(yè)電子均約為9%；汽車(chē)電子為6%。與2009年相比，各領(lǐng)域新產(chǎn)品和新技術(shù)的發(fā)布明顯加快，產(chǎn)品需求旺盛，市場(chǎng)信心正在恢復(fù)。

2010年基本特點(diǎn)

2010年，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入了復(fù)蘇階段，產(chǎn)業(yè)在上半年出現(xiàn)了快速反彈，多家企業(yè)創(chuàng)下了歷史最好業(yè)績(jī)。市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，產(chǎn)品研發(fā)繼續(xù)。雖然下半年增速減慢，庫(kù)存有所增加，但年度市場(chǎng)總額仍創(chuàng)歷史記錄。

上半年快速?gòu)?fù)蘇下半年增速放緩

受?chē)?guó)際金融危機(jī)影響，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自2008年10月份開(kāi)始出現(xiàn)大幅下滑，2009年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額同比下降11.7%。在世界各國(guó)采取了刺激經(jīng)濟(jì)的政策和積極“救市”措施的影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以及我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2009年第二季度開(kāi)始回升。隨著全球經(jīng)濟(jì)的好轉(zhuǎn)以及市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2010年上半年快速?gòu)?fù)蘇，第一季度全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為699億美元，同比增長(zhǎng)65.4%，環(huán)比增長(zhǎng)7.5%。第二季度繼續(xù)保持快速上漲的勢(shì)頭，銷(xiāo)售額達(dá)748億美元，同比增長(zhǎng)44.7%，環(huán)比增長(zhǎng)7.1%。雖然下半年增長(zhǎng)速度明顯慢于上半年，但增長(zhǎng)的趨勢(shì)一直保持到了年末。第三季度銷(xiāo)售額為794億美元，同比增長(zhǎng)26.2%，環(huán)比增長(zhǎng)6.1%。第四季度銷(xiāo)售額僅環(huán)比增長(zhǎng)0.4%，同比增長(zhǎng)11.2%。最終2010年年度增長(zhǎng)率達(dá)到30%以上，是近10年來(lái)年度增長(zhǎng)率最高的一年，銷(xiāo)售額凈增870億美元，也是全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售額絕對(duì)值增加最多的一年。分析2010年出現(xiàn)高速增長(zhǎng)的原因，一方面在于各國(guó)刺激經(jīng)濟(jì)的政策初見(jiàn)成效，經(jīng)濟(jì)開(kāi)始回暖。另一方面全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2008年下降了23.4%，2009年又下降了6.7%，產(chǎn)業(yè)積聚了大量上升的能量，2010年出現(xiàn)了集中釋放。但市場(chǎng)不可能一直保持這么高的增長(zhǎng)速度，最終要回到一個(gè)正常的軌道上。2010年上半年產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)快速反彈，而下半年的放緩實(shí)際上是市場(chǎng)自發(fā)的回調(diào)，這也標(biāo)志著半導(dǎo)體市場(chǎng)正在逐步企穩(wěn)。

終端產(chǎn)品需求旺盛帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2010年電子整機(jī)產(chǎn)品市場(chǎng)出現(xiàn)巨幅增長(zhǎng)，強(qiáng)烈的需求直接拉動(dòng)了集成電路市場(chǎng)。2010年全球個(gè)人計(jì)算機(jī)生產(chǎn)了3.76億臺(tái)，同比增長(zhǎng)19.2%；手機(jī)市場(chǎng)同比增長(zhǎng)了15%，其中智能手機(jī)達(dá)2.51億臺(tái)，同比增長(zhǎng)37.9%；彩電產(chǎn)量為2.43億臺(tái)，同比增長(zhǎng)16%。這幾大類(lèi)電子整機(jī)的需求增長(zhǎng)，導(dǎo)致了英特爾、臺(tái)積電等公司的業(yè)績(jī)上升并達(dá)到歷史最高點(diǎn)。另外在存儲(chǔ)器行業(yè)，大部分企業(yè)也實(shí)現(xiàn)了扭虧為盈。美光增長(zhǎng)率達(dá)到113%，在全球半導(dǎo)體廠商排名中躍升至第8位。除此之外，新興的平板電腦、新型移動(dòng)終端等也對(duì)全球集成電路產(chǎn)業(yè)起到了不小的牽引作用。在這種需求帶動(dòng)下，全球主要的半導(dǎo)體廠商都獲得了不同幅度的增長(zhǎng)，專注于消費(fèi)電子市場(chǎng)的瑞薩電子表現(xiàn)明顯，實(shí)現(xiàn)128.3%的增長(zhǎng)率，在全球半導(dǎo)體廠商排名中列于第5位。

產(chǎn)品研發(fā)按既定路線前行

到目前為止，集成電路技術(shù)仍遵循著摩爾定律快速發(fā)展。以英特爾為代表的先進(jìn)集成電路企業(yè)一直在不斷地研發(fā)新產(chǎn)品。在2010年年初，英特爾基于32nm工藝的CPU產(chǎn)品已經(jīng)上市，基于下一代22nm新工藝的產(chǎn)品也已經(jīng)進(jìn)入試產(chǎn)階段，并即將投入量產(chǎn)。按照英特爾的路線圖，其首批22nm新工藝處理器代號(hào)為“IvyBridge”，照例橫跨服務(wù)器、桌面和移動(dòng)領(lǐng)域，核心架構(gòu)則會(huì)基本沿用2011年初即將面世的SandyBridge。按照英特爾的“Tick-Tock”鐘擺式發(fā)展策略，SandyBridge是一次老工藝、新架構(gòu)的Tock，IvyBridge則是新工藝、老架構(gòu)的Tick。此外，英特爾在面向高性能計(jì)算領(lǐng)域還研發(fā)了同樣采用22nm工藝、基于超多核心架構(gòu)的并行計(jì)算協(xié)處理芯片“KnightsCorner”，該芯片將會(huì)在2012年推出。

除此之外，三星半導(dǎo)體采用了更加先進(jìn)的30nm工藝生產(chǎn)內(nèi)存，并計(jì)劃在2011年采用更先進(jìn)的工藝。臺(tái)積電也開(kāi)始45nm產(chǎn)品的量產(chǎn)，并宣稱將跨過(guò)22nm直接進(jìn)入20nm的工藝研發(fā)。

未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

隨著全球經(jīng)濟(jì)從衰退的陰影中逐步走出，集成電路產(chǎn)業(yè)也出現(xiàn)了快速的恢復(fù)發(fā)展。由于市場(chǎng)的好轉(zhuǎn)，需求的旺盛，相應(yīng)的企業(yè)紛紛擴(kuò)大產(chǎn)能。與2009年相比，新技術(shù)的應(yīng)用開(kāi)始加快，一些尖端技術(shù)將逐步走向?qū)嵱没?BR>
進(jìn)入穩(wěn)步增長(zhǎng)階段

由于全球經(jīng)濟(jì)和電子產(chǎn)品市場(chǎng)繼續(xù)復(fù)蘇，對(duì)2011年的預(yù)計(jì)，各家業(yè)內(nèi)分析機(jī)構(gòu)的結(jié)論十分近似，均認(rèn)為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)仍將保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，但增長(zhǎng)率在5%左右，預(yù)計(jì)銷(xiāo)售額將達(dá)到3150億美元左右。這與2010年30%左右的預(yù)期增長(zhǎng)率無(wú)法相比。但是，由于衰退已經(jīng)結(jié)束，今后幾年半導(dǎo)體銷(xiāo)售額將進(jìn)入穩(wěn)步增長(zhǎng)階段，增長(zhǎng)速度平均為4%～6%。2014年市場(chǎng)總額將達(dá)到3600億美元左右。

從地區(qū)分布來(lái)看，世界各地區(qū)比較平均，未來(lái)兩年的增長(zhǎng)率都基本保持在5%左右。根據(jù)WSTS最新預(yù)測(cè)，美洲地區(qū)2011年增長(zhǎng)率為4.9%，2012年達(dá)5.5%；歐洲地區(qū)2011年增長(zhǎng)率較低，為2.3%，2012年也將達(dá)5.3%；日本2011年增長(zhǎng)率為5.2%，2012年為5.1%；亞太地區(qū)2011年增長(zhǎng)率為4.7%，2012年為5.9%。

20nm工藝技術(shù)即將成為主流

當(dāng)前，半導(dǎo)體技術(shù)日新月異，但在未來(lái)5～10年內(nèi)，硅基CMOS集成電路仍將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主導(dǎo)，并依然會(huì)迅速發(fā)展。作為集成電路產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)制高點(diǎn)的CPU，當(dāng)前主流產(chǎn)品工藝已從45nm向32nm過(guò)渡，并在近年內(nèi)將向22nm及其以下方向演進(jìn)。2009年12月，英特爾公司宣布32nm芯片開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)，其32nm系列相關(guān)產(chǎn)品2010年1月份已經(jīng)進(jìn)入市場(chǎng)銷(xiāo)售。并且英特爾宣布于2011年晚些時(shí)候發(fā)布22nm處理器。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要組成部分的存儲(chǔ)器方面也是如此，NAND閃存的容量目前正以超過(guò)摩爾定律的速度不斷擴(kuò)大，新產(chǎn)品不斷出現(xiàn)。如東芝與美國(guó)閃迪(SanDisk)共同研發(fā)了24nm工藝2bit/單元的64Gbit產(chǎn)品，韓國(guó)三星電子研發(fā)出20nm節(jié)點(diǎn)工藝3bit/單元的64GbitNAND產(chǎn)品等。

尖端技術(shù)將逐步實(shí)用化

2010年，CMOS技術(shù)已正式進(jìn)入32nm的量產(chǎn)階段，而根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖預(yù)測(cè)，2012年將進(jìn)入22nm階段。隨著特征尺寸的不斷減少，一些尖端的技術(shù)也將逐步實(shí)用化。以極紫外(EUV)光刻技術(shù)為例，GlobalFoundries公司宣布將在15nm工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始啟用EUV光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。并且公司計(jì)劃于2012年下半年在紐約工廠部署EUV光刻設(shè)備。巧合的是，光刻設(shè)備廠商ASML公司也將于這個(gè)時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始上市EUV光刻設(shè)備。英特爾曾計(jì)劃在22nm工藝節(jié)點(diǎn)啟用EUV光刻設(shè)備，但其計(jì)劃有所改變，公司稱將把193nm浸液式光刻技術(shù)沿用到15nm工藝乃至11nm工藝節(jié)點(diǎn)。[!--empirenews.page--]

主要企業(yè)情況

在集成電路行業(yè)中，主要的產(chǎn)品門(mén)類(lèi)是CPU、存儲(chǔ)器、專用電路等，這幾大門(mén)類(lèi)產(chǎn)品主要生產(chǎn)公司的年度發(fā)展情況，很大程度上可以作為行業(yè)的晴雨表和溫度計(jì)。還有一類(lèi)企業(yè)是專業(yè)的代工廠，其發(fā)展情況也可以從一個(gè)側(cè)面反映行業(yè)的年度發(fā)展情況。

英特爾：向超便攜應(yīng)用擴(kuò)展

根據(jù)Gartner公布的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，以銷(xiāo)售額計(jì)算，2010年英特爾在芯片市場(chǎng)仍將連續(xù)第19年排名第一。不過(guò)英特爾的市場(chǎng)占有率預(yù)計(jì)將從2009年的14.2%下降至13.8%?？v觀全年，英特爾保持了較好的增長(zhǎng)勢(shì)頭，2010年收入約為414億美元，同比增長(zhǎng)24.6%。

在產(chǎn)品發(fā)布上，公司不斷發(fā)布新型產(chǎn)品。在2010年1月份，IntelCorei7、i5和i3上市。2月份，其采用新IntelCorevPro架構(gòu)的處理器系列發(fā)布，3月底，又推出了8核心及16線程的IntelXeon7500處理器系列，5月推出新一代凌動(dòng)處理器Z6xx系列，8月底公司發(fā)布了12款全新雙核心凌動(dòng)處理器，11月發(fā)布搭配了FPGA的凌動(dòng)處理器E600C系列。從一年的產(chǎn)品發(fā)布來(lái)看，公司除保持其在桌面及服務(wù)器等領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)地位外，仍在繼續(xù)向超便攜領(lǐng)域的應(yīng)用擴(kuò)展。

三星半導(dǎo)體：存儲(chǔ)器貢獻(xiàn)率大

作為全球排名第二的半導(dǎo)體廠商，三星半導(dǎo)體仍然是全球最大的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商。2010年，三星電子公司的銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)59.8%，達(dá)283億美元，其中三星半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)貢獻(xiàn)率為80%左右。根據(jù)iSuppli公司的統(tǒng)計(jì)顯示，2010年第三季度三星半導(dǎo)體是全球前5大DRAM存儲(chǔ)器廠商中唯一維持正增長(zhǎng)的公司。三星電子DRAM存儲(chǔ)器第三季度銷(xiāo)售額為43.6億美元，同比增長(zhǎng)102.5%。

據(jù)Gartner的統(tǒng)計(jì)，近年來(lái)三星半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)勢(shì)頭超過(guò)了英特爾。ICInsights預(yù)計(jì)，若能保持現(xiàn)在的增速，三星半導(dǎo)體有望在2014至2015年時(shí)超越英特爾。三星半導(dǎo)體的業(yè)績(jī)與其積極的投資策略密不可分，2010年三星電子在半導(dǎo)體方面的投資額度達(dá)96億美元，占全球半導(dǎo)體投資的22%，比英特爾和臺(tái)積電加起來(lái)還多。據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)，2011年三星仍將投入92億美元，而英特爾和臺(tái)積電同期的投資額預(yù)計(jì)為50億美元和49億美元。

新產(chǎn)品方面，2010年三星半導(dǎo)體的腳步也沒(méi)有放慢。2010年2月，公司宣布量產(chǎn)40nm的4GbDDR3內(nèi)存芯片。4月，三星率先批量生產(chǎn)20nmNAND閃存，并推出了全球首款多芯片封裝(MCP)相變存儲(chǔ)器(PRAM)產(chǎn)品。7月，開(kāi)始了30nm2GBDDR3DRAM的量產(chǎn)。9月發(fā)布了新款雙核1GHzOrion處理器。

德州儀器：專注模擬芯片

2010年，德州儀器收獲頗豐，該公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)整體收入12.4億美元，環(huán)比增長(zhǎng)35.2%，在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)排名第4，市場(chǎng)份額占到4%。其第一季度營(yíng)收為32.05億美元，同比增長(zhǎng)54%，凈利潤(rùn)為6.58億美元，同比增長(zhǎng)3771%。第二季度營(yíng)收為34.96億美元，同比增長(zhǎng)42%；凈利潤(rùn)為7.69億美元，同比增長(zhǎng)196%。其收入構(gòu)成中，模擬產(chǎn)品營(yíng)收為15.12億美元，同比增長(zhǎng)56%；嵌入式處理產(chǎn)品營(yíng)收為5.16億美元，同比增長(zhǎng)47%；無(wú)線產(chǎn)品營(yíng)收為7.27億美元，同比增長(zhǎng)18%。公司第三季度營(yíng)收為37.4億美元，凈利潤(rùn)增至8.59億美元。預(yù)計(jì)第四季度公司營(yíng)業(yè)收入為34.3億美元至35.7億美元。

德州儀器2010年的新產(chǎn)品發(fā)布比較密集，平均每月都有幾款不同類(lèi)型的產(chǎn)品推出，在鞏固數(shù)字信號(hào)處理器市場(chǎng)的同時(shí)，公司正專注于模擬芯片市場(chǎng)。

此外，臺(tái)積電是全球最大的半導(dǎo)體代工企業(yè)，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從國(guó)際金融危機(jī)中逐步恢復(fù)，臺(tái)積電的營(yíng)收狀況也出現(xiàn)明顯回升。公司2010年?duì)I收達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的143.5億美元，同比增長(zhǎng)41.9%。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀預(yù)計(jì)，2011年半導(dǎo)體代工業(yè)產(chǎn)值年增長(zhǎng)率將達(dá)到14%，高于整體半導(dǎo)體業(yè)的5%，而臺(tái)積電的增長(zhǎng)還會(huì)高于代工業(yè)平均增長(zhǎng)率。

工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所副所長(zhǎng)畢開(kāi)春