強化電源戰(zhàn)力 英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)
[導讀]繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)能需求，并鞏固既有市場地位。
臺灣英飛凌副總裁暨執(zhí)行董事詹啟祥指出，超接面MOSFET將是未來功率半導體市場的主流。
臺灣英飛凌副總裁暨執(zhí)行董事詹啟祥表示，該公司已在奧地利展開12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)工作，主要將用于超接合(SuperJunction)技術(shù)的金屬氧化物半導體場效應(yīng)電晶體(MOSFET)等功率半導體元件的生產(chǎn)，一旦相關(guān)發(fā)展成熟后，將可移植至馬來西亞的晶圓廠進行量產(chǎn)。
由于超接面MOSFET可較傳統(tǒng)平面式(Planar)MOSFET在相同尺寸的裸晶(Die)上實現(xiàn)更低的導通電阻與切換損失，進而提升每單位面積的功率密度，因此，在節(jié)能意識抬頭的市場環(huán)境中，重要性與日俱增，產(chǎn)品滲透率也節(jié)節(jié)攀升。
不過，與平面式MOSFET相比，目前超接面MOSFET產(chǎn)品價格仍偏高，所以英飛凌所推行的12寸晶圓量產(chǎn)計畫，將有助進一步降低超接面MOSFET成本，為該市場的起飛預先作好準備。詹啟祥分析，盡管目前傳統(tǒng)平面式MOSFET的市場規(guī)模仍占大宗，但未來超接面MOSFET方案將會快速放量成長，兩者將呈現(xiàn)明顯的消長態(tài)勢。
位于奧地利菲拉赫(Villach)的英飛凌奧地利分公司，是英飛凌極為重要的研發(fā)和制造中心，規(guī)模僅次于德國總部與馬來西亞分公司，專精于應(yīng)用在汽車和工業(yè)暨多重市場的能源效率方案開發(fā)，并致力以低轉(zhuǎn)換損失的功率半導體實現(xiàn)系統(tǒng)的微型化和高能效發(fā)展；此外，感測器和非接觸式安全晶片亦是另一研發(fā)重點。
詹啟祥強調(diào)，歷經(jīng)有線與無線事業(yè)部門的切割后，現(xiàn)今的英飛凌已處于最佳的發(fā)展狀態(tài)，產(chǎn)品組合也更為聚焦，尤其是功率半導體、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及碳化矽(SiC)蕭特基二極體等方案，更是該公司最自豪的優(yōu)勢，對汽車和工業(yè)暨多重市場的拓展，將是莫大的助益。
據(jù)了解，，英飛凌于2010年會計年度的研發(fā)費用高達3億9,900萬歐元，占總體營收比重的25%，較2009年會計年度的1億9,500萬歐元(占總營收約22%)大幅攀升。
臺灣英飛凌副總裁暨執(zhí)行董事詹啟祥指出，超接面MOSFET將是未來功率半導體市場的主流。
臺灣英飛凌副總裁暨執(zhí)行董事詹啟祥表示，該公司已在奧地利展開12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)工作，主要將用于超接合(SuperJunction)技術(shù)的金屬氧化物半導體場效應(yīng)電晶體(MOSFET)等功率半導體元件的生產(chǎn)，一旦相關(guān)發(fā)展成熟后，將可移植至馬來西亞的晶圓廠進行量產(chǎn)。
由于超接面MOSFET可較傳統(tǒng)平面式(Planar)MOSFET在相同尺寸的裸晶(Die)上實現(xiàn)更低的導通電阻與切換損失，進而提升每單位面積的功率密度，因此，在節(jié)能意識抬頭的市場環(huán)境中，重要性與日俱增，產(chǎn)品滲透率也節(jié)節(jié)攀升。
不過，與平面式MOSFET相比，目前超接面MOSFET產(chǎn)品價格仍偏高，所以英飛凌所推行的12寸晶圓量產(chǎn)計畫，將有助進一步降低超接面MOSFET成本，為該市場的起飛預先作好準備。詹啟祥分析，盡管目前傳統(tǒng)平面式MOSFET的市場規(guī)模仍占大宗，但未來超接面MOSFET方案將會快速放量成長，兩者將呈現(xiàn)明顯的消長態(tài)勢。
位于奧地利菲拉赫(Villach)的英飛凌奧地利分公司，是英飛凌極為重要的研發(fā)和制造中心，規(guī)模僅次于德國總部與馬來西亞分公司，專精于應(yīng)用在汽車和工業(yè)暨多重市場的能源效率方案開發(fā)，并致力以低轉(zhuǎn)換損失的功率半導體實現(xiàn)系統(tǒng)的微型化和高能效發(fā)展；此外，感測器和非接觸式安全晶片亦是另一研發(fā)重點。
詹啟祥強調(diào)，歷經(jīng)有線與無線事業(yè)部門的切割后，現(xiàn)今的英飛凌已處于最佳的發(fā)展狀態(tài)，產(chǎn)品組合也更為聚焦，尤其是功率半導體、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及碳化矽(SiC)蕭特基二極體等方案，更是該公司最自豪的優(yōu)勢，對汽車和工業(yè)暨多重市場的拓展，將是莫大的助益。
據(jù)了解，，英飛凌于2010年會計年度的研發(fā)費用高達3億9,900萬歐元，占總體營收比重的25%，較2009年會計年度的1億9,500萬歐元(占總營收約22%)大幅攀升。
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