東芝開始量產(chǎn)24nm工藝NAND閃存
[導(dǎo)讀]東芝公司宣布，即日起開始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片，這也是該領(lǐng)域內(nèi)迄今為止最為先進(jìn)的制造技術(shù)。東芝透露，24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲密度最高的2bpc(每單元兩個比特)MLCNAND閃存芯片，單顆
東芝公司宣布，即日起開始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片，這也是該領(lǐng)域內(nèi)迄今為止最為先進(jìn)的制造技術(shù)。
東芝透露，24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲密度最高的2bpc(每單元兩個比特)MLCNAND閃存芯片，單顆容量64Gb(8GB)，今后還會使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規(guī)格的閃存芯片。
東芝表示，新工藝將進(jìn)一步減小芯片尺寸、提高生產(chǎn)效率，同時還支持ToggleDDR接口規(guī)范，有助于增強(qiáng)數(shù)據(jù)傳輸速度。
在此之前，Intel、美光合資的IMFlash已經(jīng)開始批量生產(chǎn)25nm工藝NAND閃存芯片，并試產(chǎn)了3bps規(guī)格芯片。
東芝透露，24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲密度最高的2bpc(每單元兩個比特)MLCNAND閃存芯片，單顆容量64Gb(8GB)，今后還會使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規(guī)格的閃存芯片。
東芝表示，新工藝將進(jìn)一步減小芯片尺寸、提高生產(chǎn)效率，同時還支持ToggleDDR接口規(guī)范，有助于增強(qiáng)數(shù)據(jù)傳輸速度。
在此之前，Intel、美光合資的IMFlash已經(jīng)開始批量生產(chǎn)25nm工藝NAND閃存芯片，并試產(chǎn)了3bps規(guī)格芯片。
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