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[導(dǎo)讀]MEMS成功挺進(jìn)消費(fèi)性電子應(yīng)用后,更加受到矚目。矽谷也掀一股MEMS風(fēng)潮,除可見(jiàn)MEMS新創(chuàng)公司如雨后春筍冒出,創(chuàng)立多時(shí)的MEMS晶圓代工廠(chǎng)也因訂單的增加,新興應(yīng)用的崛起,加上制程技術(shù)的突破,明顯感受MEMS產(chǎn)業(yè)倒吃甘蔗

MEMS成功挺進(jìn)消費(fèi)性電子應(yīng)用后,更加受到矚目。矽谷也掀一股MEMS風(fēng)潮,除可見(jiàn)MEMS新創(chuàng)公司如雨后春筍冒出,創(chuàng)立多時(shí)的MEMS晶圓代工廠(chǎng)也因訂單的增加,新興應(yīng)用的崛起,加上制程技術(shù)的突破,明顯感受MEMS產(chǎn)業(yè)倒吃甘蔗的滋味。
根據(jù)iSuppli資料顯示,2006~2014年MEMS產(chǎn)業(yè)的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)達(dá)11.6%,其中,雖然行動(dòng)與消費(fèi)性電子應(yīng)用仍蔚為大宗,但是諸如工業(yè)/處理控制、醫(yī)療電子、航太、國(guó)防、保全與有線(xiàn)通訊等高價(jià)值的應(yīng)用也貢獻(xiàn)良多。 

圖1 IMT事業(yè)發(fā)展副總裁Craig T. Trautman表示,IMT將持續(xù)投資與開(kāi)發(fā)可重復(fù)使用的MEMS標(biāo)準(zhǔn)化制程、模組與平臺(tái)。
成立于2000年的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)晶圓代工廠(chǎng)IMT,因未在亞洲設(shè)立據(jù)點(diǎn),讓亞洲媒體誤以為是新公司,然該公司已成立逾10年,IMT事業(yè)發(fā)展副總裁Craig T. Trautman(圖1)表示,事實(shí)上,IMT是全美最大的純MEMS晶圓代工廠(chǎng),不但擁有自家的廠(chǎng)房與設(shè)備,且是獲利多年的公司。 

目前擁有一百名員工的IMT,仍持續(xù)擴(kuò)大人員編置,有關(guān)該公司的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),Trautman強(qiáng)調(diào),IMT是全球最精確、最快、最靈敏與最復(fù)雜的MEMS晶圓代工廠(chǎng),同時(shí)也在大量生產(chǎn)上擁有領(lǐng)導(dǎo)地位,目前已交貨逾六千二百萬(wàn)顆MEMS交換器。此外,透過(guò)與客戶(hù)共同合作,IMT亦可提供量身訂制的解決方案。 

回顧1995年的MEMS市場(chǎng),當(dāng)時(shí)市場(chǎng)產(chǎn)值僅15億美元,在市場(chǎng)規(guī)模如此小的情況下,不但純MEMS晶圓代工廠(chǎng)很難存活,技術(shù)的投資也只注重如何將感測(cè)器做得更好,應(yīng)用領(lǐng)域則局限于安全氣囊加速度計(jì)、噴墨印表機(jī)讀寫(xiě)頭與壓力感測(cè)器等。 

MEMS產(chǎn)值15年漲四倍

Trautman指出,2010年MEMS產(chǎn)值躍升為60億美元,其中,晶圓代工廠(chǎng)產(chǎn)值即占5億美元,各種技術(shù)的投資已相當(dāng)廣泛,包括晶圓級(jí)封裝(WLP)、矽穿孔(TSV)、三維(3D)結(jié)構(gòu)、標(biāo)準(zhǔn)化模組與平臺(tái)等。而應(yīng)用范圍也已包羅萬(wàn)象,舉凡多軸加速度計(jì)、陀螺儀、光學(xué)轉(zhuǎn)換的鏡片陣列、整合機(jī)械振蕩器的半導(dǎo)體晶片、用于制造、保全與醫(yī)藥的生化感測(cè)器等皆相當(dāng)普遍。 

MEMS元件技術(shù)迭有突破

擁有MEMS時(shí)脈市場(chǎng)高達(dá)85%市占率的SiTime,也在MEMS市場(chǎng)逐漸擴(kuò)大與相關(guān)技術(shù)不斷精進(jìn)下,營(yíng)收迅速增加。 

SiTime執(zhí)行長(zhǎng)Rajesh Vashist表示,截至2010年10月,SiTime已出貨三億顆產(chǎn)品,預(yù)估2009~2015年的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)將高達(dá)99%。該公司善用矽的特性,不斷提升MEMS元件在性能、品質(zhì)與成本的優(yōu)勢(shì)。與石英元件相比較,SiTime的振蕩器無(wú)論在產(chǎn)品供貨期、可編程的靈活性、成本、耐用性與可靠性皆略勝一籌。 

繼全矽振蕩器,SiTime于日前又推出業(yè)界第一顆全矽 MEMS諧振器(Resonator),再度驗(yàn)證半導(dǎo)體優(yōu)于石英的特質(zhì)。由于利用標(biāo)準(zhǔn)IC塑膠封裝整合在主晶片中,可去除電子系統(tǒng)外所有外掛即時(shí)計(jì)時(shí)元件,不僅提升不少成本效益,且創(chuàng)下全矽時(shí)脈±5PPM頻率穩(wěn)定性的紀(jì)錄,目標(biāo)瞄準(zhǔn)20億美元的諧振器市場(chǎng)。 

SiTime時(shí)脈產(chǎn)品必須經(jīng)過(guò)該公司實(shí)驗(yàn)室嚴(yán)格測(cè)試,確保頻率穩(wěn)定性。
Vashist指出,SiTime是業(yè)界唯一成功針對(duì)時(shí)脈市場(chǎng)中振諧器、振蕩器與時(shí)脈產(chǎn)生器提出全面解決方案的公司。在成功打入15億美元的振蕩器市場(chǎng)后,該公司于日前再接再厲推出適用于即時(shí)時(shí)脈晶片與即時(shí)計(jì)時(shí)應(yīng)用的MEMS諧振器,進(jìn)軍年產(chǎn)量一百二十億顆、產(chǎn)值高達(dá)20億美元的諧振器市場(chǎng)。 

SiTime晶片目標(biāo)取代石英元件

圖2 SiTime行銷(xiāo)副總裁Piyush Sevalia強(qiáng)調(diào),未來(lái)的時(shí)脈產(chǎn)品將同時(shí)擁有性能、品質(zhì)與成本等優(yōu)勢(shì)。
SiTime行銷(xiāo)副總裁Piyush Sevalia(圖2)則補(bǔ)充說(shuō)明,透過(guò)打線(xiàn)或覆晶的方式,該諧振器可與系統(tǒng)單晶片(SoC)、特定應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)與特定應(yīng)用積體電路(ASIC)等主晶片裸片整合,并采用標(biāo)準(zhǔn)塑膠晶片封裝,有助于系統(tǒng)廠(chǎng)商縮小產(chǎn)品尺寸,尤其減少其他的元件,不但可以簡(jiǎn)化系統(tǒng)的設(shè)計(jì),加快產(chǎn)品上市時(shí)程,更可降低成本。該諧振器的尺寸也是一大優(yōu)勢(shì),僅為最小的32.768kHz傳統(tǒng)石英諧振器的十分之一。 

針對(duì)矽諧振器與傳統(tǒng)石英產(chǎn)品的比較,SiTime首席科學(xué)官Aaron Patridge(圖3)分析,SiTime的矽諧振器具有更佳的頻率穩(wěn)定性,可在不同溫度范圍、不同電壓變化與不同制程下保持±5PPM頻率的穩(wěn)定性,反觀石英諧振器,受焊接與回流焊等影響所造成的頻率誤差則是眾所周知的事實(shí)。無(wú)庸置疑,矽諧振器將可提升終端產(chǎn)品效能與可靠性,同時(shí)也減輕系統(tǒng)商的設(shè)計(jì)與采購(gòu)元件等工作。 

欠缺標(biāo)準(zhǔn)/EDA工具 MEMS挑戰(zhàn)重重 

圖3 SiTime首席科學(xué)官Aaron Patridge指出,該公司全矽MEMS諧振器可替代32kHz石英晶體。
盡管MEMS產(chǎn)業(yè)逐漸拓展版圖,眼前面臨的挑戰(zhàn)仍不少,Trautman不諱言,由于MEMS產(chǎn)業(yè)缺乏標(biāo)準(zhǔn),導(dǎo)致目前針對(duì)每一種產(chǎn)品皆需要自成一格的制程與封裝,再加上相對(duì)于互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)產(chǎn)業(yè),MEMS的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具也較不成熟,在在影響未來(lái)的發(fā)展。Trautman預(yù)測(cè),MEMS產(chǎn)業(yè)未來(lái)將走向更完全的整合,屆時(shí),勢(shì)必更增加其復(fù)雜性且需要更多軟體。 

除了上述簡(jiǎn)化發(fā)展與制造的挑戰(zhàn)外,Trautman認(rèn)為,MEMS因涉及多元的科學(xué)與學(xué)術(shù)如電子、物理、機(jī)械、生物、化學(xué)等,相當(dāng)復(fù)雜,需要各種專(zhuān)業(yè)的研發(fā)人員通力合作,難度確實(shí)很高。此外,在沒(méi)有成熟技術(shù)的支撐下,面對(duì)客戶(hù)的要求,MEMS尚須克服持續(xù)降低開(kāi)發(fā)與制造成本的難題。 

歷經(jīng)10年的摸索,IMT已累積豐富的經(jīng)驗(yàn)與專(zhuān)業(yè),Trautman強(qiáng)調(diào),IMT擁有最佳的戰(zhàn)斗位置,憑藉建立的技術(shù)模組、平臺(tái),加上善于讓不同應(yīng)用的制程可以互相運(yùn)用,IMT已明顯實(shí)現(xiàn)降低開(kāi)發(fā)時(shí)間與成本的目標(biāo)。 

IMT新增TSV利器

事實(shí)上,相當(dāng)重視研發(fā)的IMT于日前又有另一新突破。在加入銅填充15~60微米(μm)深度的TSV結(jié)構(gòu)生產(chǎn)近兩年后,IMT已完成50~250微米銅填充TSV的樣品,預(yù)計(jì)于今年上半年后隨即進(jìn)行生產(chǎn)。  [!--empirenews.page--]

為達(dá)到新系統(tǒng)要求的性能水準(zhǔn),RF應(yīng)用正利用透過(guò)垂直整合、更短的單一訊號(hào)路徑,而銅填充TSV引起的插入損耗、阻抗可以忽略不計(jì)。TSV的整合已蔓延至其他功能開(kāi)發(fā)且?guī)?lái)訊號(hào)損失最小化與縮小裝置空間的好處,后者主要的驅(qū)動(dòng)力量即來(lái)自于行動(dòng)應(yīng)用。輔以晶圓級(jí)和系統(tǒng)級(jí)的組裝和封裝,TSV為實(shí)現(xiàn)下一代3D整合的關(guān)鍵角色。 

Trautman指出,IMT致力于多晶矽的TSV技術(shù),最近的研發(fā)重點(diǎn)則是以具有高性能的銅材料為主。IMT的銅填充TSV展示品具有小于0.01歐姆(Ω)的電阻,在6GHz頻寬下,插入損耗僅0.01。因應(yīng)市場(chǎng)需求,IMT將持續(xù)發(fā)展金屬填充TSV,同時(shí)計(jì)劃于2011年下半年推出寬高比為10:1的TSV。 

觀察過(guò)去兩年,由于IMT在射頻市場(chǎng)的積極推動(dòng),使用該公司TSV技術(shù)的客戶(hù)正穩(wěn)定增加中,Trautman透露,包括光學(xué)、生命科學(xué)等矽材基板(Interposer)應(yīng)用與市場(chǎng)已發(fā)現(xiàn)可使用該公司的TSV技術(shù),以達(dá)到整合的目的,IMT目前另有生產(chǎn)專(zhuān)案可導(dǎo)入超過(guò)十四萬(wàn)TSV在單一晶圓上,該公司預(yù)期TSV技術(shù)的使用將繼續(xù)精益求精。




    
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