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[導讀]晶圓代工廠突破28奈米制程后,帶動半導體產(chǎn)業(yè)鏈往20奈米制程持續(xù)推進,高階制程的整合式發(fā)展,也讓新型晶片在各種運作環(huán)境下衍生出新的可靠度問題。電子驗證服務商宜特(3289)對此推出高功率的IC模擬測試平臺,協(xié)助IC

晶圓代工廠突破28奈米制程后,帶動半導體產(chǎn)業(yè)鏈往20奈米制程持續(xù)推進,高階制程的整合式發(fā)展,也讓新型晶片在各種運作環(huán)境下衍生出新的可靠度問題。電子驗證服務商宜特(3289)對此推出高功率的IC模擬測試平臺,協(xié)助IC供應商測試晶片在高溫環(huán)境下的工作壽命,協(xié)助客戶以更低成本方式,對先進制程IC執(zhí)行可靠度驗證。

宜特指出,云端整合技術正日趨成熟、行動通訊產(chǎn)品滲透率更是與日俱增,半導體元件在行動裝置發(fā)展趨勢推升之下不斷縮微,高階制程往28、20奈米遷移,封測大廠日月光(2311)、矽品(2325)也開始切入系統(tǒng)級封裝(SiP)、層塊堆疊封裝(PoP)、乃至矽鉆孔封裝(TSV)等先進制程,足證半導體制程正演變得更加精密。

然而值得注意的是,將多個IC組裝在同一個封裝載體時,其整體效能與壽命卻會受到內(nèi)含元件的不同熱傳導干擾而下降;若多層堆疊、封裝的電晶體采用不同制程,其功率變異范圍更會隨之提升,產(chǎn)生的熱耗問題也變得更加復雜。

宜特指出,根據(jù)業(yè)界評估,晶片運作溫度每上升攝氏10度,晶片壽命就會縮減一半,而高階制程的IC更因內(nèi)部電晶體密度更高,產(chǎn)生的熱度比傳統(tǒng)IC還高上數(shù)倍,如何在高溫運作環(huán)境確保IC運作效能,已是半導體產(chǎn)業(yè)必須面對的關鍵問題;為了切入此一新興測試領域,宜特已建立高溫模擬實驗平臺,可協(xié)助客戶進行高階晶片的測試。

宜特說明,近期引進的IC高溫運作壽命解決方案,以獨立溫控系統(tǒng)取代傳統(tǒng)的室溫控制加溫方式,可有效協(xié)助IC設計公司降低實驗環(huán)境的不確定性,取得更精準的實驗數(shù)據(jù),并據(jù)以縮短產(chǎn)品驗證時間、并提升晶片的運作可靠度。



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