全美第一，全球第二大之化學(xué)公司陶氏化學(xué)旗下電子材料今(8)日在國際半導(dǎo)體展發(fā)表最新無研磨?；瘜W(xué)機械研磨(Chemical mechanical polishing,CMP)銅制程，該技術(shù)結(jié)合RL3100無研磨粒及VisionPad 500研磨墊能有效用來提高晶圓制程時的良率。陶氏大中華暨東南亞區(qū)總經(jīng)理陳嘉平表示，隨著半導(dǎo)體元件體積愈做愈小，除了制程進步、技術(shù)門檻提高外，同時企業(yè)也要設(shè)法降低成本，提高良率。

事實上，化學(xué)機械研磨是應(yīng)用在半導(dǎo)體晶圓的平坦化制程之一，在研磨晶片時，須將晶片置于研磨墊(Pad)上，配合研磨液中的化學(xué)物品才能移除晶圓表面上的雜質(zhì)。不過一般研磨液里頭含有大量研磨粒，容易讓晶圓產(chǎn)生缺陷，但RL3100擁有高研磨效率、晶圓表面銅的清除能力，且具稀釋性，可以減少研磨墊的清洗并提高使用壽命，還可藉此提高產(chǎn)能。

據(jù)了解，目前該產(chǎn)品也已被美國14奈米高階制程的晶圓大廠采用，成為其主要供應(yīng)商，臺灣區(qū)的產(chǎn)能則負責(zé)供應(yīng)整個亞太地區(qū)，現(xiàn)階段有高達8成的研磨墊都是來自臺灣廠供應(yīng)。而此次世代的研磨液也被IDM(整合元件廠)選為14奈米節(jié)點的記錄制程(Process of Record)及晶圓代工廠28奈米的TSV(直通矽晶穿孔Through-Silicon Via封裝技術(shù))制程采用。