宜特科技（IST）于前（9）日宣布，繼研究“爬行腐蝕發(fā)生在PCB的驗證方法”研發(fā)成果，蟬聯(lián)兩屆SMTA China最佳論文后，宜特科技研發(fā)成果再添殊榮，獲選為全球最具代表性的電子材料科學(xué)期刊jMS)論文。

該期刊探討全球最新的半導(dǎo)體元件材料失效、品質(zhì)保證與可靠度分析，經(jīng)常被引用于電子材料相關(guān)技術(shù)的研究。此篇論文“晶圓級晶片尺寸封裝電路修補技術(shù)” (Innovative Methodologies of Circuit Edit On Waver-Level Chip Scale Package(WLCSP) Devices)于2010年底，即獲得國際材料工程與科學(xué)協(xié)會(ASM)所舉辦的失效分析暨測試研討會肯定，邀請宜特研發(fā)團(tuán)隊遠(yuǎn)赴美國德州達(dá)拉斯，發(fā)表最新研究成果。

宜特科技整合故障分析工程處處長張明倫表示，本技術(shù)系使用先進(jìn)的聚焦離子束顯微鏡(FIB)設(shè)備，先制作出導(dǎo)電孔及導(dǎo)電墊子，再利用宜特自行開發(fā)出的接合方法使導(dǎo)電墊子連接金屬導(dǎo)線，成功研發(fā)出不須將重布線層移除，完整保留IC封裝之電路修改的技術(shù)。此外，該技術(shù)亦可應(yīng)用于修正RDL的錯誤。 張明倫進(jìn)一步指出，此研究的挑戰(zhàn)在于WLCSP的RDL與錫球(solder ball)位在IC金屬層電路上方，讓電路修改時可運用的空間遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的封裝型態(tài)，且因其護(hù)層(Passivation)之厚度非常厚，導(dǎo)致FIB在施作導(dǎo)電孔時，對于高寬比(aspect ratio)的要求，比起一般IC更具挑戰(zhàn)性。