隨著芯片制程逐漸微縮到28納米，在芯片密度更高及成本降低壓力下，銅柱凸塊(Copper Pillar Bump)技術正逐漸取代錫鉛凸塊，成為覆晶主流技術，封裝技術變革大戰(zhàn)再度開打。由于一線封裝大廠包括艾克爾(Amkor)、日月光、星科金朋(STATS ChipPAC)、矽品等皆具備銅柱凸塊技術能力，業(yè)界預期2012年可望放量生產，并躍升技術主流。

芯片制程逐漸自40納米往28納米微縮，芯片體積變小，對空間、密度要求更高，加上成本壓力有增無減，促使芯片廠紛改采銅柱凸塊技術，封測相關業(yè)者表示，主要通訊芯片大廠如德儀(TI)、高通(Qualcomm)、邁威爾(Marvell)、博通(Broadcom)、英飛凌(Infineon)紛跟進采用，目前主要封裝大廠皆具備銅柱凸塊技術能力，其中以艾克爾因與德儀合作OMAP4平臺，進展腳步最快，其次為日月光、星科金朋和矽品。

事實上，以英特爾(Intel)為首的IC芯片制造業(yè)，已開始在特定產品采用銅柱凸塊覆晶技術，初期主要用在PC相關芯片，然近期通訊芯片產品采用銅柱凸塊情況益趨增加，象是德儀基頻芯片平臺OMAP4便采用銅柱凸塊技術。封測業(yè)者表示，由于智能型手機講求短薄、功能多元及電力持久等特性，為預留較大電池空間，不僅需提高芯片密度，芯片厚度亦必須變薄，使得銅柱凸塊成為較佳的覆晶植球技術。

面對封裝技術演變，日月光在銅打線制程腳步相對領先，但在銅柱凸塊落后艾克爾，近期已開始送樣認證，根據客戶產品藍圖規(guī)畫，隨著28納米制程在2012年躍升主流，將推升銅柱凸塊需求大幅成長。

對于以邏輯IC為主的封裝廠，覆晶植球技術自錫鉛凸塊轉為銅柱凸塊，封裝廠仍可沿用舊機臺，只需更換電鍍液即可，轉換成本不高，但對于以金凸塊為主的廠商，轉換技術可能較不易，以頎邦為例，由于金價高漲，降低成本不易，其雖擁有銅柱凸塊技術能力，但由于金凸塊和銅柱凸塊制程不同，必須投資新產線，以投資1萬片12寸晶圓所需銅柱凸塊制程產線而言，全線資本支出恐達新臺幣10億~20億元，所費不貲。

在英特爾促使下，PC相關元件已率先采用銅柱凸塊，估計自2010~2016年銅柱凸塊市場復合成長率為19.68%(研究機構Yole Developpement資料)，2012年銅柱凸塊技術將取代錫鉛凸塊躍升技術主流，預期到2016年將有一半覆晶植球晶圓采用銅柱凸塊技術。

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