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[導讀]引 言有潛在缺陷的芯片有可能通過生產(chǎn)測試,但是在實際應用中卻會引起早期失效的問題,進而引起質量問題。為了避免這個問題,就需要在產(chǎn)品賣給客戶之前檢測出這種有問題的芯片。一般的檢測技術包括Burn—in、IDDQ測試

引 言

有潛在缺陷的芯片有可能通過生產(chǎn)測試,但是在實際應用中卻會引起早期失效的問題,進而引起質量問題。為了避免這個問題,就需要在產(chǎn)品賣給客戶之前檢測出這種有問題的芯片。一般的檢測技術包括Burn—in、IDDQ測試、高壓測試和低壓測試等。Burn—in是一種有效的也是目前應用最廣泛的測試技術,但是 Burn—in的硬件設備相當昂貴,而且測試時間也比較長,從而間接地增加了產(chǎn)品的成本。IDDQ測試對于大規(guī)模集成電路,特別是亞微米電路效果不理想,主要是由于隨著電路規(guī)模的增加和尺寸的減少,暗電流也會增加。高壓檢測對電路中的異物連接,如金屬短路,也沒有很好的效果,甚至有時會掩蓋此類缺陷。在遠低于正常運行電壓的環(huán)境下,正常芯片和有缺陷的芯片有著不同的電性表現(xiàn),因此可以根據(jù)正常芯片的數(shù)據(jù)設置最小電壓,根據(jù)此數(shù)值來判斷芯片是否合格。

以下將具體介紹最小電壓(MINVDD)測試方法。

1 合格芯片的最小電壓

CMOS電路的正常運轉依靠正常的電壓供給。在正常的范圍內(nèi),電壓供給越高,電路就會運行得越快;同樣,電壓供給越低,電路就會運行得越慢。如果電壓足夠低,電路就會輸出錯誤信號或者停止運行。最小電壓就是電路能夠輸出正確邏輯值的電壓臨界值。

圖1是O.7μm技術制造的芯片的電壓與延遲的關系曲線圖。正常的電源電壓是5 V,當電壓降低時,芯片運行的延遲就相應地增加。當電壓低于1.24 V時,芯片就不能輸出正確的邏輯數(shù)值。因此這種芯片的最小電壓值就是1.24 V。

2 有缺陷芯片的最小電壓

不合格芯片的缺陷類型主要有:金屬污染物造成的短路,氧化物污染物造成的短路,閾值電壓偏移,電性通道開路。本文主要針對在實際生產(chǎn)中具有代表性的金屬污染物造成的短路、閾值電壓偏移和電性通道開路來做最小電壓測試的研究。

2.1 金屬性短路

金屬性短路是在封裝前隨機地沾染到金屬微粒,從而在電路節(jié)點處造成的短路。圖2是一個典型的金屬性短路的模型。可以看到‘a(chǎn)’與‘b’之間的金屬微粒造成了 2條電路之間的短路,并假設該金屬微粒的電阻是Rm,INl口輸入邏輯“0”,IN2口輸入邏輯“1”。如圖2所示,電流的路徑由X1中的PMOS,金屬微粒,X3中的NMOS電路組成,因此,a、b之間的電壓值就不是VDD與GND之間的電壓,而是介于兩者之間的一個值。

假設PMOS的電阻是R1,NMOS電阻是R3。R1、R3、Rs就組成了一個分壓串聯(lián)電路,則a處的電壓可以表示成:

當電源電壓變小時,由于R1和R3增大,V(a)會隨之下降。因此從輸入INl到OUTl之間的延遲會由于反相器X2延遲的增加而增加。當電源電壓降到一定數(shù)值時,V(a)就會低于X2的門限電壓,輸出邏輯“1”,而正確的輸出結果應該是邏輯“0”,在這個電壓值處,電路的功能就開始發(fā)生錯誤。這點電壓就是最小電壓值,也就是判斷芯片是否具有金屬性缺陷的數(shù)值標準。

表1列出了當金屬微粒的電阻不同時,所對應的最小電壓值。合格芯片的最小電壓值是O.45 V,當Rs小于3kΩ時,電路在正常的電源電壓(實驗中為1.8 V)下就會失效;當Rs的范圍在3 kΩ到10 kΩ時,最小電壓值逐步遞減,但是仍然遠高于O.45 V。

2.2 閾值電壓的偏移

如果一個晶體管有一個很大的閾值電壓偏移,那它的跨導將會很小。因此晶體管的驅動能力就會很低,繼而在周期轉化中會有更多的額外延遲。下面將會初步研究由閾值電壓偏移所引起的最小電壓的變化。

最小電壓的另一個定義就是使得芯片狀態(tài)轉換無限延遲的臨界電壓。上面的公式中,CL是寄生電容,Cα是感生電容,W/L是柵級與源漏極的尺寸比,VDD是電源電壓,Vt是芯片正常運行的最小電壓,△V是閾值電壓偏移量。式(1)是CMOS門電路的延遲計算公式。根據(jù)式(1),當VDD=Vt時,電路的延遲會無限大,因此合格芯片的最小電壓就是處于Vt的臨界值。當閾值電壓有一定偏移△V時,延遲計算公式如式(2)所示,當VDD=Vt+△V時,延遲將會無限大。因此可見,由于閾值電壓偏移的存在,芯片的最小電壓增加了,偏移量越大,最小電壓增加量就越大。

2.3 電性通道開路的最小電壓

電性通道開路是不正常厚度的氧化層所引起的電流的流動。當氧化層厚度由于工藝或者隨機原因變薄,并超出了正常的標準范圍,就會引起電流穿透氧化層流入到其他的電路層。當此電流達到一定程度的時候就會引起芯片的不正常工作狀態(tài)。然而在產(chǎn)品測試里,具有這種缺陷的芯片的表現(xiàn)卻與合格芯片一樣,只有在環(huán)境惡劣或者使用一段時間后才會表現(xiàn)出來。圖3是合格芯片與通道開路的不合格芯片的延遲曲線圖。隨著電壓降低,有通道開路問題的芯片的延遲速度遠大于正常芯片,但是它們的最小電壓值卻是一樣的,因為通道開路只會引起時間上的失效,而不會影響芯片的最小電壓。



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