受惠于中、低階智慧型手機(jī)出貨暢旺，加快半導(dǎo)體供應(yīng)鏈庫存調(diào)整腳步，晶圓代工廠第1 季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，臺(tái)積電、聯(lián)電第2 季營(yíng)收季增率上看15 ~ 20 ％，且第3 季將持續(xù)上揚(yáng)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入強(qiáng)勁成長(zhǎng)期。

臺(tái)積電已先釋出2014 年?duì)I收將成長(zhǎng)兩位數(shù)的預(yù)期，業(yè)界原本認(rèn)為臺(tái)積電將是一枝獨(dú)秀，但近期IC 設(shè)計(jì)業(yè)者庫存水位調(diào)整腳步較預(yù)期快，使得8 吋和12 吋晶圓廠接單滿載，多數(shù)晶圓代工廠首季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)不俗，且第2 季將邁入強(qiáng)勁成長(zhǎng)期。

半導(dǎo)體業(yè)者表示，上游晶圓代工廠產(chǎn)能利用率提升，主要系受惠于行動(dòng)裝置市場(chǎng)持續(xù)熱絡(luò)，然有別于2013 年是高階智慧型手機(jī)需求旺盛，2014 年在中、低階行動(dòng)裝置需求拉升下，讓行動(dòng)通訊需求商機(jī)更趨完整，包括高通(Qualcomm) 、博通(Broadcom) 、Marvell 、聯(lián)發(fā)科、海思等客戶下單都相當(dāng)強(qiáng)勁。

臺(tái)積電受惠于大客戶高通、聯(lián)發(fā)科28 奈米訂單挹注，業(yè)界預(yù)期臺(tái)積電12 吋廠第2 季產(chǎn)能利用率維持在90 ％以上，8 吋廠亦在蘋果新一代智慧型手機(jī)指紋辨識(shí)及電源管理晶片、微控制器挹注下，產(chǎn)能利用率又比12 吋廠高許多，帶動(dòng)第2 季營(yíng)收再攻堅(jiān)。

臺(tái)積電調(diào)升第1 季營(yíng)收預(yù)期，從原本季減5~7 ％，調(diào)升為略增0. 8 ％，半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)估，臺(tái)積電第2 季營(yíng)收成長(zhǎng)率上看20 ％，沖破高標(biāo)的機(jī)率相當(dāng)高，單季營(yíng)收將挑戰(zhàn)新臺(tái)幣1,800 億元水準(zhǔn)。由于臺(tái)積電20 奈米制程開始量產(chǎn)，第2 季是為蘋果新手機(jī)備貨高峰期，預(yù)計(jì)20 奈米制程營(yíng)收比重將快速攀升，至于16 奈米Fin FET 制程傳出已開始投片試產(chǎn)，進(jìn)度較預(yù)期快。

至于聯(lián)電在這一波急單涌入下亦明顯受惠，包括8 吋和12 吋晶圓廠都有急單挹注，甚至有IC 設(shè)計(jì)客戶搶不到產(chǎn)能，業(yè)界預(yù)期聯(lián)電第2 季營(yíng)收季增率將不遑多讓，同樣上看15 ％以上。 360 °：晶圓雙雄1Q14 營(yíng)運(yùn)概況
上游晶圓代工廠2014 年第1 季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，臺(tái)積電原本預(yù)期第1 季營(yíng)收較上季減少5~7% ，約為新臺(tái)幣1, 360 億~1,380 億元，但前2 月營(yíng)收已達(dá)到高標(biāo)，因此宣布調(diào)高財(cái)測(cè)至新臺(tái)幣1,470 億元，意即2014 年首季營(yíng)收與2013 年第4 季相比將不會(huì)減少，也反映半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫存調(diào)整速度比預(yù)期快。目前美系IC 設(shè)計(jì)公司的平均庫存天數(shù)已降至2 個(gè)月以下，亞洲客戶的庫存水位也下降。

聯(lián)電2 月營(yíng)收也意外上升，未受工作天數(shù)減少的影響，反而成長(zhǎng)2. 77% 至新臺(tái)幣103.41 億元，8 吋晶圓廠訂單需求不俗，以及成熟制程和特殊制程的挹注下，也一掃先進(jìn)制程進(jìn)度落后的陰霾。

展望2014 年第2 季，晶圓代工產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入強(qiáng)勁成長(zhǎng)期，至少可再成長(zhǎng)15~20% ，主要受惠行動(dòng)通訊客戶下單量成長(zhǎng)，中低階智慧型手機(jī)需求出籠之賜。 TOP ▲