臺(tái)積電（TSMC）在國(guó)際學(xué)會(huì)IEDM 2013上發(fā)布了將于2013年底之前開(kāi)始少量生產(chǎn)（風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)）的16nm工藝技術(shù)（演講編號(hào)：9.1）。該技術(shù)主要用于移動(dòng)終端及計(jì)算終端使用的SoC（System on a Chip），這是該公司首次采用立體晶體管（FinFET）。與28nm工藝（高介電率柵極絕緣膜/金屬柵極版）相比，晶體管集成密度提高1倍，晶體管工作速度可提高35％，并且功耗可降低55％。

臺(tái)積電目前正在實(shí)施20nm工藝（20SOC）的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，接著還將于最近啟動(dòng)16nm工藝的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。16nm工藝方面，臺(tái)積電已試制完成配備SRAM、環(huán)形振蕩器，以及ARM處理器內(nèi)核“Cortex-A57”的測(cè)試芯片。在此次演講中，臺(tái)積電公開(kāi)了工藝技術(shù)、晶體管特性及SRAM的試制結(jié)果等。


晶體管性能提高 （點(diǎn)擊放大）

16nm工藝技術(shù)的概要 （點(diǎn)擊放大）
16nm工藝在沿襲20nm工藝的金屬布線(xiàn)技術(shù)（BEOL）的同時(shí)，采用以FinFET替換平面晶體管的構(gòu)造。在FinFET上組合與28nm工藝相同的柵極替換方式的高介電率柵極絕緣膜及金屬柵極。采用7層Cu/low-k布線(xiàn)，第一層金屬布線(xiàn)的半間距為32nm。鰭片間距為48nm，柵極長(zhǎng)度有30nm、34nm、50nm三種。第一金屬布線(xiàn)的圖形化采用二次圖形曝光技術(shù)，鰭片的形成采用間距分割技術(shù)。


7層金屬布線(xiàn) （點(diǎn)擊放大）

SRAM的特性 （點(diǎn)擊放大）
試制完成的低漏電版晶體管（柵極長(zhǎng)度為34nm）的導(dǎo)通電流方面，在電源電壓為0.75V、截止泄漏電流為30pA/μm的條件下，nMOS為520μA/μm，pMOS為525μA/μm。短溝道特性良好，DIBL（漏致勢(shì)壘降低）不到30mV/V。而且，采用新工藝試制的晶體管對(duì)特性偏差具有較強(qiáng)耐受性，在偏差指標(biāo)AVt值方面，與28nm工藝相比，nMOS改善36％，pMOS改善24％。

此外還試制了128Mbit SRAM，已證實(shí)具有較高的成品率，可正常工作。每個(gè)晶體管僅用1個(gè)鰭片的高密度版SRAM在單元面積為0.7μm2、電源電壓為0.6V的條件下確保了120mV的SNM（靜態(tài)噪聲容限）。SRAM的最小驅(qū)動(dòng)電壓比使用平面晶體管時(shí)降低了220mV。論文中沒(méi)有給出試制完成的SRAM芯片的照片，僅在演講時(shí)通過(guò)幻燈資料公開(kāi)。（記者：大下 淳一，日經(jīng)BP半導(dǎo)體調(diào)查）