中國(guó)最大的半導(dǎo)體芯片代工企業(yè)——中芯國(guó)際（SMIC）的CEO邱慈云在“SEMICON Japan 2013”（2013年12月4～6日，MESSE國(guó)際會(huì)展中心）首日舉行的“GSA論壇”上登臺(tái)演講。邱慈云表示，美國(guó)的大型無(wú)廠企業(yè)一直都是中芯國(guó)際的客戶(hù)，英特爾和SK海力士在中國(guó)擁有300mm Fab，而日本企業(yè)和中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之間的聯(lián)系相對(duì)較弱。他希望今后與日本企業(yè)構(gòu)筑強(qiáng)有力的合作關(guān)系。邱慈云著重強(qiáng)調(diào)的是，中芯國(guó)際專(zhuān)注于微細(xì)化開(kāi)發(fā)。

中芯國(guó)際此前長(zhǎng)期持續(xù)虧損，但在2013年第三季度（7-9月）建立起了可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定盈利的“體質(zhì)”。邱慈云表示，“這些利潤(rùn)已經(jīng)用于28nm以后工藝的微細(xì)化開(kāi)發(fā)”。該公司從2012年10～12月開(kāi)始量產(chǎn)邏輯LSI用40nm工藝，45/40nm工藝在2013年7～9月銷(xiāo)售額中所占的比例達(dá)到了15.7％。關(guān)于接下來(lái)的28nm工藝，邱慈云表示“客戶(hù)認(rèn)證預(yù)計(jì)將在2013年底之前完成，2014年開(kāi)始量產(chǎn)”。28nm工藝同時(shí)支持采用高介電率（high-k）柵極絕緣膜/金屬柵極的工藝以及多晶硅柵極工藝。

據(jù)介紹，中芯國(guó)際正在面向20nm以后工藝推進(jìn)FinFET工藝的開(kāi)發(fā)，20nm以后工藝預(yù)定在2016年4～6月開(kāi)始量產(chǎn)。此外，邱慈云還表示，邏輯LSI用途以外的工藝技術(shù)也在穩(wěn)步推進(jìn)微細(xì)化開(kāi)發(fā)，比如正在開(kāi)發(fā)38nm工藝存儲(chǔ)器技術(shù)（NAND閃存和NOR閃存）。（記者：大下 淳一，日經(jīng)BP半導(dǎo)體調(diào)查）