臺(tái)積電執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義決定在10月底退休，雖然看起來(lái)，「蔣爸」早已安排好未來(lái)5年的技術(shù)研發(fā)基礎(chǔ)，但臺(tái)積電的主要對(duì)手，也已經(jīng)轉(zhuǎn)為資金雄厚的IDM廠。面對(duì)英特爾及三星的步步進(jìn)逼，臺(tái)積電能否擊敗對(duì)手，關(guān)鍵在于2015年才要投入量產(chǎn)的16納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）。

蔣尚義自2009年重掌技術(shù)研發(fā)兵符以來(lái)，臺(tái)積電的技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖出現(xiàn)了重大變革。第一，因?yàn)?strong>先進(jìn)制程研發(fā)費(fèi)用愈來(lái)愈高，臺(tái)積電已無(wú)法再提供客戶(hù)吃到飽的「歐式自助餐」，蔣尚義在確認(rèn)了所有客戶(hù)未來(lái)幾年的技術(shù)需求后，決定放棄32納米而直接主攻28納米。

但28納米世代已改采高介電（high-k）材料，臺(tái)積電將研發(fā)資源集中放在高介電金屬閘極（HKMG）及后閘極（gate-last）設(shè)計(jì)，率先導(dǎo)入28納米量產(chǎn)，也等于通吃全球28納米市場(chǎng)。

第二是臺(tái)積電20納米制程世代不再區(qū)分高效能或低功耗，只單純提供一種20納米系統(tǒng)單芯片制程，此一作法大幅降低研發(fā)費(fèi)用，也抓到行動(dòng)裝置內(nèi)建芯片的重要精髓，那就是20納米能優(yōu)化ARM應(yīng)用處理器架構(gòu)及高度矽智財(cái)集成性，對(duì)主要客戶(hù)群來(lái)說(shuō)能更快完成芯片設(shè)計(jì)定案及縮短進(jìn)入市場(chǎng)時(shí)間。

第三是英特爾早已提供3D晶體管架構(gòu)制程Tri-Gate，并爭(zhēng)取到臺(tái)積電大客戶(hù)阿爾特拉（Altera）訂單，讓臺(tái)積電決定加快導(dǎo)入3D晶體管架構(gòu)的FinFET制程，16納米FinFET制程等于提前一年量產(chǎn)。此一決定也影響到之后10納米世代的技術(shù)藍(lán)圖如何布建，因?yàn)閷脮r(shí)可能會(huì)真正開(kāi)始采用新一代的極紫外光（EUV）微影技術(shù)。

蔣尚義完成了這三件事，等于替臺(tái)積電前進(jìn)10納米世代的未來(lái)5~7年打下牢固基礎(chǔ)，但在20納米開(kāi)始量產(chǎn)、16納米市場(chǎng)大戰(zhàn)即將到來(lái)的此刻，蔣尚義決定退休，不僅考驗(yàn)另2位共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)劉德音及魏哲家的帶領(lǐng)研發(fā)功力，也考驗(yàn)臺(tái)積電能否不受人事異動(dòng)影響，繼續(xù)自主完成新技術(shù)研發(fā)及導(dǎo)入量產(chǎn)。