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[導(dǎo)讀]2009年,TI(德州儀器)建造了行業(yè)里第一個300mm的用于模擬芯片的晶圓廠,此舉改變了半導(dǎo)體行業(yè)的局面。 到那時為止,模擬芯片的制造使用的是200mm以及更小尺寸的晶圓。在300mm晶圓廠里,TI(德州儀器)可以獲得比

2009年,TI(德州儀器)建造了行業(yè)里第一個300mm的用于模擬芯片的晶圓廠,此舉改變了半導(dǎo)體行業(yè)的局面。

到那時為止,模擬芯片的制造使用的是200mm以及更小尺寸的晶圓。在300mm晶圓廠里,TI(德州儀器)可以獲得比競爭對手更有利的die-size 和成本優(yōu)勢。理論上,一塊300mm晶圓提供的芯片數(shù)比200mm的晶圓多2.5倍,從而使TI(德州儀器)降低整體的制造成本。

在過去的一年里,英飛凌和意法半導(dǎo)體已經(jīng)開始加緊籌劃各自的用于模擬芯片的300mm晶圓廠。并且尋求填補缺少晶圓廠和輕晶圓客戶空隙的方法,GlobalFoundries是能夠提供300mm產(chǎn)能的、用于模擬/混合信號技術(shù)的最優(yōu)秀制造商之一?!癟I具有這些技術(shù)并且也是300mm水平的,”日前Globalfoundries的全球銷售,市場,質(zhì)量和設(shè)計的副執(zhí)行Michael Noonen說。“怎么做才能和TI(德州儀器)相媲美?我們要的是這個問題的答案。”

在這不斷變化的形勢中,Powerchip,TowerJazz,TSMC和UMC 已開始準備提供300mm模擬芯片的生產(chǎn)能力。但大多數(shù)的專業(yè)代工廠沒有300mm晶圓廠,并且認為他們并不處于劣勢。他們認為,模擬技術(shù)是面向過程的,并不依賴于晶片的尺寸。

模擬芯片制造商能否吸收新的300mm的產(chǎn)能目前尚不清楚。一些模擬IDM依然自己制造,而其他人已經(jīng)使用了代工廠。還有其他的問題,300mm模擬晶圓廠能給予芯片制造商競爭優(yōu)勢嗎?

“生產(chǎn)200mm晶圓的晶圓廠在未來幾年里都被認為是劃算的,它能夠制造多種類型的集成電路,如專業(yè)的存儲器,圖像傳感器,顯示驅(qū)動器,微控制器,模擬產(chǎn)品,和基于MEMS的器件,IC Insights的分析師Trevor Yancey說?!霸诖蠖鄶?shù)情況下,300mm晶圓廠僅僅用于制造大批量的、商品型的器件如DRAM、閃存、圖像傳感器和電源管理裝置,并且這種情況還會繼續(xù)?!?br>
事實上,大量的模擬市場如接口芯片和電源管理,300mm晶圓廠給予芯片制造商更有優(yōu)勢的die-size ,TI(德州儀器)市場研究總監(jiān)Susie Inouye說?!坝性S多的模擬產(chǎn)品,選擇在300mm晶圓廠里制造并不能高效地利用成本,如運算放大器等等,但我會說對于一些產(chǎn)品也有優(yōu)勢。比如電源管理,TI(德州儀器)憑借300mm晶圓廠就有優(yōu)勢?!?br>
另一方面,在低迷時期,300mm模擬晶圓廠可能難以利用全部生產(chǎn)力繼而導(dǎo)致不必要的產(chǎn)能過剩。事實上,TI(德州儀器)本身是可以立即吞噬自己內(nèi)部工廠過剩的產(chǎn)能的。在一般的行業(yè),在0.35微米以上的老工藝產(chǎn)能過剩,但主流的0.18微米技術(shù)的生產(chǎn)供不應(yīng)求。

模擬:仍然是寵兒?

多年來,由于穩(wěn)定的經(jīng)濟增長,模擬電子成了華爾街的寵兒。去年,模擬IC市場受到重挫,在2011與2012跨年之際下跌7%。2012全公司整個IC市場下降了3%。但模擬IC市場有望反彈,在2013增長6%,Inouye說。智能手機和平板電腦繼續(xù)帶動模擬市場,但更傳統(tǒng)的市場仍然低迷不振,她說。

在制造業(yè)方面,也有一些不確定性,如果沒有大的波動,在2009會迎來新局面,當TI(德州儀器)開啟RFAB,位于德克薩斯洲理查德森的業(yè)界第一個300mm晶圓廠模擬。RFAB是基于LBC7,線性BiCMOS工藝,和C05,0.18微米模擬技術(shù)生產(chǎn)和運行的。

當TI(德州儀器)建成新的晶圓廠,一些人擔(dān)心TI(德州儀器)會趕走競爭對手和搞價格“轟炸”。但是,TI(德州儀器)并沒有趕出其競爭對手;也沒有搞價格戰(zhàn)。事實上,該公司希望保持利潤率。

但RFAB給了TI(德州儀器)兩方面的優(yōu)勢。“所有的300mm模擬生產(chǎn)中 40%是電源管理。300mm讓他們從一塊晶圓上得到更多數(shù)量的裸片,”databean的Inouye說。其次,以TI(德州儀器) 的300mm的產(chǎn)能,也能為客戶提供有保證的電源。這對像富士康和三星這樣的大客戶來講很關(guān)鍵,在過渡時期它們訂購大量的產(chǎn)品,她說。

代工業(yè)關(guān)注300mm模擬晶圓廠

TI(德州儀器),英飛凌和意法半導(dǎo)體是少數(shù)具有300mm生產(chǎn)能力的模/數(shù)混合晶圓廠中的精英企業(yè)。其他模擬IDM沒有300mm晶圓廠,這意味著他們必須同這些企業(yè)打交道,如果他們需要更大尺寸的晶圓代工。

在某種程度上,GlobalFoundries,力晶半導(dǎo)體,臺積電和聯(lián)華電子公司有專業(yè)300mm的生產(chǎn)能力。GlobalFoundries、臺積電和聯(lián)華電子公司也追求領(lǐng)先的數(shù)字市場?!拔覀冋娴南M苡袃煞N類型的SoC,”GlobalFoundries的noonen說?!耙环NSOC處于最前沿。然后,另一種SOC則追求More Than Moore(將CMOS技術(shù)與模擬/混合技術(shù)相結(jié)合),這都是有趣的。”

去年年底,Globalfoundries采取了主動的戰(zhàn)略,稱為“2015愿景,”涉及其晶圓廠在新加坡的業(yè)務(wù)。在新加坡,Globalfoundries擁有200mm和300mm晶圓廠,主要分別用于混合信號和邏輯器件的生產(chǎn)。

在新的戰(zhàn)略下,GlobalFoundries將擴大新加坡的300mm用于模擬/混合芯片生產(chǎn)的晶圓廠。在該晶圓廠,它已開始安裝300mm的設(shè)備,這是最近從臺灣的ProMos購得的。300mm的晶圓廠,代號為7廠,生產(chǎn)量將從現(xiàn)在的600000片/年提高到1000000片/年。擴建的方案預(yù)計將于2014年中期完成。

總之,Globalfoundries認為它的模擬/混合信號工藝能夠贏得更多的客戶從而更有力地與IDM競爭?!拔覀冋娴南爰涌旎旌闲盘柤夹g(shù)在300mm領(lǐng)域的發(fā)展,”noonen說?!拔覀兊南敕ㄊ抢眉夹g(shù),不僅是競爭,好于那些把自己俘虜在晶圓廠的人們。”

同時,在五月,聯(lián)合微電子公司(UMC)實施類似的策略。聯(lián)電將把一個在新加坡的有專業(yè)生產(chǎn)設(shè)施的領(lǐng)先的半導(dǎo)體廠改建成300mm晶圓廠。在這個晶圓廠中,聯(lián)電將制造CMOS圖像傳感器,嵌入式存儲器和高壓芯片。該工廠將“使聯(lián)華電子贏得進入新市場的機會,”UMC首席運營官W.Y. Chen說。

200mm足夠用

同時,晶圓尺寸在200毫米及其以下的代工廠,從表面上看,他們處于劣勢。“我們看不到在今天300mm能夠作為一個重大的威脅,”TowerJazz高級副總裁及總經(jīng)理Marco Racanelli說。

“在如今我們所服務(wù)的專業(yè)模擬市場,我與我們的對手競爭的是性能和服務(wù)。而不是晶片尺寸。”

長期以來,TowerJazz也在籌劃著300mm的晶圓廠,他們正在和IBM公司一道,投標印度的一個300mm晶圓廠工程?!拔覀兛吹皆谖磥韼啄甑哪M產(chǎn)品,包括低壓電源,CMOS圖像傳感器和射頻產(chǎn)品能夠利用的晶圓尺寸較大,因此我們在為客戶創(chuàng)造這樣的條件, Racanelli說。[!--empirenews.page--]

大多數(shù)的專業(yè)代工廠沒有計劃興建一座300mm晶圓廠。例如,MagnaChip半導(dǎo)體的一位高管說,公司將建立一個300mm晶圓廠的可能性是“零”。韓國MagnaChip的競爭力在于工藝開發(fā),而不是晶片尺寸。

MagnaChip有兩個可月產(chǎn)14000片的200mm晶圓廠。它是競爭得最火熱的混合信號市場中的廠商之一,擁有bipolar-CMOS- DMOS(BCD)技術(shù) 。BCD工藝結(jié)合了的幾種工藝的優(yōu)勢,包括雙極晶體管的模擬,CMOS的數(shù)字,和功率高壓的DMOS。

在BCD工藝方面,MagnaChip有四個技術(shù)平臺:深溝槽隔離(DTI),結(jié)隔離,non-EPI 和SOI,核心是一個0.18微米,80伏的基于DTI的技術(shù)。它還開發(fā)了0.13微米和0.11微米的BCD工藝?!?.18 微米和0.35微米工藝在未來一段時間還是會有市場?!表n國MagnaChip工程副總裁Francois Hebert說。

他們還計劃增加silicon-on-insulator(SOI)工藝?;赟OI和DTI技術(shù),MagnaChip新推出的0.35微米,16伏工藝是針對有機電致發(fā)光器件的。很快,它們還會推出一個0.18微米的版本?!拔覑跾OI,”Hebert說。“它能擺脫一切(關(guān)于)電容和低壓的問題?!?br>
與此同時,意法半導(dǎo)體已推出一種基于SOI ,0.32微米的BCD工藝。在70 伏,100伏,140伏和200伏的應(yīng)用中,意法還增加了一個0.16微米的版本。同時,在8伏,40 伏和60伏的應(yīng)用也會逐漸增加bcd9s的版本,一種0.11微米,不基于SOI的BCD工藝。一個應(yīng)用領(lǐng)域是在汽車制動系統(tǒng)上,”意法嵌入式處理解決方案總經(jīng)理Jean-Marc Chery說。

在它的發(fā)展計劃中,意法半導(dǎo)體將于2014至2015年在其300mm晶圓廠中應(yīng)用90nm BCD工藝。這樣做,意法和其他芯片制造商可能會壓低BCD的成本,使其更具吸引力。到那時,模擬/混合信號半導(dǎo)體業(yè)普遍會在產(chǎn)能過剩的浪潮中跨入到300mm晶圓廠的階段。(本文原稿來自:semimd,原文作者: Mark LaPedus 編譯者:馮超)



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