因應智能型手機與平板計算機等行動裝置，對輕、薄及省電的需求大增，促成可堆疊的三維芯片（3D IC）需求升溫。
這波方興未艾的「元件微小化」趨勢，吸引臺積電（2330）、聯(lián)電、日月光、矽品、力成；均華、力鼎、弘塑及應材、漢民等半導體前段及后段廠商投入3D IC量產布局。

近年來，炒得沸沸揚揚的3D IC，可從晶圓代工龍頭廠臺積電已為可程序邏輯芯片大廠智霖（Xlinx）量產FPGA芯片，聯(lián)電及封測廠日月光、矽品、力成也接力加入量產陣容。設備端的弘塑、均華及力積，以及辛耘等的封裝接合設備，也導入客戶驗證中。

今年紅不讓的日本索尼（SONY）最新旗鑒款防水手機Xperia Z，就已采用3D IC制程的影像傳感器芯片，成影像感測芯片新標竿。

這波三維芯片風潮，主要與3D IC制程所締造的「三高」效益，包括高效能、高密度及高可移植性有關，成功發(fā)揮引領風潮的效應，改變半導體業(yè)界的思維，吸引國內各廠商積極搶進影像傳感器立體堆疊市場。

工研院電光所所長劉軍廷表示，工研院跨所推動的「3D IC 三維芯片整合技術」，經過五年的努力，不但成立「先進堆疊系統(tǒng)與應用研發(fā)聯(lián)盟（Ad-STAC）」來建立上中下游相關產業(yè)的合作關系，也與資通所展開跨領域合作，成功串聯(lián)國際大廠，及國內晶圓廠到封測及上游設備產業(yè)，達到推動設備及材料國產化，讓臺灣有機會與國際競爭，創(chuàng)造產業(yè)下一波競爭優(yōu)勢。

透過電光所與資通所跨領域合作，整合IC設計與制程階段，創(chuàng)新研發(fā)出具備體積小、整合度高、耗電量低、成本低特性的立體堆疊芯片。

工研院更領先開發(fā)出「Backside Via-last」技術，解決晶圓正面進行芯片穿孔制程所可能產生的制程瓶頸，達到減少制程成本，因而吸引英特爾投入，利用3D IC技術共同開發(fā)新世代存儲器，建立3D IC產品及拓展市場。