可程序邏輯閘陣列（FPGA）大廠賽靈思（Xilinx）及晶圓代工龍頭臺積電（2330）昨（29）日宣布16納米鰭式場效晶體管（FinFET）技術合作計劃。采用臺積電先進16納米FinFET技術打造的賽靈思「FinFast」計劃測試芯片，預計會在今年推出，首款產品明年問市，這也代表臺積電16納米投片將再度提前到今年底展開。

臺積電已宣布調升今年資本支出到95~100億美元規(guī)模，為了在技術研發(fā)上能夠追上英特爾，同時擺脫三星、格羅方德（GlobalFoundries）等競爭同業(yè)，臺積電3D晶體管架構的16納米FinFET制程將提前量產，首家采用的大客戶就是FPGA大廠賽靈思。而賽靈思及臺積電的合作，當然是要跟另一FPGA大廠阿爾特拉（Altera）及英特爾的合作案一較高下。

原本臺積電規(guī)畫在20納米量產的2年后，也就是2016年才會進入16納米FinFET制程量產，但現(xiàn)在16納米量產時間點提前到2015年。而根據賽靈思及臺積電的規(guī)畫，雙方投入所需資源組成一支專屬團隊，針對FinFET制程與賽靈思的UltraScale架構共同進行最佳化，基于此項計劃，16FinFET測試芯片預計今年稍后推出，而首款產品將于2014年問市，代表臺積電今年底就會開始試產16納米，進度再度超前。

此外，兩家公司亦共同合作藉助臺積電的CoWoS三維集成電路（3D IC）制造流程，以實現(xiàn)最高層級的3D IC系統(tǒng)集成及系統(tǒng)級效能，雙方在此領域合作的相關產品將稍后擇期另行宣布。

UltraScale為賽靈思全新的特殊應用芯片（ASIC）等級架構，能針對從20納米平面式制程到16納米以及更先進的FinFET制程進行微縮，亦可透過3D IC技術進行系統(tǒng)單芯片的微縮。

臺積電表示，最近已宣布將16納米FinFET制程技術的生產時程，提前到2013年展開，賽靈思與臺積電的合作，除了可受惠于該制程生產進度加快之外，亦享有臺積電16納米FinFET技術所帶來的高效能與省電優(yōu)勢。