聯(lián)電將全力沖刺40奈米(nm)晶圓代工業(yè)務(wù)。不同于臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)陸續(xù)宣布加速16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)時程，積極卡位先進(jìn)制程市場，聯(lián)電則先以擴(kuò)大40奈米營收比重為主要發(fā)展重心，并將擴(kuò)增高壓液晶顯示(LCD)驅(qū)動IC、嵌入式快閃記憶體等12寸晶圓利基型制程，強(qiáng)化營收主力。

聯(lián)華電子執(zhí)行長顏博文認(rèn)為，聯(lián)電未來還有很大的發(fā)展空間，特別在40奈米制程方面將有亮眼的表現(xiàn)。
聯(lián)華電子執(zhí)行長顏博文表示，通訊、運(yùn)算設(shè)備及行動裝置對40奈米制程的需求仍非常強(qiáng)烈，因此持續(xù)提升40奈米制程研發(fā)能量，并擴(kuò)充多元客制化產(chǎn)品陣容，才是聯(lián)電當(dāng)前首要布局重點(diǎn)。至于28奈米以下先進(jìn)制程，聯(lián)電也已擬好時程表，不會貿(mào)然進(jìn)行大規(guī)模投資。

事實(shí)上，聯(lián)電積極拱大40奈米制程事業(yè)版圖的策略已開始奏效，該公司日前于2013年第一季法說會中繳出令人振奮的營運(yùn)成績單，不僅40奈米以下制程營收比重從去年第四季的15%再攀高至18%，刺激晶圓出貨季增5%，營收年增5.8%，產(chǎn)能利用率也守在78%水準(zhǔn)，優(yōu)于去年底預(yù)估將滑落至75%的狀況。因此，該公司股價走勢也逐漸翻揚(yáng)，并站上近7個月來的高點(diǎn)。

顏博文指出，晶片商庫存去化動作已于今年第一季告一段落，第二季可望重新啟動備貨計(jì)劃，尤其在各種通訊晶片對先進(jìn)制程強(qiáng)勁的需求帶動下，聯(lián)電40奈米以下制程的營收占比更將超越兩成，晶圓出貨片數(shù)也將大幅成長12～14%，產(chǎn)能利用率則有望回到80%左右。

此外，聯(lián)電也將與客戶并肩作戰(zhàn)，推出更多客制化的制程技術(shù)平臺，刺激營收成長，如近期已與飛索(Spansion)簽訂40奈米嵌入式快閃記憶體(Embedded Flash)制程合作計(jì)劃；并將部署65、55、45及40奈米利基型制程方案，搶攻新一代高解析度LCD驅(qū)動IC高壓制程，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測器(CMOS Image Sensor)，以及智慧汽車(Smart Car)相關(guān)晶片制造商機(jī)。

至于28奈米以下先進(jìn)制程則依公司藍(lán)圖逐步轉(zhuǎn)換生產(chǎn)線，并與客戶展開先期研發(fā)合作。顏博文強(qiáng)調(diào)，聯(lián)電28奈米SiON/POLY制程將在今年底貢獻(xiàn)個位數(shù)的總營收百分比，并將于明年首季轉(zhuǎn)換至更高效能、更低功耗的高介電系數(shù)金屬閘極(HKMG)方案，拉攏更多處理器客戶。2014年第三季則將發(fā)布14奈米FinFET的雙重曝光(Double Patterning)技術(shù)及設(shè)計(jì)定案(Tape Out)，隨后于2015年正式量產(chǎn)。

由于聯(lián)電上述規(guī)畫獨(dú)漏20奈米，因而也引發(fā)業(yè)界關(guān)注其是否將略過此一制程節(jié)點(diǎn)。對此，顏博文分析，28奈米HKMG系一具主導(dǎo)性、生命周期較長的制程方案，相形之下，20奈米可能成為非主流制程(Weak Node)，因晶片效能提升與投資成本效益不一定勝過直接導(dǎo)入14奈米FinFET，僅有一線處理器大廠為維持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢才會計(jì)劃采用。也因此，聯(lián)電將視客戶需求發(fā)展20奈米，不會特別投注大量資源。