上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱“宏力半導(dǎo)體”）宣布推出8英寸90納米低漏電邏輯與混合信號(hào)平臺(tái)（以下簡(jiǎn)稱“90納米平臺(tái)”）。
宏力半導(dǎo)體的90納米平臺(tái)為客戶提供了更經(jīng)濟(jì)的8英寸工藝解決方案。該平臺(tái)不僅在芯片柵密度上與業(yè)界普遍采用的12英寸90納米工藝相近，還通過工藝優(yōu)化的方式減少了掩模板層數(shù)，進(jìn)一步降低了成本。與上一代0.13微米1.5伏低漏電技術(shù)相比，新推出的90納米平臺(tái)可在相同速度與低漏電的情況下，將邏輯電路尺寸縮小近50%;其后段制程延續(xù)了鋁導(dǎo)線工藝，也有利于傳統(tǒng)8英寸產(chǎn)品的遷徙換代。同時(shí)，該平臺(tái)配備了高密度的標(biāo)準(zhǔn)單元庫、存儲(chǔ)器IP庫和輸入輸出接口單元庫，其中CUP (Circuit Under Pad)輸入輸出接口單元庫的性能面積比達(dá)到業(yè)內(nèi)同類技術(shù)先進(jìn)水平。宏力半導(dǎo)體的90納米平臺(tái)及其配套IP庫可幫助客戶進(jìn)一步縮小芯片面積、優(yōu)化低功耗設(shè)計(jì)，為其提供更經(jīng)濟(jì)的解決方案。

企業(yè)發(fā)展暨戰(zhàn)略單位副總經(jīng)理傅城博士表示：“90納米是目前宏力半導(dǎo)體最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。該低漏電平臺(tái)可打造廣泛適用于以USB存儲(chǔ)控制器、嵌入式多媒體記憶卡等多種新興應(yīng)用為代表的計(jì)算機(jī)與周邊、消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及工業(yè)產(chǎn)品。而且，我們的90納米工藝實(shí)現(xiàn)了業(yè)界同類技術(shù)中最少的掩模板層數(shù)，可為客戶產(chǎn)品上市搶得先機(jī)?！?br>