沖電氣（OKI）向安森美半導體歐洲工廠提供排氣處理設(shè)備
[導讀]東京, 2013年3月12日 - (亞太商訊) - 沖電氣（OKI）報導，沖電氣集團（OKI）旗下的提供可靠性評估和環(huán)保技術(shù)服務(wù)的沖工程技術(shù)株式會社（社長：淺井裕，總公司：日本東京都練馬區(qū)，以下簡稱“OEG”）向半導體生產(chǎn)廠商
東京, 2013年3月12日 - (亞太商訊) - 沖電氣（OKI）報導，沖電氣集團（OKI）旗下的提供可靠性評估和環(huán)保技術(shù)服務(wù)的沖工程技術(shù)株式會社（社長：淺井裕，總公司：日本東京都練馬區(qū)，以下簡稱“OEG”）向半導體生產(chǎn)廠商安森美半導體（ON Semiconductor）公司（社長：Keith Jackson，總公司：美國亞利桑那州鳳凰城）歐洲工廠提供常壓CVD※1生產(chǎn)設(shè)備用排氣處理設(shè)備“KGT-3MM-AP”。該設(shè)備不僅能夠處理常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備所使用的特殊氣體的危害，還可以控制排放氣體保持一定的壓力，保證CVD膜生產(chǎn)線的穩(wěn)定生產(chǎn)，為客戶生產(chǎn)過程中的環(huán)保作貢獻。
Power FET※2和IGBT※3等半導體絕緣膜的生產(chǎn)，常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備不可或缺。但該生產(chǎn)設(shè)備使用SiH4※5、PH3※6、B2H6※7等對人體有害的氣體，所以必須進行排氣處理。 OEG的排氣處理設(shè)備“KGT-3MM-AP”采用的是濕式處理方式，可以高效處理CVD制膜過程中使用的特殊氣體和粉末。設(shè)備內(nèi)部采用特種不銹鋼過濾器，不但提高了有害氣體處理能力，而且結(jié)構(gòu)上不容易發(fā)生堵塞，因此不維修也可以長時間運營。另外，內(nèi)部過濾器采用特殊構(gòu)造，易于清潔，降低設(shè)備維修管理負擔而得到好評。并且，壓力控制微壓計也是為CVD制膜所使用氣體而開發(fā)的，排氣扇變頻控制實現(xiàn)了常壓CVD制膜過程中不可或缺的排氣壓力控制，保證長時間穩(wěn)定運行。
三年前，作為天谷制作所（社長：吉岡獻太郎，總公司：日本崎玉縣越谷市）生產(chǎn)的連續(xù)常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備所配備的排氣處理設(shè)備，OEG向安森美半導體提供了“ KGT-3MM-AP”。該設(shè)備連續(xù)作業(yè)無故障保證了CVD膜的穩(wěn)定生產(chǎn)，其壓力控制方式和排放有害氣體的處理效能等得到安森美半導體的好評，再次被該公司歐洲工廠采用。采用該設(shè)備不僅可以確保其歐洲工廠NSG※8、PSG※9、BPSG※10等CVD膜的膜層厚度的穩(wěn)定，還促進工廠提高產(chǎn)量，削減排氣處理費用。
OEG排氣處理設(shè)備的生產(chǎn)制造已有近30年的歷史，有為日本和臺灣的半導體和太陽能電池生產(chǎn)廠家提供設(shè)備的豐富業(yè)績。此次是為歐洲客戶提供設(shè)備，還計劃將來開拓東南亞市場。
【用語解釋】
※1. CVD
CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積），是沉積方法的一種，在加熱主板上產(chǎn)生各種材質(zhì)的薄膜。
※2. Power FET
Power FET （Power Field-Effect Transistor）是為處理大電力MOSFET※4而設(shè)計的，和其他電源設(shè)備比較，其開關(guān)速度快，在低壓區(qū)的轉(zhuǎn)換功效高，因此多用于200V以下的開關(guān)電源、DC -DC轉(zhuǎn)換器等。
※3. IGBT
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點，用于電流控制。
※4. MOSFET
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體三極管）是場效應(yīng)晶體管（FET）的一種，多采用二氧化矽材料，多用于整合電路。
※5. 矽烷（SiH4）
矽烷（silane，SiH4）分子量為32.12，是無色有臭氣體，是用于半導體生產(chǎn)的特殊氣體的代表。
※6. 磷化氫（PH3）
磷化氫（phosphine ，PH3）是一種無色、劇毒、易燃的氣體，無機化合物。是半導體生產(chǎn)原料混合氣體的原料，有時也用于n形矽的InGaP（銦鎵磷）半導體生產(chǎn)。
※7. 乙硼烷（B2H6）
乙硼烷（diborane，B2H6）是硼氫化合物，無色有臭味氣體，是重要的半導體材料。主要用于聚合催化劑和還原劑及火箭推進劑等。易燃、易爆、劇毒。
※8. NSG（None-doped Silicate Glass）膜
不含磷和硼等不純物質(zhì)的二氧化矽（SiO2）膜。
※9. PSG（Phospho silicate glass）膜
含磷的矽氧化膜。
※10. BPSG（Boro-phospho silicate glass）膜
含硼和磷的矽氧化膜。
關(guān)于沖電氣工業(yè)株式會社(OKI)
沖電氣工業(yè)株式會社創(chuàng)立于1881年，是日本最早的電子通信設(shè)備生產(chǎn)廠家?？偣驹谌毡緰|京。 131年來，沖電氣秉承著創(chuàng)業(yè)以來的“進取的精神”，不斷開發(fā)并提供有助于資訊社會發(fā)展的產(chǎn)品。近年來，在品牌標語“開啟您的夢想”(英文：Open up your dreams)的指引下，作為為所有利益相關(guān)者開啟夢想之門并實現(xiàn)其理想的企業(yè)，和被全世界各國客戶信賴的合作夥伴，努力實現(xiàn)持續(xù)性增長。詳細資料請參閱沖電氣中文網(wǎng)頁：http://www.oki.com/cn/。
關(guān)于本報導的報導機構(gòu)的諮詢地址
中國
沖電氣工業(yè)株式會社北京事務(wù)所
古川 裕一
電話: 010-5825-7700
E-mail: furukawa388@oki.com
其他地區(qū)
沖電氣工業(yè)株式會社
公共關(guān)系部 葛 蕾
電話: +81-3-3501-3835
E-mail: press@oki.com
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Power FET※2和IGBT※3等半導體絕緣膜的生產(chǎn)，常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備不可或缺。但該生產(chǎn)設(shè)備使用SiH4※5、PH3※6、B2H6※7等對人體有害的氣體，所以必須進行排氣處理。 OEG的排氣處理設(shè)備“KGT-3MM-AP”采用的是濕式處理方式，可以高效處理CVD制膜過程中使用的特殊氣體和粉末。設(shè)備內(nèi)部采用特種不銹鋼過濾器，不但提高了有害氣體處理能力，而且結(jié)構(gòu)上不容易發(fā)生堵塞，因此不維修也可以長時間運營。另外，內(nèi)部過濾器采用特殊構(gòu)造，易于清潔，降低設(shè)備維修管理負擔而得到好評。并且，壓力控制微壓計也是為CVD制膜所使用氣體而開發(fā)的，排氣扇變頻控制實現(xiàn)了常壓CVD制膜過程中不可或缺的排氣壓力控制，保證長時間穩(wěn)定運行。
三年前，作為天谷制作所（社長：吉岡獻太郎，總公司：日本崎玉縣越谷市）生產(chǎn)的連續(xù)常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備所配備的排氣處理設(shè)備，OEG向安森美半導體提供了“ KGT-3MM-AP”。該設(shè)備連續(xù)作業(yè)無故障保證了CVD膜的穩(wěn)定生產(chǎn)，其壓力控制方式和排放有害氣體的處理效能等得到安森美半導體的好評，再次被該公司歐洲工廠采用。采用該設(shè)備不僅可以確保其歐洲工廠NSG※8、PSG※9、BPSG※10等CVD膜的膜層厚度的穩(wěn)定，還促進工廠提高產(chǎn)量，削減排氣處理費用。
OEG排氣處理設(shè)備的生產(chǎn)制造已有近30年的歷史，有為日本和臺灣的半導體和太陽能電池生產(chǎn)廠家提供設(shè)備的豐富業(yè)績。此次是為歐洲客戶提供設(shè)備，還計劃將來開拓東南亞市場。
【用語解釋】
※1. CVD
CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積），是沉積方法的一種，在加熱主板上產(chǎn)生各種材質(zhì)的薄膜。
※2. Power FET
Power FET （Power Field-Effect Transistor）是為處理大電力MOSFET※4而設(shè)計的，和其他電源設(shè)備比較，其開關(guān)速度快，在低壓區(qū)的轉(zhuǎn)換功效高，因此多用于200V以下的開關(guān)電源、DC -DC轉(zhuǎn)換器等。
※3. IGBT
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點，用于電流控制。
※4. MOSFET
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體三極管）是場效應(yīng)晶體管（FET）的一種，多采用二氧化矽材料，多用于整合電路。
※5. 矽烷（SiH4）
矽烷（silane，SiH4）分子量為32.12，是無色有臭氣體，是用于半導體生產(chǎn)的特殊氣體的代表。
※6. 磷化氫（PH3）
磷化氫（phosphine ，PH3）是一種無色、劇毒、易燃的氣體，無機化合物。是半導體生產(chǎn)原料混合氣體的原料，有時也用于n形矽的InGaP（銦鎵磷）半導體生產(chǎn)。
※7. 乙硼烷（B2H6）
乙硼烷（diborane，B2H6）是硼氫化合物，無色有臭味氣體，是重要的半導體材料。主要用于聚合催化劑和還原劑及火箭推進劑等。易燃、易爆、劇毒。
※8. NSG（None-doped Silicate Glass）膜
不含磷和硼等不純物質(zhì)的二氧化矽（SiO2）膜。
※9. PSG（Phospho silicate glass）膜
含磷的矽氧化膜。
※10. BPSG（Boro-phospho silicate glass）膜
含硼和磷的矽氧化膜。
關(guān)于沖電氣工業(yè)株式會社(OKI)
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