東芝：10nm以后僅靠ArF液浸多重曝光無法對(duì)應(yīng)

時(shí)間：2013-03-01 05:49:00

關(guān)鍵字：東芝 RF EUV NI

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[導(dǎo)讀]東芝在光刻技術(shù)會(huì)議“SPIE Advanced Lithography”上發(fā)表演講，介紹了對(duì)于擁有半節(jié)距10nm以下（sub-10nm half pitch）分辨率的四項(xiàng)光刻技術(shù)、主要從尺寸精度的觀點(diǎn)對(duì)其進(jìn)行比較的結(jié)果（演講編號(hào)：8685-2）。此次

東芝在光刻技術(shù)會(huì)議“SPIE Advanced Lithography”上發(fā)表演講，介紹了對(duì)于擁有半節(jié)距10nm以下（sub-10nm half pitch）分辨率的四項(xiàng)光刻技術(shù)、主要從尺寸精度的觀點(diǎn)對(duì)其進(jìn)行比較的結(jié)果（演講編號(hào)：8685-2）。

此次東芝進(jìn)行比較的四項(xiàng)技術(shù)為：（1）ArF液浸＋SAOP（self-aligned octuplet patterning）、（2）EUV曝光＋SADP（self-aligned double patterning）、（3）EUV曝光＋LELE（litho-etch-litho-etch）、（4）EUV曝光＋DSA（directed self-assembly）。這四種技術(shù)均可實(shí)現(xiàn)半節(jié)距10nm以下的圖案。順便提一句，納米壓?。?strong>NIL）由于被定位于尚在研發(fā)階段，因此此次未列入比較對(duì)象。

東芝的模擬結(jié)果顯示，尺寸偏差最小的是（4）EUV曝光＋DSA。這是一種在EUV曝光形成的引導(dǎo)圖案中使用DSA技術(shù)，將節(jié)距縮小至1/4的技術(shù)。另外，（2）EUV曝光＋SADP的尺寸偏差也在允許范圍內(nèi)。而（1）ArF液浸＋SAOP和（3）EUV曝光＋LELE的尺寸偏差則很大，超過了允許范圍。

可以說，此次的比較結(jié)果暴露出了使用ArF液浸的多重曝光技術(shù)存在的課題。東芝已將通過ArF液浸曝光縮小至1/2節(jié)距的SADP成功應(yīng)用到了批量生產(chǎn)19nm工藝NAND閃存，該公司認(rèn)為下一代工藝可用節(jié)距縮小至1/4的SAQP（self-aligned quadruple patterning）來對(duì)應(yīng)。

作為半節(jié)距10nm以下的技術(shù)，東芝此次還對(duì)節(jié)距縮小至1/8的SAOP展開了測(cè)評(píng)，結(jié)果表明該技術(shù)的尺寸偏差超過了允許值。東芝指出，其原因主要在于側(cè)壁膜厚的偏差很難控制?？磥恚雽?shí)現(xiàn)節(jié)距10nm以下的分辨率，還需要開發(fā)EUV曝光以及利用分子自組織化DSA等新技術(shù)。（記者：木村雅秀，《日經(jīng)電子》）