GLOBALFOUNDRIES 宣布將公司的 55 奈米 (nm) 低功率強化 (LPe) 制程技術(shù)平臺持續(xù)向上提升，推出具備 ARM 合格的新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V。55nm LPe 1V 是業(yè)界首創(chuàng)唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實體 IP 資料庫的先進制程節(jié)點，可讓晶片設(shè)計人員使用單一制程，在單一系統(tǒng)單晶片(SoC) 下支援兩種操作電壓。

GLOBALFOUNDRIES 產(chǎn)品行銷部副總裁 Bruce Kleinman 表示：「這款 55nm LPe 1V 產(chǎn)品最主要的優(yōu)點是，無論是要設(shè)計 1.0V 或 1.2V 的電源選項，都能使用相同的設(shè)計資料庫。也就是說，只需要采用同一套的設(shè)計規(guī)則和模式，無需額外的光罩層或特殊制程。如此不只可降低成本，提高設(shè)計彈性，更能維持一致的電源和最佳化功能。」

GLOBALFOUNDRIES 的 55nm LPe 1V 采用 ARM 的 1.0V/1.2V 標準晶胞和記憶體編譯器，方便設(shè)計人員將速度、電源及/或面積等設(shè)計最佳化，尤其對在系統(tǒng)單晶片解決方案的設(shè)計上受到電力限制的設(shè)計人員來說更為有利。

GLOBALFOUNDRIES 的先進 55nm LPe 制程，為結(jié)合 ARM 所提供完整經(jīng)過矽晶片驗證的 8-track、9-track 和 12-track 資料庫平臺，加上高速和高密度的記憶體編譯器。

ARM 實體 IP 部門行銷副總 John Heinlein 博士表示：「1V 和 1.2V 作業(yè)的整合，加上支援級的位移邏輯，將是低功率、高效能和小晶片面積的最佳組合。雙電壓域特性支援，搭配 Artisan 新一代記憶體編譯器架構(gòu)，相較于前一代解決方案，能減少 35% 以上的動態(tài)及漏電功率?！?br>
55nm LPe 1V 尤其適用于大量、采電池供電的行動消費性裝置，還有各種環(huán)?；蚬?jié)能產(chǎn)品。產(chǎn)品開發(fā)套件和電子設(shè)計自動化工具現(xiàn)已供應(yīng)，同時也提供晶圓共乘(MPW Shuttle)。

Artisan 記憶體提供彈性的制程選項，全球出貨量高達數(shù)十億組。延續(xù) Artisan 65nm 至 20nm 實體 IP 平臺的多樣化系列，這些新一代記憶體內(nèi)含低電壓和待機模式，能夠延長電池壽命，提供可將處理器速度提升至最高的超高速快取記憶體，同時也采用專利設(shè)計技術(shù)，縮小低成本系統(tǒng)單晶片的設(shè)計面積。